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트랜지스터 (5716)
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 | IRFD110PBF | 1.6900 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD110 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFD110PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 100 v | 1A (TA) | 10V | 540mohm @ 600ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | |||||||
| TP0101K-T1-E3 | - | | 4158 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0101 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 580MA (TA) | 650mohm @ 580ma, 4.5v | 1V @ 50µA | 2.2 NC @ 4.5 v | - | ||||||||||||
 | sisha10dn-t1-ge3 | 0.9500 | | 1701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | Sisha10 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 25A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | +20V, -16V | 2425 pf @ 15 v | - | 3.6W (TA), 39W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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