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트랜지스터 (2247)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AoTF3N50	-	RFQ	8242	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF3		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		500 v	3A (TC)	10V	3ohm @ 1.5a, 10V	4.5V @ 250µA	8 nc @ 10 v	± 30V	331 pf @ 25 v	-	31W (TC)
aou1n60	-	RFQ	2170	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	aou1		MOSFET (금속 (()		TO-251-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널		600 v	1.3A (TC)	10V	9ohm @ 650ma, 10V	4.5V @ 250µA	8 nc @ 10 v	± 30V	160 pf @ 25 v	-	45W (TC)
AON4407	0.3015	RFQ	9853	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	Aon44		MOSFET (금속 (()		8-DFN (3x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		12 v	9A (TA)	1.5V, 4.5V	20mohm @ 9a, 4.5v	850MV @ 250µA	23 NC @ 4.5 v	± 8V	2100 pf @ 6 v	-	2.5W (TA)
AO4613	-	RFQ	4401	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO461		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널			30V	-		24mohm @ 7.2a, 10V	3V @ 250µA	15NC @ 10V		630pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON4605_002	-	RFQ	6100	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				AON460					-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000					-
AO4576	0.6000	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO45		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	20A (TA)	4.5V, 10V	5.8mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 20V	951 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOU7S60	-	RFQ	2077	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	aou7		MOSFET (금속 (()		TO-251-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	80		n 채널		600 v	7A (TC)	10V	600mohm @ 3.5a, 10V	3.9V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 30V	372 pf @ 100 v	-	83W (TC)
AOK40B65H2AL	2.0845	RFQ	2981	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOK40	기준		260 W.	TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	240			600V, 40A, 7.5OHM, 15V											315 ns	-	650 v	80 a	120 a	2.6V @ 15V, 40A	1.17mj (on), 540µJ (OFF)	61 NC	30ns/117ns
AO4415	-	RFQ	3629	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	8A (TA)	6V, 20V	26mohm @ 8a, 20V	3.5V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 25V	1100 pf @ 15 v	-	3W (TA)
AON6414AL	-	RFQ	6238	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	AON641		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	13A (TA), 30A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	1380 pf @ 15 v	-	2.3W (TA), 31W (TC)
AONX36320	1.0012	RFQ	9566	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	AONX363		MOSFET (금속 (()	4.1W (TA), 24W (TC), 5W (TA), 75W (TC)	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aonx36320tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널) 비대칭			30V	22A (TA), 22A (TC), 60A (TA), 85A (TC)		4.25mohm @ 20a, 10v, 820µohm @ 30a, 10v	2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA	25NC @ 10V, 150NC @ 10V		1070pf @ 15V, 5550pf @ 15V	기준
AOT15S60L	1.3703	RFQ	8788	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT15		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1267-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		600 v	15A (TC)	10V	290mohm @ 7.5a, 10V	3.8V @ 250µA	15.6 NC @ 10 v	± 30V	372 pf @ 100 v	-	208W (TC)
AON6598	-	RFQ	8698	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-	-	AON659				-	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000					-
AOWF296	-	RFQ	7829	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	AOWF29		MOSFET (금속 (()		TO-262F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		100 v	37A (TC)	6V, 10V	9.7mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 20V	2785 pf @ 50 v	-	26W (TC)
AON6522	0.7853	RFQ	3308	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON652		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		25 v	71A (TA), 200a (TC)	4.5V, 10V	0.95mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	145 NC @ 10 v	± 20V	7036 pf @ 15 v	-	7.3W (TA), 83W (TC)
AO4600CL	-	RFQ	9131	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-	-	AO4600		-		-	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	-				-		-	-				-
AOT780A70L	0.7092	RFQ	3354	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT780		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AoT780A70LTR	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		700 v	7A (TC)	10V	780mohm @ 1.4a, 10V	4.1V @ 250µA	11.5 nc @ 10 v	± 20V	675 pf @ 100 v	-	89W (TC)
AOTF280A60L	1.0505	RFQ	7890	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF280		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AOTF280A60L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		600 v	14A (TJ)	10V	280mohm @ 7a, 10V	3.6V @ 250µA	23.5 nc @ 10 v	± 20V	1350 pf @ 100 v	-	30W (TC)
AO4801AL	-	RFQ	6020	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO480		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 p 채널 (채널)			30V	5a		48mohm @ 5a, 10V	1.3V @ 250µA	9NC @ 4.5V		780pf @ 15V	논리 논리 게이트
AOW2500	2.2403	RFQ	8319	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	AOW25		MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		150 v	11.5A (TA), 152A (TC)	6V, 10V	6.2MOHM @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	136 NC @ 10 v	± 20V	6460 pf @ 75 v	-	2.1W (TA), 375W (TC)
AOD4189	0.6200	RFQ	53	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD418		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널		40 v	40A (TC)	4.5V, 10V	22mohm @ 12a, 10V	3V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	1870 pf @ 20 v	-	2.5W (TA), 62.5W (TC)
AOC2422	-	RFQ	8494	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 없음	AOC24		MOSFET (금속 (()		4- 알파드프 (alphadfn) (0.97x0.97)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	5,000		n 채널		8 v	3.5A (TA)	1.2V, 2.5V	33mohm @ 1.5a, 2.5v	800MV @ 250µA	15 nc @ 4.5 v	± 5V	870 pf @ 4 v	-	600MW (TA)
AOB280A60L	1.2807	RFQ	6107	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB280		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널		600 v	14A (TC)	10V	280mohm @ 7a, 10V	3.6V @ 250µA	23.5 nc @ 10 v	± 20V	1350 pf @ 100 v	-	156W (TC)
AOD516_002	-	RFQ	3674	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD51		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		30 v	18A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1229 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AO4404BL_101	-	RFQ	6017	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	8.5A (TA)	2.5V, 10V	24mohm @ 8.5a, 10V	1.45V @ 250µA	7 NC @ 4.5 v	± 12V	630 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AO3420L_103	-	RFQ	7381	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				AO34					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000					6A (TA)
AOI538	0.3456	RFQ	2396	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	AOI53		MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널		30 v	34A (TA), 70A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	2160 pf @ 15 v	-	4.2W (TA), 24W (TC)
AO4306	-	RFQ	1418	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO43				8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000
AON2405	0.2051	RFQ	7274	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	AON24		MOSFET (금속 (()		6-DFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		20 v	8A (TA)	1.5V, 4.5V	32mohm @ 8a, 4.5v	900MV @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 8V	1025 pf @ 10 v	-	2.8W (TA)
AOK30B135W1	4.5900	RFQ	40	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOK30	기준		340 W.	TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1724-5	귀 99	8541.29.0095	30			600V, 30A, 10ohm, 15V												-	1350 v	60 a	200a	2.2V @ 15V, 30A	1.47mj (OFF)	62 NC	-/129ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²