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트랜지스터 (5716)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5476DU-T1-GE3 | 1.3200 |  | 664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5476 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 4.6a, 10V | 3V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 30 v | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
 | SI8404DB-T1-E1 | - | | 1558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8404 | MOSFET (금속 (() | 4 마이크로 푸드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 8 v | 12.2A (TC) | 1.8V, 4.5V | 31mohm @ 1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 33 NC @ 5 v | ± 5V | 1950 pf @ 4 v | - | 2.78W (TA), 6.25W (TC) | ||||
 | SIA922EDJ-T1-GE3 | - | | 8843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA922 | MOSFET (금속 (() | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 4.5A | 64mohm @ 3a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 12NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | IRFD9014 | - | | 3798 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9014 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFD9014 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 1.1A (TA) | 10V | 500mohm @ 660ma, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | |||
 | SI2312CDS-T1-GE3 | 0.4400 | | 158 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2312 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6A (TC) | 1.8V, 4.5V | 31.8mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 18 nc @ 5 v | ± 8V | 865 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||
 | sira74dp-t1-ge3 | 1.0100 | | 340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira74 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIRA74DP-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 24A (TA), 81.2A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 10A, 10V | 2.4V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | +20V, -16V | 2000 pf @ 20 v | - | 4.1W (TA), 46.2W (TC) | ||||
 | IRFR220TRRPBF | 1.5000 | | 129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR220 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 4.8A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SI7905DN-T1-E3 | - | | 1156 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7905 | MOSFET (금속 (() | 20.8W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 40V | 6A | 60mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 30NC @ 10V | 880pf @ 20V | - | |||||||
 | SIS488DN-T1-GE3 | 0.9700 | | 1255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS488 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1330 pf @ 20 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI7842DP-T1-GE3 | - | | 7603 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7842 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.3A | 22mohm @ 7.5a, 10V | 2.4V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SQM50N04-4M1_GE3 | 1.7194 | | 4441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM50 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 4.1MOHM @ 30A, 10V | 3.5V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 6715 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||
 | IRC530pbf | - | | 8346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-5 | IRC530 | MOSFET (금속 (() | TO-220-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRC530pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | 현재 현재 | 88W (TC) | |||
| SI2324DS-T1-GE3 | 0.6400 | | 55 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2324 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 2.3A (TC) | 10V | 234mohm @ 1.5a, 10V | 2.9V @ 250µA | 10.4 NC @ 10 v | ± 20V | 190 pf @ 50 v | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
 | SIHFR430ATRR-GE3 | 0.4263 | | 2810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHFR430 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHFR430ATRR-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.7ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 490 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||
 | irf9z24strlpbf | 1.3028 | | 9028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9Z24 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 60 v | 11A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
 | SIHG32N50D-E3 | 3.2990 | | 1527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG32 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 30A (TC) | 10V | 150mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 30V | 2550 pf @ 100 v | - | 390W (TC) | |||||
 | SI4816BDY-T1-GE3 | 1.6400 | | 2261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4816 | MOSFET (금속 (() | 1W, 1.25W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 5.8A, 8.2A | 18.5mohm @ 6.8a, 10V | 3V @ 250µA | 10nc @ 5v | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | SIHJ10N60E-T1-GE3 | 2.9500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIHJ10 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 360mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 784 pf @ 100 v | - | 89W (TC) | |||||
 | SIHF12N60E-GE3 | 2.8200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF12 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 937 pf @ 100 v | - | 33W (TC) | |||||
 | IRFU430APBF | 1.9500 | | 406 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU430 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFU430APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.7ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 490 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||
 | SI6966DQ-T1-E3 | - | | 2975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6966 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4a | 30mohm @ 4.5a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SIA910EDJ-T1-GE3 | 0.5900 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA910 | MOSFET (금속 (() | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 12V | 4.5A | 28mohm @ 5.2a, 4.5v | 1V @ 250µA | 16nc @ 8v | 455pf @ 6v | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | irli630g | - | | 7310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irli630 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irli630g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 6.2A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 3.7a, 5V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 10V | 1100 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
| IRFP21N60LPBF | 7.4000 | | 2747 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP21 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFP21N60LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 320mohm @ 13a, 10V | 5V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 30V | 4000 pf @ 25 v | - | 330W (TC) | ||||
| irfr014trr | - | | 7077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 7.7A (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| IRFI630G | - | | 1939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI630 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfi630g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 5.9A (TC) | 10V | 400mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
| SI7483ADP-T1-GE3 | - | | 4065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7483 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 24a, 10V | 3V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
| SI7463DP-T1-GE3 | 2.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7463 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 9.2mohm @ 18.6a, 10V | 3V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
| SIHFS11N50A-GE3 | 1.0490 | | 2748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHFS11 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 11A (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 30V | 1423 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||||
 | SIUD402ED-T1-GE3 | 0.4700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 0806 | siud402 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 0806 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 1A (TA) | 1.5V, 4.5V | 730mohm @ 200ma, 4.5v | 900MV @ 250µA | 1.2 NC @ 8 v | ± 8V | 16 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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