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트랜지스터 (2247)
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| AOTF10B60D2 | 0.7747 | | 1022 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF10 | 기준 | 31.2 w | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 5A, 60ohm, 15V | 98 ns | - | 600 v | 23 a | 20 a | 1.8V @ 15V, 5A | 140µJ (on), 40µJ (OFF) | 9.4 NC | 12ns/83ns | |||||||||||||||
 | AON7401L | - | | 9255 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AON740 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 9A (TA), 20A (TC) | 6V, 10V | 14mohm @ 9a, 20V | 3V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 25V | 2600 pf @ 15 v | - | 1.6W (TA), 27W (TC) | ||||||||||||||||
 | AOV20S60 | 1.7931 | | 9370 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | AOV20 | MOSFET (금속 (() | 4-DFN (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TA), 18A (TC) | 10V | 250mohm @ 10a, 10V | 4.1V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 1038 pf @ 100 v | - | 8.3W (TA), 278W (TC) | |||||||||||||||
| AO4404B | 0.2148 | | 9928 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 8.5A (TA) | 2.5V, 10V | 24mohm @ 8.5a, 10V | 1.5V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1100 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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