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트랜지스터 (2247)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AOC2411	-	RFQ	9482	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-UFBGA, WLCSP	AOC24		MOSFET (금속 (()		4-WLCSP (1.6x1.6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널		30 v	3.4A (TA)	2.5V, 4.5V	45mohm @ 1a, 4.5v	1.4V @ 250µA	20 nc @ 4.5 v	± 12V	1630 pf @ 15 v	-	800MW (TA)
AOD240_001	-	RFQ	9058	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD24		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		40 v	23A (TA), 70A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	4300 pf @ 20 v	-	2.7W (TA), 150W (TC)
AOT9N40	-	RFQ	5019	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT9		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		400 v	8A (TC)	10V	800mohm @ 4a, 10V	4.5V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 30V	760 pf @ 25 v	-	132W (TC)
AOT10T60P	-	RFQ	9291	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT10		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		600 v	10A (TC)	10V	700mohm @ 5a, 10V	5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 30V	1595 pf @ 100 v	-	208W (TC)
AOD7S60	1.6700	RFQ	4	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD7		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		600 v	7A (TC)	10V	600mohm @ 3.5a, 10V	3.9V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 30V	372 pf @ 100 v	-	83W (TC)
AON7410	0.4300	RFQ	338	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON741		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널		30 v	9.5A (TA), 24A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	660 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 20W (TC)
AON2400	-	RFQ	2796	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	AON24		MOSFET (금속 (()		6-DFN (2x2)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		8 v	8A (TA)	1.2V, 2.5V	11mohm @ 8a, 2.5v	750MV @ 250µA	16 nc @ 4.5 v	± 5V	1645 pf @ 4 v	-	2.8W (TA)
AOWF15S60	1.3703	RFQ	1492	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	AOWF15		MOSFET (금속 (()		TO-262F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		600 v	15A (TC)	10V	290mohm @ 7.5a, 10V	3.8V @ 250µA	15.6 NC @ 10 v	± 30V	717 pf @ 100 v	-	27.8W (TC)
AO4612L	-	RFQ	5343	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO461		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널			60V	4.5A (TA), 3.2A (TA)		56mohm @ 4.5a, 10v, 105mohm @ 3.2a, 10v	3V @ 250µA	10.5nc @ 10v, 20nc @ 10v		540pf @ 30v, 1120pf @ 30v	-
AON4807	-	RFQ	8703	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	AON480		MOSFET (금속 (()	1.9W	8-DFN (3x2)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)			30V	4a		68mohm @ 4a, 10V	2.3V @ 250µA	10nc @ 10v		290pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON6934A	-	RFQ	8906	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON693		MOSFET (금속 (()	3.6W, 4.3W	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)			30V	22A, 30A		5.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	22NC @ 10V		1037pf @ 15V	논리 논리 게이트
AO3160E	0.4300	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AO31		MOSFET (금속 (()		SOT-23A-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		600 v	40MA (TA)	4.5V, 10V	500ohm @ 16ma, 10V	3.2V @ 8µA	0.9 nc @ 10 v	± 20V	9.5 pf @ 25 v	-	1.39W (TA)
AoT66616L	1.4966	RFQ	9787	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT66616		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1825	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		60 v	38.5A (TA), 140A (TC)	6V, 10V	3.2MOHM @ 20A, 10V	3.4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2870 pf @ 30 v	-	8.3W (TA), 125W (TC)
AO9926BL_101	-	RFQ	6790	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO9926		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			20V	7.6a		23mohm @ 7.6a, 10V	1.1V @ 250µA	12.5NC @ 10V		630pf @ 15V	-
AOT1404L	1.3581	RFQ	4059	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT1404		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1410-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		40 v	15A (TA), 220A (TC)	10V	4.2MOHM @ 20A, 10V	3.7V @ 250µA	86 NC @ 10 v	± 20V	4300 pf @ 20 v	-	2.1W (TA), 417W (TC)
AON6756	-	RFQ	4300	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	Aon67		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	47A (TA), 36A (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 v	± 20V	2796 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	7.3W (TA), 83W (TC)
AOB42S60L	3.8137	RFQ	4895	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB42S60		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널		600 v	37A (TC)	10V	109mohm @ 21a, 10V	3.8V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 30V	2154 pf @ 100 v	-	417W (TC)
AOTF15B60D2	-	RFQ	4303	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF15	기준		42 W.	TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			400V, 10A, 30ohm, 15V											105 ns	-	600 v	23 a	40 a	1.8V @ 15V, 10A	260µJ (on), 70µJ (OFF)	17.4 NC	10ns/72ns
AON6974A	-	RFQ	5704	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SRFET ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON697		MOSFET (금속 (()	3.6W, 4.3W	8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)			30V	22A, 30A		5.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	22NC @ 10V		1037pf @ 15V	논리 논리 게이트
AOTF2610L	0.6710	RFQ	1888	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF2610		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1638-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		60 v	9A (TA), 35A (TC)	4.5V, 10V	10.7mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	2007 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 31W (TC)
AON7422E_101	-	RFQ	3217	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON742		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널		30 v	20A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	4.3MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 20V	2940 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 36W (TC)
AO4354_101	-	RFQ	7684	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO43		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	23A (TA)	4.5V, 10V	3.7mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	49 NC @ 10 v	± 20V	2010 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AoT440L	-	RFQ	8812	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	튜브	쓸모없는		구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT44				TO-220	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	50					-
AOTF66613L	1.6023	RFQ	6101	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF66613		MOSFET (금속 (()		TO-220F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AoTF66613L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		60 v	44.5A (TA), 90A (TC)	8V, 10V	2.5mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	5300 pf @ 30 v	-	8.3W (TA), 34.5W (TC)
AOT404	-	RFQ	3195	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT40		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		105 v	40A (TC)	6V, 10V	28mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 v	± 25V	2445 pf @ 25 v	-	100W (TC)
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AOK10N90	-	RFQ	2897	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOK10		MOSFET (금속 (()		TO-247	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	240		n 채널		900 v	10A (TC)	10V	980mohm @ 5a, 10V	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 30V	3160 pf @ 25 v	-	403W (TC)
aod6n50	0.3793	RFQ	9640	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD6		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		500 v	5.3A (TC)	10V	1.4ohm @ 2.5a, 10V	4.5V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 30V	670 pf @ 25 v	-	104W (TC)
AO4310	-	RFQ	9964	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO43		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		36 v	27A (TA)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	57 NC @ 10 v	± 20V	3900 pf @ 18 v	-	3.6W (TA)
AO4466L	-	RFQ	7788	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	9.4A (TA)	4.5V, 10V	23mohm @ 9.4a, 10V	3V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	820 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²