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트랜지스터 (2247)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AO4614BL	-	RFQ	2276	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO4614		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널			40V	6A (TA), 5A (TA)		30mohm @ 6a, 10v, 45mohm @ 5a, 10v	3V @ 250µA	10.8nc @ 10v, 22nc @ 10v		650pf @ 20V, 1175pf @ 20V	-
AO4484L	-	RFQ	1658	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		40 v	10A (TA)	4.5V, 10V	10MOHM @ 10A, 10V	3V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 20V	1950 pf @ 20 v	-	1.7W (TA)
AON2701	-	RFQ	8992	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드	Aon27		MOSFET (금속 (()		6-DFN (2x2)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		20 v	3A (TA)	1.8V, 4.5V	120mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 v	± 8V	700 pf @ 10 v	Schottky 분리 (다이오드)	1.5W (TA)
AONV070V65G1	7.7752	RFQ	9371	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	8-powertdfn	AONV070		MOSFET (금속 (()		8-DFN (8x8)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AONV070V65G1	귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널		650 v	16A	6V	90mohm @ 6a, 6V	2.3V @ 5mA	6.9 NC @ 6 v	6V	203 pf @ 400 v	-	125W
AoT7S60L	0.8952	RFQ	1537	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT7		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1269-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		600 v	7A (TC)	10V	600mohm @ 3.5a, 10V	3.9V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 30V	372 pf @ 100 v	-	104W (TC)
AON6500_001	-	RFQ	3080	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON650		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		30 v	71A (TA), 200a (TC)	4.5V, 10V	0.95mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	145 NC @ 10 v	± 20V	7036 pf @ 15 v	-	7.3W (TA), 83W (TC)
AO4438_101	-	RFQ	6910	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		60 v	8.2A (TA)	4.5V, 10V	22mohm @ 8.2a, 10V	3V @ 250µA	30 nc @ 4.5 v	± 20V	2300 pf @ 30 v	-	3.1W (TA)
AO3420	0.4400	RFQ	848	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		20 v	6A (TA)	1.8V, 10V	24mohm @ 6a, 10V	1V @ 1mA	8.8 NC @ 4.5 v	± 12V	630 pf @ 10 v	-	1.4W (TA)
AO4264E	0.3197	RFQ	4083	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO42		MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		60 v	13.5A (TA)	4.5V, 10V	9.8mohm @ 13.5a, 10V	2.4V @ 250µA	13 nc @ 4.5 v	± 20V	1100 pf @ 30 v	-	3.1W (TA)
AOI518	-	RFQ	6905	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	AOI51		MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	70		n 채널		30 v	18A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 20a, 10V	2.6V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 20V	951 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AO6400_201	-	RFQ	7524	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457	AO640		MOSFET (금속 (()		6TSOP	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO6400_201TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	6.9A (TA)	2.5V, 10V	28mohm @ 6.9a, 10V	1.45V @ 250µA	7 NC @ 4.5 v	± 12V	630 pf @ 15 v	-	2W (TA)
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AO4404BL	-	RFQ	6332	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		30 v	8.5A (TA)	2.5V, 10V	24mohm @ 8.5a, 10V	1.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 v	± 12V	1100 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOT20S60L	3.2400	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT20		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		600 v	20A (TC)	10V	199MOHM @ 10A, 10V	4.1V @ 250µA	19.8 nc @ 10 v	± 30V	1038 pf @ 100 v	-	266W (TC)
AOWF10T60P	-	RFQ	1777	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-262-3 2 팩 팩, i²pak	AOWF10		MOSFET (금속 (()		TO-262F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1655-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		600 v	10A (TC)	10V	700mohm @ 5a, 10V	5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 30V	1595 pf @ 100 v	-	28W (TC)
AOD296A	0.5645	RFQ	5909	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD296				TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500					70A (TC)
AOD452AL_008	-	RFQ	4043	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD45		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		25 v	55A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 30a, 10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	1450 pf @ 12.5 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AO4459L	-	RFQ	1071	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널		30 v	6.5A (TA)	4.5V, 10V	46MOHM @ 6.5A, 10V	2.5V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 20V	830 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOI7S65	0.7825	RFQ	7064	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	AOI7		MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널		650 v	7A (TC)	10V	650mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250µA	9.2 NC @ 10 v	± 30V	434 pf @ 100 v	-	89W (TC)
AOD11S60	2.2300	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD11		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		600 v	11A (TC)	10V	399mohm @ 3.8a, 10V	4.1V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 30V	545 pf @ 100 v	-	208W (TC)
AOK065V120X2	8.9803	RFQ	5851	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOK065		sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터)		TO-247	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOK065V120X2	귀 99	8541.29.0095	240		n 채널		1200 v	40.3A (TC)	15V	85mohm @ 20a, 15V	3.5V @ 250µA	62.3 NC @ 15 v	+18V, -8V	1716 pf @ 800 v	-	187.5W (TJ)
AON6370	-	RFQ	4941	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	Aon63		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	23A (TA), 47A (TC)	4.5V, 10V	7.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	840 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 26W (TC)
AOD9N52	-	RFQ	9958	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD9		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	-			영향을받지 영향을받지	785-AOD9N52			1		n 채널		500 v	9A (TC)	10V	860mohm @ 4.5a, 10V	4.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 30V	1160 pf @ 25 v	-	178W
AON7546	-	RFQ	8414	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				Aon75					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aon7546tr	쓸모없는		5,000					-
AON7380	0.1553	RFQ	8500	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON738		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널		30 v	24A (TC)	4.5V, 10V	6.8mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	825 pf @ 15 v	-	4.1W (TA), 24W (TC)
AOK50B65M2	6.1800	RFQ	232	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOK50	기준		500 W.	TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1756	귀 99	8541.29.0095	240			400V, 50A, 6ohm, 15V											327 ns	-	650 v	100 a	150 a	2.2V @ 15V, 50A	2.09mj (on), 1.03mj (OFF)	102 NC	46ns/182ns
AON6506	-	RFQ	2196	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON650		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	33A (TA), 36A (TC)	4.5V, 10V	2.6MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2719 pf @ 15 v	-	4.2W (TA), 83W (TC)
AOD380A60C	1.8600	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD380		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		600 v	11A (TC)	10V	380mohm @ 5.5a, 10V	3.8V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 30V	955 pf @ 100 v	-	125W (TC)
AOSP62530	0.5696	RFQ	7263	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AOSP625		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aosp62530tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		150 v	5A (TA)	4.5V, 10V	63mohm @ 5a, 10V	2.7V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	675 pf @ 75 v	-	3.1W (TA)
AOE6922	-	RFQ	9224	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	-	AOE692		-		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000												-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²