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트랜지스터 (2247)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AO7600_001	-	RFQ	1546	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	AO760	MOSFET (금속 (()	300MW	SC-70-6	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 보완 p 채널 및		20V	900ma		300mohm @ 900ma, 4.5v	900MV @ 250µA	1.9NC @ 4.5V		120pf @ 10V	-
AO7408	0.0977	RFQ	1915	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	AO740	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	2A (TA)	1.8V, 4.5V	62mohm @ 2a, 4.5v	1V @ 250µA	4 NC @ 4.5 v	± 8V	320 pf @ 10 v	-	350MW (TA)
AOTL66918	3.6622	RFQ	1873	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-Powersfn	AOTL669	MOSFET (금속 (()		희생	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOTL66918TR	귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	30A (TA), 214A (TC)	8V, 10V	4.3MOHM @ 20A, 10V	3.7V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 20V	6500 pf @ 50 v	-	10W (TA), 500W (TC)
AO8822#a	-	RFQ	4138	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	AO882	MOSFET (금속 (()	1.5W	8-tssop	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수		20V	7a		18mohm @ 7a, 10V	1V @ 250µA	18NC @ 10V		780pf @ 10V	논리 논리 게이트
AOD4162	-	RFQ	6926	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD41	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	30 v	16A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 20a, 10V	2.6V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	1187 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
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AoT416L	-	RFQ	8231	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT41	MOSFET (금속 (()		TO-220	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	100 v	4.7A (TA), 42A (TC)	7V, 10V	37mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 25V	1450 pf @ 50 v	-	1.92W (TA), 150W (TC)
AOI514	-	RFQ	4430	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	AOI51	MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널	30 v	17A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5.9mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	1187 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
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AOTF10N50FD_001	-	RFQ	8345	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF10	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	500 v	10A (TC)	10V	750mohm @ 5a, 10V	4.2V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 30V	1240 pf @ 25 v	-	50W (TC)
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AOK2500L	5.7100	RFQ	263	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOK2500	MOSFET (금속 (()		TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30		n 채널	150 v	14A (TA), 180A (TC)	6V, 10V	6.2MOHM @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	136 NC @ 10 v	± 20V	6460 pf @ 75 v	-	3.1W (TA), 500W (TC)
AO3418	0.4600	RFQ	77	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	3.8A (TA)	2.5V, 10V	60mohm @ 3.8a, 10V	1.8V @ 250µA	3.2 NC @ 4.5 v	± 12V	270 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AON6906A	0.3851	RFQ	2939	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON6906	MOSFET (금속 (()	1.9W, 2W	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)		30V	9.1a, 10a		14.4mohm @ 9.1a, 10V	2.4V @ 250µA	9NC @ 10V		670pf @ 15V	논리 논리 게이트
AO4807	0.8800	RFQ	13	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO480	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		30V	6A		35mohm @ 6a, 10V	2.4V @ 250µA	16NC @ 10V		760pf @ 15V	논리 논리 게이트
AO4406AL	-	RFQ	6441	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	13A (TC)	4.5V, 10V	11.5mohm @ 12a, 10V	2.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	910 pf @ 15 v	-	3.1W (TC)
AO4832	0.2467	RFQ	3059	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO483	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	10A		13mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	17nc @ 10V		910pf @ 15V	논리 논리 게이트
AOD421_001	-	RFQ	5408	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD42	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널	20 v	12.5A (TA)	2.5V, 4.5V	75mohm @ 12.5a, 10V	1.4V @ 250µA	4.6 NC @ 4.5 v	± 12V	620 pf @ 10 v	-	2W (TA), 18.8W (TC)
AON6908ALS_101	-	RFQ	9752	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON6908	MOSFET (금속 (()	1.9W (TA), 31W (TC), 2.1W (TA), 78W (TC)	8-DFN (5x6)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널) 비대칭		30V	11.5A (TA), 46A (TC), 17A (TA), 80A (TC)		8.9mohm @ 11.5a, 10v, 3.6mohm @ 20a, 10v	2.4V @ 250µA, 2V @ 250µA	15nc @ 10v, 38nc @ 4.5v		1110pf @ 15v, 5260pf @ 15v	-
AOB15S65L	1.7604	RFQ	1796	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB15	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	650 v	15A (TC)	10V	290mohm @ 7.5a, 10V	4V @ 250µA	17.2 NC @ 10 v	± 30V	841 pf @ 100 v	-	208W (TC)
AON7752	-	RFQ	3417	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	Aon77	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	30 v	15A (TA), 16A (TC)	4.5V, 10V	8.2mohm @ 16a, 10V	2.5V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	605 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 20W (TC)
AOW7S65	1.1541	RFQ	6745	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	AOW7	MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	650 v	7A (TC)	10V	650mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250µA	9.2 NC @ 10 v	± 30V	434 pf @ 100 v	-	104W (TC)
AON6362	0.2588	RFQ	9691	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	Aon63	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	27A (TA), 60A (TC)	4.5V, 10V	5.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	820 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 31W (TC)
AOL1440	-	RFQ	8525	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	3-powersmd, 평평한 리드	AOL14	MOSFET (금속 (()		초음파 8 ™	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	25 v	21A (TA), 85A (TC)	10V, 20V	3.2MOHM @ 20A, 20V	4V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 30V	2400 pf @ 12.5 v	-	2.3W (TA), 75W (TC)
AOTF15S65L	3.0400	RFQ	872	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF15	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	650 v	15A (TC)	10V	290mohm @ 7.5a, 10V	4V @ 250µA	17.2 NC @ 10 v	± 30V	841 pf @ 100 v	-	34W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²