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트랜지스터 (2247)
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 | AON3611 | 0.6000 | | 50 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | AON361 | MOSFET (금속 (() | 2.1W, 2.5W | 8-DFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 공통 p 채널, 공통 배수 | 30V | 5a, 6a | 50mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10nc @ 10v | 170pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||
| AOTF4N60 | 0.4379 | | 6216 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF4 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 4A (TC) | 10V | 2.2A, 2A, 10V | 4.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 615 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||
| AON6448L | - | | 9911 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON644 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 11A (TA), 65A (TC) | 7V, 10V | 9.6MOHM @ 10A, 10V | 3.7V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 25V | 3100 pf @ 40 v | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | |||||
 | AOSD32338C | 0.1473 | | 1556 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AOSD323 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOSD32338ctr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6A (TA) | 30mohm @ 6a, 10V | 2.4V @ 250µA | 6.3NC @ 10V | 310pf @ 15V | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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