SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj486ep-t1_ge3 1.2100
RFQ
ECAD 8810 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ486 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 30A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 51a, 10V 2.1V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1386 pf @ 15 v - 56W (TC)
SIHP125N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP125N60EF-GE3 4.7600
RFQ
ECAD 5247 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP125 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 1533 pf @ 100 v - 179W (TC)
IRFU4105ZTRR Vishay Siliconix irfu4105ztrr -
RFQ
ECAD 7684 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU4105 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 25 v - 48W (TC)
IRF610 Vishay Siliconix IRF610 -
RFQ
ECAD 3831 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF610 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF610 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 36W (TC)
SI4829DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4829DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7813 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4829 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 2A (TC) 2.5V, 4.5V 215mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 12V 210 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA), 3.1W (TC)
SQ4435EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4435EY-T1_GE3 1.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 15A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 2170 pf @ 15 v - 6.8W (TC)
SIHFL9014TR-GE3 Vishay Siliconix SIHFL9014TR-GE3 0.7900
RFQ
ECAD 3708 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA SIHFL9014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.8A (TC) 10V 500mohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI4435DDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4435DDY-T1-E3 0.7500
RFQ
ECAD 6676 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 11.4A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 9.1a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SI4942DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4942DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3872 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4942 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 5.3A 21mohm @ 7.4a, 10V 3V @ 250µA 32NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir872DP-T1-GE3 2.8600
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir872 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 53.7a (TC) 10V 18mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2130 pf @ 75 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI3434DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3434DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6851 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3434 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.6A (TA) 2.5V, 4.5V 34mohm @ 6.1a, 4.5v 600mv @ 1ma (min) 12 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.14W (TA)
SQJ459EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ459EP-T1_BE3 1.3300
RFQ
ECAD 9590 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj459ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 52A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 20V 4586 pf @ 30 v - 83W (TC)
SI5857DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5857DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7076 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5857 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 58mohm @ 3.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 12V 480 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2.3W (TA), 10.4W (TC)
SI2308DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2308DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9418 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2308 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 2a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 1.25W (TA)
SI4908DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4908DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7320 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4908 MOSFET (금속 (() 2.75W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 5a 60mohm @ 4.1a, 10V 2.2V @ 250µA 12NC @ 10V 355pf @ 20V -
SIHP6N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHP6N80E-GE3 1.1982
RFQ
ECAD 5445 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 5.4A (TC) 10V 940mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 30V 827 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRF820STRL Vishay Siliconix irf820strl -
RFQ
ECAD 4930 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF820 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SI3493BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3493BDV-T1-BE3 0.9600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3493BDV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7A (TA), 8A (TC) 1.8V, 4.5V 27.5mohm @ 7a, 4.5v 900MV @ 250µA 43.5 nc @ 5 v ± 8V 1805 pf @ 10 v - 2.08W (TA), 2.97W (TC)
SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2300DS-T1-GE3 0.4100
RFQ
ECAD 7492 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2300 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.6A (TC) 2.5V, 4.5V 68mohm @ 2.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 12V 320 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 1.7W (TC)
IRFR9024TRL Vishay Siliconix irfr9024trl -
RFQ
ECAD 9679 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI2316DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2316DS-T1-GE3 0.2741
RFQ
ECAD 2054 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2316 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.9A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.4a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 7 nc @ 10 v ± 20V 215 pf @ 15 v - 700MW (TA)
IRLZ14 Vishay Siliconix IRLZ14 -
RFQ
ECAD 8433 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLZ14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ14 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 10A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 43W (TC)
V30406-T1-GE3 Vishay Siliconix V30406-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5521 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v30406 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
SI4176DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4176DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7360 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4176 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 8.3a, 10V 2.2V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 5W (TC)
SIHP12N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHP12N50E-GE3 1.8600
RFQ
ECAD 971 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP12 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 10.5A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 886 pf @ 100 v - 114W (TC)
SI4126DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4126DY-T1-GE3 2.4800
RFQ
ECAD 4123 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4126 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 39A (TC) 4.5V, 10V 2.75mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4405 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
IRFSL31N20DTRR Vishay Siliconix irfsl31n20dtrr -
RFQ
ECAD 2953 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL31 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 31A (TC) 10V 82mohm @ 18a, 10V 5.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2370 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 200W (TC)
IRFR120TRL Vishay Siliconix irfr120trl -
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir680dp-t1-Re3 2.3000
RFQ
ECAD 9029 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir680 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 100A (TC) 7.5V, 10V 2.9mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 250µA 81 NC @ 7.5 v ± 20V 5150 pf @ 40 v - 104W (TC)
IRLL110PBF Vishay Siliconix irll110pbf -
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA irll110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 100 v 1.5A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 900ma, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고