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![]() | AOTF7S65L | - | ![]() | 9544 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF7 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | - | 영향을받지 영향을받지 | 785-AoTF7S65L | 1 | n 채널 | 650 v | 7A (TC) | 10V | 650mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 9.2 NC @ 10 v | ± 30V | 434 pf @ 25 v | - | 27W (TC) | |||||||
![]() | AONR66620 | 0.8900 | ![]() | 9318 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AONR666 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 17.5A (TA), 24A (TC) | 8V, 10V | 9.1MOHM @ 20A, 10V | 3.6V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1070 pf @ 30 v | - | 5W (TA), 27W (TC) | |||||
![]() | AO4449_101 | - | ![]() | 2292 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AO4449_101TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 7A (TA) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 7a, 10V | 2.4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 760 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) |
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