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트랜지스터 (5716)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7980DP-T1-E3 | - |  | 2807 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7980 | MOSFET (금속 (() | 19.8W, 21.9W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 교량) | 20V | 8a | 22mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 27NC @ 10V | 1010pf @ 10v | - | ||||||
 | IRF9640STRPBF | 3.4500 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9640 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 200 v | 11A (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
 | sir474dp-t1-re3 | 0.3517 | | 5084 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir474 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 985 pf @ 15 v | - | 29.8W (TC) | ||||||
| Sir182DP-T1-RE3 | 1.6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir182 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 7.5V, 10V | 2.8mohm @ 15a, 10V | 3.6V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 3250 pf @ 30 v | - | 69.4W (TC) | |||||
 | SI1054X-T1-E3 | - | | 3232 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1054 | MOSFET (금속 (() | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 1.32A (TA) | 1.8V, 4.5V | 95mohm @ 1.32a, 4.5v | 1V @ 250µA | 8.57 NC @ 5 v | ± 8V | 480 pf @ 6 v | - | 236MW (TA) | ||||
 | Siz250DT-T1-GE3 | 1.2100 | | 620 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz250 | MOSFET (금속 (() | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-PowerPair® (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 14A (TA), 38A (TC) | 12.2mohm @ 10a, 10V, 12.7mohm @ 10a, 10V | 2.4V @ 250µA | 21NC @ 10V | 840pf @ 30v, 790pf @ 30v | - | |||||||
 | sihp7n60e-be3 | 2.0900 | | 1036 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 680 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | |||||||
 | SIHH068N60E-T1-GE3 | 8.1500 | | 7837 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | SIHH068 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 34A (TC) | 10V | 68mohm @ 15a, 10V | 5V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 30V | 2650 pf @ 100 v | - | 202W (TC) | |||||
 | SIHG15N80AE-GE3 | 2.9700 | | 7367 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG15 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHG15N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 800 v | 13A (TC) | 10V | 350mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 30V | 1093 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | ||||
 | SiHA22N60EL-E3 | 2.2050 | | 5275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 엘자 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHA22 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 197mohm @ 11a, 10V | 5V @ 250µA | 74 NC @ 10 v | ± 30V | 1690 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | ||||||
 | SI4453DY-T1-E3 | - | | 7111 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4453 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 12 v | 10A (TA) | 1.8V, 4.5V | 6.5mohm @ 14a, 4.5v | 900MV @ 600µA | 165 NC @ 5 v | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SISH103DN-T1-GE3 | 0.9300 | | 3886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISH103 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 16A (TA), 54A (TC) | 4.5V, 10V | 155mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 30V | 2540 pf @ 15 v | - | 3.67W (TA), 41.6W (TC) | ||||||
 | SUD35N10-26P-BE3 | 2.1700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD35 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 12A (TA), 35A (TC) | 7V, 10V | 26mohm @ 12a, 10V | 4.4V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 2000 pf @ 12 v | - | 8.3W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SI7445DP-T1-GE3 | - | | 8147 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7445 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 12A (TA) | 1.8V, 4.5V | 7.7mohm @ 19a, 4.5v | 1V @ 250µA | 140 nc @ 5 v | ± 8V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | irfr9110trl | - | | 6310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | IRF614PBF | 0.7229 | | 4163 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF614 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF614PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 250 v | 2.7A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | ||||
| Si4483edy-T1-E3 | - | | 9257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4483 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 14a, 10V | 3V @ 250µA | ± 25V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRF720LPBF | 0.9577 | | 8626 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF720 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF720LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 3.3A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 410 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | SI2319DDS-T1-GE3 | 0.5000 | | 336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2319 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 2.7A (TA), 3.6A (TC) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 2.7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 650 pf @ 20 v | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | ||||
| SIHD3N50DT1-GE3 | 0.3563 | | 8575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD3 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHD3N50DT1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 500 v | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 175 pf @ 100 v | - | 69W (TC) | ||||
| SI7983DP-T1-GE3 | - | | 6834 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7983 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 7.7a | 17mohm @ 12a, 4.5v | 1V @ 600µA | 74NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | sihp30n60ael-ge3 | - | | 6312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 엘자 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP30 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 28A (TC) | 10V | 120mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 2565 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||
| SQ2319ADS-T1_BE3 | 0.6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2319 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 4.6A (TC) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 20 v | - | 2.5W (TC) | ||||||
| IRFR024TRPBF-BE3 | 1.2900 | | 1964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR024 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irfr024trpbf-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
| SUD23N06-31-GE3 | 0.9700 | | 1011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD23 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 21.4A (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 5.7W (TA), 31.25W (TC) | |||||
 | SIHG17N80AEF-GE3 | 3.2100 | | 7644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 742-SIHG17N80AEF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 800 v | 15A (TC) | 10V | 305mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 1300 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | |||||
 | SI5475DDC-T1-GE3 | - | | 7806 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5475 | MOSFET (금속 (() | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 6A (TC) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 5.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 50 nc @ 8 v | ± 8V | 1600 pf @ 6 v | - | 2.3W (TA), 5.7W (TC) | ||||
 | SI1471DH-T1-E3 | - | | 2677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1471 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.7A (TC) | 2.5V, 10V | 100mohm @ 2a, 10V | 1.6V @ 250µA | 9.8 nc @ 4.5 v | ± 12V | 445 pf @ 15 v | - | 1.5W (TA), 2.78W (TC) | ||||
 | SI5476DU-T1-E3 | - | | 1531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5476 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 4.6a, 10V | 3V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 30 v | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
| SI4156DY-T1-GE3 | 0.9400 | | 2125 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4156 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 24A (TC) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 15.7a, 10V | 2.2V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 6W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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