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트랜지스터 (2247)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOTF160A60L | 3.2400 |  | 615 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF160 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOTF160A60L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 24A (TJ) | 10V | 160mohm @ 12a, 10V | 3.6V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 2340 pf @ 100 v | - | 34.7W (TC) | ||||||||||||||
 | AOT2916L | - | | 3193 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT2916 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 5A (TA), 23A (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 10a, 10V | 2.7V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 870 pf @ 50 v | - | 2.1W (TA), 41.5W (TC) | |||||||||||||||
 | AON6586 | - | | 3582 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON658 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 41W (TC) | |||||||||||||||
 | AOW296 | - | | 5001 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOW29 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 70A (TC) | 6V, 10V | 9.7mohm @ 20a, 10V | 3.4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 2785 pf @ 50 v | - | 104W (TC) | |||||||||||||||
 | AOL1240 | 0.6674 | | 3543 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-powersmd, 평평한 리드 | AOL12 | MOSFET (금속 (() | 초음파 8 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 19A (TA), 69A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50.5 nc @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 20 v | - | 2.1W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||
 | AOD423 | 0.3502 | | 6490 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD42 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 15A (TA), 70A (TC) | 10V, 20V | 6.2MOHM @ 20A, 20V | 3.5V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 25V | 2760 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 90W (TC) | |||||||||||||||
 | AONR21117 | 0.9600 | | 50 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AONR211 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 20 v | 26.5A (TA), 34A (TC) | 2.5V, 4.5V | 4.8mohm @ 20a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 88 NC @ 4.5 v | ± 8V | 6560 pf @ 10 v | - | 5W (TA), 43W (TC) | |||||||||||||||
| AOK40B120N1 | 5.5556 | | 7134 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AOK40 | 기준 | 600 w | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOK40B120N1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 40A, 7.5OHM, 15V | 300 ns | - | 1200 v | 80 a | 160 a | 2.5V @ 15V, 40A | 3.4mj (on), 1.4mj (OFF) | 100 NC | 57ns/146ns | ||||||||||||||
| AOD409_001 | - | | 7144 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD40 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 60W (TC) | ||||||||||||||||
| AOT10N60 | 1.6000 | | 907 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT10 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1191-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||
| AON6404A_001 | - | | 4913 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON640 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 25A (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 5210 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||
| AON6410 | - | | 6694 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON641 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 10A (TA), 24A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 12V | 1452 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 35W (TC) | ||||||||||||||||
| AONS66908 | 0.7008 | | 2277 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AONS669 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-aons66908tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 30A (TA), 158A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 2.6V @ 250µA | 97 NC @ 10 v | ± 20V | 5117 pf @ 50 v | - | 7.3W (TA), 208W (TC) | |||||||||||||||
| AOTF15B60D | 1.3833 | | 8635 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF15 | 기준 | 50 W. | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 15a, 20ohm, 15V | 196 ns | - | 600 v | 30 a | 60 a | 1.8V @ 15V, 15a | 420µJ (on), 110µJ (OFF) | 25.4 NC | 21ns/73ns | |||||||||||||||
| AON7556 | - | | 6005 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 알파모 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | Aon75 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 12A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 12a, 10V | 2.2V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 15 v | - | 4.1W (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||||
 | AO4419L | - | | 1090 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 30 v | 9.7A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 9.7a, 10V | 2.7V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||||
| AO4437 | - | | 6466 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 11A (TA) | 1.8V, 4.5V | 16mohm @ 11a, 4.5v | 1V @ 250µA | 47 NC @ 4.5 v | ± 8V | 4750 pf @ 6 v | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||
 | AOI508 | - | | 5889 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOI50 | MOSFET (금속 (() | TO-251A | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1457-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n 채널 | 30 v | 22A (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 2010 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||
 | AON5820 | 0.2750 | | 5205 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-Wfdfn d 패드 패드 | AON582 | MOSFET (금속 (() | 1.7W | 6-DFN-EP (2x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 10A | 9.5mohm @ 10a, 4.5v | 1V @ 250µA | 15NC @ 4.5V | 1510pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||
 | AO3456 | - | | 8172 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD, SOT-23-3 변형 | AO34 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.6A (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||
| AON6578 | 0.4175 | | 7650 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON657 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 28A (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1340 pf @ 15 v | - | 5.6W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||||
| aod3n50m | - | | 5920 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | AOD3 | MOSFET (금속 (() | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
| AONS66402 | 0.7174 | | 5671 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AONS664 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q12456119B | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 49A (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 5570 pf @ 20 v | - | 6.2W (TA), 119W (TC) | ||||||||||||||
| AOTF15S60L | 2.7900 | | 403 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF15 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 7.5a, 10V | 3.8V @ 250µA | 15.6 NC @ 10 v | ± 30V | 717 pf @ 100 v | - | 27.8W (TC) | |||||||||||||||
| AON7400B | 0.4400 | | 9380 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AON740 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 18A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1440 pf @ 15 v | - | 4.1W (TA), 24W (TC) | |||||||||||||||
 | AOSX21319C | 0.1579 | | 4430 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | AOSX213 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOSX21319CTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.6A (TA) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 2.6a, 10V | 2.2V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 320 pf @ 15 v | - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||
| AOD254 | - | | 9883 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD25 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 4.5A (TA), 28A (TC) | 4.5V, 10V | 46MOHM @ 20A, 10V | 2.7V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 2150 pf @ 75 v | - | 2.5W (TA), 115W (TC) | ||||||||||||||||
| AON6405L_102 | - | | 4094 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON640 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 15A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 1.6V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||
| AOTF10N60L | - | | 2902 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF10 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 750mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | 1600 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||
| AON6232A | - | | 3148 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | Aon62 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 35A (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3250 pf @ 20 v | - | 6.2W (TA), 113.5W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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