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![]() | AOD1N60_001 | - | ![]() | 5301 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD1 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | - | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOD1N60_001 | 1 | n 채널 | 600 v | 1.3A (TC) | 10V | 9ohm @ 650ma, 10V | 4.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 v | ± 30V | 160 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||
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AOW12N50 | 0.8115 | ![]() | 2566 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOW12 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 520mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 30V | 1633 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||
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AON6594 | 0.2213 | ![]() | 7768 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON659 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 22A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1037 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 39W (TC) | ||||||||||||||||
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![]() | AONS36354 | - | ![]() | 1166 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | AONS363 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-aons36354tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOB10T60PL | - | ![]() | 1037 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB10 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 700mohm @ 5a, 10V | 5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1595 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||||
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![]() | AOTF10N60CL | 0.6504 | ![]() | 2820 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF10 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOTF10N60CLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 10A (TJ) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||
![]() | AOD442G | 0.7600 | ![]() | 222 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD44 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 13A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 20a, 10V | 2.7V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1920 pf @ 30 v | - | 6.2W (TA), 60W (TC) | |||||||||||||||
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![]() | AOTF7N60_DELTA | - | ![]() | 7066 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF7 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | - | 영향을받지 영향을받지 | 785-AoTF7N60_DELTA | 1 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 30V | 1035 pf @ 25 v | - | 38.5W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOK30B60D | 3.2905 | ![]() | 6799 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AOK30 | 기준 | 278 w | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 30A, 10ohm, 15V | 137 ns | - | 600 v | 60 a | 128 a | 2.1V @ 15V, 30A | 1.18mj (on), 200µJ (OFF) | 47 NC | 26ns/71ns | |||||||||||||||
![]() | AON5802BL | - | ![]() | 4017 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-Wfdfn d 패드 패드 | AON5802 | MOSFET (금속 (() | 1.6W | 6-DFN-EP (2x5) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 30V | 7.2A (TC) | 19mohm @ 7a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1150pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||
![]() | AOT460_002 | - | ![]() | 8866 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT46 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 85A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 88 NC @ 10 v | ± 20V | 4560 pf @ 30 v | - | 268W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOV20S60 | 1.7931 | ![]() | 9370 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | AOV20 | MOSFET (금속 (() | 4-DFN (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TA), 18A (TC) | 10V | 250mohm @ 10a, 10V | 4.1V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 1038 pf @ 100 v | - | 8.3W (TA), 278W (TC) | |||||||||||||||
![]() | AO4404B | 0.2148 | ![]() | 9928 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 8.5A (TA) | 2.5V, 10V | 24mohm @ 8.5a, 10V | 1.5V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1100 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||
![]() | AOTF292L | 1.7111 | ![]() | 4537 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF292 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 70A (TC) | 6V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10V | 3.4V @ 250µA | 126 NC @ 10 v | ± 20V | 6775 pf @ 50 v | - | 47W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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