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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
IRFL014	-	RFQ	9780	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IRFL014	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFL014	귀 99	8541.29.0095	80		n 채널	60 v	2.7A (TC)	10V	200mohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	300 pf @ 25 v	-	2W (TA), 3.1W (TC)
SI2371EDS-T1-BE3	0.4300	RFQ	2886	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)		742-SI2371EDS-T1-BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	3.7A (TA), 4.8A (TC)	2.5V, 10V	45mohm @ 3.7a, 10V	1.5V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 12V		-	1W (TA), 1.7W (TC)
SI4214DDY-T1-E3	0.9600	RFQ	4356	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4214	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	8.5A		19.5mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	22NC @ 10V		660pf @ 15V	논리 논리 게이트
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IRL510S	-	RFQ	7784	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRL510	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRL510S	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	5.6A (TC)	4V, 5V	540mohm @ 3.4a, 5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 v	± 10V	250 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
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SI1563DH-T1-GE3	-	RFQ	8658	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1563	MOSFET (금속 (()	570MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	1.13a, 880ma		280mohm @ 1.13a, 4.5v	1V @ 100µA	2NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
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SI3460BDV-T1-GE3	0.9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3460	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	8A (TC)	1.8V, 4.5V	27mohm @ 5.1a, 4.5v	1V @ 250µA	24 nc @ 8 v	± 8V	860 pf @ 10 v	-	2W (TA), 3.5W (TC)
SI5853DC-T1-E3	-	RFQ	2132	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5853	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	2.7A (TA)	1.8V, 4.5V	110mohm @ 2.7a, 4.5v	1V @ 250µA	7.7 NC @ 4.5 v	± 8V		Schottky 분리 (다이오드)	1.1W (TA)
irf9510strl	-	RFQ	3181	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF9510	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	100 v	4A (TC)	10V	1.2ohm @ 2.4a, 10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 v	± 20V	200 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
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sir862dp-t1-ge3	0.6027	RFQ	4261	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir862	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	25 v	50A (TC)	4.5V, 10V	2.8mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 20V	3800 pf @ 10 v	-	5.2W (TA), 69W (TC)
SI1416EDH-T1-GE3	0.4700	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1416	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	3.9A (TC)	2.5V, 10V	58mohm @ 3.1a, 10V	1.4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 12V		-	2.8W (TC)
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sqj886ep-t1_ge3	1.5700	RFQ	1	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ886	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	60A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 15.3a, 10V	2.5V @ 250µA	65 nc @ 10 v	± 20V	2922 pf @ 20 v	-	55W (TC)
SI1300BDL-T1-GE3	-	RFQ	2563	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1300	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	400MA (TC)	2.5V, 4.5V	850mohm @ 250ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.84 nc @ 4.5 v	± 8V	35 pf @ 10 v	-	190MW (TA), 200MW (TC)
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SI7328DN-T1-GE3	0.9923	RFQ	7802	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7328	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	6.6mohm @ 18.9a, 10V	1.5V @ 250µA	31.5 nc @ 4.5 v	± 12V	2610 pf @ 15 v	-	3.78W (TA), 52W (TC)
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SI7945DP-T1-GE3	-	RFQ	7821	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7945	MOSFET (금속 (()	1.4W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		30V	7a		20mohm @ 10.9a, 10V	3V @ 250µA	74NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
SI4622DY-T1-GE3	-	RFQ	5712	Vishay Siliconix	Skyfet®, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4622	MOSFET (금속 (()	3.3W, 3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	8a		16mohm @ 9.6a, 10V	2.5V @ 1mA	60NC @ 10V		2458pf @ 15V	-
IRFP240	-	RFQ	4518	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP240	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFP240	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	200 v	20A (TC)	10V	180mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	150W (TC)
SI8467dB-T2-E1	-	RFQ	8463	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-XFBGA, CSPBGA	SI8467	MOSFET (금속 (()		4 마이크로 푸드	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	2.5A (TA)	2.5V, 4.5V	73mohm @ 1a, 4.5v	1.5V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 12V	475 pf @ 10 v	-	780MW (TA), 1.8W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²