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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SISS42LDN-T1-GE3 | 1.3000 |  | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS42 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 11.3A (TA), 39A (TC) | 4.5V, 10V | 14.9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 2058 pf @ 50 v | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||
 | SI2302CDS-T1-GE3 | 0.5100 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2302 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2.6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 57mohm @ 3.6a, 4.5v | 850MV @ 250µA | 5.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 710MW (TA) | |||||
 | SIS444DN-T1-GE3 | 0.3497 | | 1167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS444 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 10a, 10V | 2.3V @ 250µA | 102 NC @ 10 v | ± 20V | 3065 pf @ 15 v | - | 52W (TC) | ||||||
 | SI4470EY-T1-E3 | - | | 2790 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4470 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 9A (TA) | 6V, 10V | 11mohm @ 12a, 10V | 2V @ 250µA (Min) | 70 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.85W (TA) | |||||
 | IRFI730G | - | | 5850 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI730 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI730G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 3.7A (TC) | 10V | 1ohm @ 2.1a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
| IRFI520G | - | | 4610 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI520 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI520G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 7.2A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.3a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | |||
 | SI7880ADP-T1-GE3 | 2.0808 | | 4171 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7880 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 5600 pf @ 15 v | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | IRF830APBF | 1.5700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF830 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF830APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
 | SUM110N06-3M9H-E3 | - | | 8595 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM110 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 110A (TC) | 10V | 3.9mohm @ 30a, 10V | 4.5V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 15800 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | |||||
| SI4286DY-T1-GE3 | - | | 2105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4286 | MOSFET (금속 (() | 2.9W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 7a | 32.5mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10.5nc @ 10v | 375pf @ 20V | - | |||||||
 | SIHP150N60E-GE3 | 3.7200 | | 2067 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP150 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHP150N60E-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 22A (TC) | 10V | 155mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 30V | 1514 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | ||||
 | SI7629DN-T1-GE3 | 1.1100 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7629 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 35A (TC) | 2.5V, 10V | 4.6mohm @ 20a, 10V | 1.5V @ 250µA | 177 NC @ 10 v | ± 12V | 5790 pf @ 10 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRF840AS | - | | 8638 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF840AS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 1018 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
| IRF610PBF | 0.9300 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF610 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF610PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 3.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | ||||
| SI4511DY-T1-GE3 | - | | 6407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4511 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 20V | 7.2A, 4.6A | 14.5mohm @ 9.6a, 10V | 1.8V @ 250µA | 18NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
| SI4396DY-T1-E3 | - | | 2864 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4396 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 10a, 10V | 2.6V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1675 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
 | irl640L | - | | 9208 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | irl640 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL640L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 17A (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250µA | 66 NC @ 5 v | ± 10V | 1800 pf @ 25 v | - | - | |||
 | IRFPS43N50K | - | | 6544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | IRFPS43 | MOSFET (금속 (() | Super-247 ™ (TO-274AA) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFPS43N50K | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 47A (TC) | 10V | 90mohm @ 28a, 10V | 5V @ 250µA | 350 NC @ 10 v | ± 30V | 8310 pf @ 25 v | - | 540W (TC) | |||
| IRF9520SPBF | 1.6800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9520 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF9520SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 6.8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
| SI4559ADY-T1-E3 | 1.5600 | | 103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4559 | MOSFET (금속 (() | 3.1W, 3.4W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 60V | 5.3a, 3.9a | 58mohm @ 4.3a, 10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | 665pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | irfpf30pbf | 4.9000 | | 1859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPF30 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFPF30PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 900 v | 3.6A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||
 | SI3442BDV-T1-E3 | 0.5900 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3442 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 57mohm @ 4a, 4.5v | 1.8V @ 250µA | 5 nc @ 4.5 v | ± 12V | 295 pf @ 10 v | - | 860MW (TA) | |||||
| SI4164DY-T1-GE3 | 1.6300 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4164 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 3545 pf @ 15 v | - | 3W (TA), 6W (TC) | ||||
| SUM110N04-04-E3 | - | | 4463 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM110 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 110A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 6800 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 250W (TC) | |||||
| IRFS9N60ATRL | - | | 2136 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS9 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 9.2A (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||
| irl630strr | - | | 5852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl630 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 10V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| IRF737LC | - | | 2980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF737 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF737LC | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 6.1A (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 430 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
 | SIE816DF-T1-E3 | - | | 2616 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE816 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 10V | 7.4mohm @ 19.8a, 10V | 4.4V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 30 v | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | sqj968ep-t1_ge3 | 1.1000 | | 1792 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ968 | MOSFET (금속 (() | 42W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 23.5A (TC) | 33.6mohm @ 4.8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 18.5NC @ 10V | 714pf @ 30V | - | |||||||
| irfz48strl | - | | 1613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ48 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 190W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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