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트랜지스터 (2247)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AON3810	-	RFQ	4156	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	AON381		MOSFET (금속 (()	2.5W	8-DFN (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			20V	-		24mohm @ 7a, 10V	1V @ 250µA	5.2NC @ 4.5V		280pf @ 10V	논리 논리 게이트
AOE6932	0.7598	RFQ	4328	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	AOE693		MOSFET (금속 (()	24W, 52W	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널) 비대칭			30V	55A (TC), 85A (TC)		5MOHM @ 20A, 10V, 1.4MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA	15nc @ 4.5v, 50nc @ 4.5v		1150pf @ 15v, 4180pf @ 15v	-
AONR34332C	0.4969	RFQ	7087	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	AONR34332		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-Aonr34332ctr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	48A (TA), 50A (TC)	2.5V, 10V	1.8mohm @ 20a, 10V	1.2V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 12V	4175 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 83.3W (TC)
AONR26309A	0.1942	RFQ	6371	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AONR263		MOSFET (금속 (()	1.5W (TA), 7W (TC), 1.5W (TA), 20.8W (TC)	8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-Aonr26309atr	귀 99	8541.29.0095	5,000	n 일반 p 채널, 일반 배수 배수 (보완)			30V	6.5A (TA), 14A (TC), 5.7A (TA), 21A (TC)		20mohm @ 6.5a, 10v, 32mohm @ 5.7a, 10v	2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA	20NC @ 10V		600pf @ 15V, 1100pf @ 15V	기준
AOL1208	-	RFQ	8999	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	3-powersmd, 평평한 리드	AOL12		MOSFET (금속 (()		초음파 8 ™	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	11A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	1110 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AON6884L_002	-	RFQ	7479	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON688		MOSFET (금속 (()	21W	8-DFN (5x6)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			40V	34A (TC)		11.3MOHM @ 10A, 10V	2.7V @ 250µA	16nc @ 4.5v		1950pf @ 20V	-
AON6546	-	RFQ	2292	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON654		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	22A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1210 pf @ 15 v	-	5.5W (TA), 35.5W (TC)
AOSP66920	1.3100	RFQ	94	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AOSP669		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		100 v	13.5A (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 13.5a, 10V	2.5V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 20V	2500 pf @ 50 v	-	3.1W (TA)
AOB296L	-	RFQ	6162	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB296		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널		100 v	9.5A (TA), 70A (TC)	6V, 10V	9.7mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 20V	2785 pf @ 50 v	-	2.1W (TA), 107W (TC)
AO6401	-	RFQ	3676	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457	AO640		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO6401TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	5A (TA)	2.5V, 10V	47mohm @ 5a, 10V	1.3V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 12V	780 pf @ 15 v	-	2W (TA)
AO4496_101	-	RFQ	6354	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		30 v	10A (TA)	4.5V, 10V	19.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	715 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOB462L	-	RFQ	9028	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB462		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널		60 v	7A (TA), 35A (TC)	10V	17.7mohm @ 30a, 10V	4V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 100W (TC)
AON7401_101	-	RFQ	3379	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON740		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널		30 v	12A (TA), 35A (TC)	6V, 10V	14mohm @ 9a, 10V	3V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 25V	2600 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 29W (TC)
AOI514	-	RFQ	4430	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	AOI51		MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널		30 v	17A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5.9mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	1187 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AON6971	-	RFQ	4752	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SRFET ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	AON697		MOSFET (금속 (()	5W, 4.1W	8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)			30V	23a, 40a		5.7mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	23NC @ 10V		1010pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON7826	-	RFQ	3654	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON782		MOSFET (금속 (()	3.1W	8-DFN (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000	2 n 채널 (채널)			20V	9a		23mohm @ 9a, 10V	1.1V @ 250µA	15NC @ 10V		630pf @ 10V	논리 논리 게이트
AO4202_120	-	RFQ	5105	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO42		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	19A (TA)	4.5V, 10V	5.3mohm @ 19a, 10V	2.3V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	2200 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	3.1W (TA)
AOT20C60	-	RFQ	9474	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT20		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		600 v	20A (TC)	10V	250mohm @ 10a, 10V	5V @ 250µA	74 NC @ 10 v	± 30V	3440 pf @ 100 v	-	463W (TC)
AOK20B120E2	2.7846	RFQ	9007	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOK20	기준		250 W.	TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	240			600V, 20A, 15ohm, 15V												-	1200 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V, 20A	820µJ (OFF)	53.5 NC	-/123ns
AOT20B65M1	1.5339	RFQ	1363	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT20	기준		227 w	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1764	귀 99	8541.29.0095	1,000			400V, 20A, 15ohm, 15V											322 ns	-	650 v	40 a	60 a	2.15V @ 15V, 20A	470µJ (ON), 270µJ (OFF)	46 NC	26ns/122ns
AOKS40B65H1	3.9100	RFQ	124	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOKS40	기준		300 w	TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1760	귀 99	8541.29.0095	30			400V, 40A, 7.5ohm, 15V												-	650 v	80 a	120 a	2.4V @ 15V, 40A	1.27mj (on), 460µj (OFF)	63 NC	41ns/130ns
AONR21321	0.4600	RFQ	332	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AONR213		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널		30 v	24A (TC)	4.5V, 10V	16.5mohm @ 12a, 10V	2.3V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 25V	1180 pf @ 15 v	-	4.1W (TA), 24W (TC)
AOD9N50	1.1200	RFQ	4	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD9		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		500 v	9A (TC)	10V	860mohm @ 4.5a, 10V	4.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 30V	1160 pf @ 25 v	-	178W (TC)
AO6405_102	-	RFQ	8019	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457	AO640		MOSFET (금속 (()		6TSOP	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	5A (TA)	4.5V, 10V	52mohm @ 5a, 10V	2.4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	520 pf @ 15 v	-	2W (TA)
AO3162	0.4400	RFQ	5	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AO31		MOSFET (금속 (()		SOT-23A-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		600 v	34MA (TA)	10V	500ohm @ 16ma, 10V	4.1V @ 8µA	0.15 nc @ 10 v	± 30V	6 pf @ 25 v	-	1.39W (TA)
AOTF11S65L	2.5300	RFQ	1701	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF11		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		650 v	11A (TC)	10V	399mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	13.2 NC @ 10 v	± 30V	646 pf @ 100 v	-	31W (TC)
AO4611	1.2100	RFQ	25	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO461		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널			60V	-		25mohm @ 6.3a, 10V	3V @ 250µA	58NC @ 10V		2300pf @ 30V	논리 논리 게이트
AO6804A_101	-	RFQ	5089	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457	AO680		MOSFET (금속 (()	1.3W	6TSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			20V	5a		28mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		225pf @ 10V	논리 논리 게이트
AO3419_101	-	RFQ	6008	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				AO34					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000					3.5A (TA)
AOI1N60L	-	RFQ	7472	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	AOI1		MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	70		n 채널		600 v	1.3A (TC)	10V	9ohm @ 650ma, 10V	4.5V @ 250µA	8 nc @ 10 v	± 30V	160 pf @ 25 v	-	45W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²