- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | irf630strr | - |  | 7897 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF630 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SI2309DS-T1-E3 | - | | 2239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2309 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 1.25A (TA) | 4.5V, 10V | 340mohm @ 1.25a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 12 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.25W (TA) | |||||
 | SI6423ADQ-T1-GE3 | 0.9400 | | 3532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6423 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 742-SI6423ADQ-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 10.3A (TA), 12.5A (TC) | 9.8mohm @ 10a, 4.5v | 1V @ 250µA | 168 NC @ 8 v | ± 8V | 5875 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA), 2.2W (TC) | ||||
 | sihu6n80ae-ge3 | 1.4400 | | 9011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | Sihu6 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 800 v | 5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 22.5 nc @ 10 v | ± 30V | 422 pf @ 100 v | - | 62.5W (TC) | |||||
 | IRF620L | - | | 5946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF620 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF620L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | - | ||||
| SI6926ADQ-T1-E3 | 0.9700 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6926 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4.1a | 30mohm @ 4.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 10.5nc @ 4.5v | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SI2325DS-T1-E3 | 1.0000 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2325 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 150 v | 530MA (TA) | 6V, 10V | 1.2ohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 510 pf @ 25 v | - | 750MW (TA) | ||||
 | SQ3427EV-T1_BE3 | 0.6900 | | 5932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sq3427ev-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 5.3A (TC) | 4.5V, 10V | 95mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1000 pf @ 30 v | - | 5W (TC) | |||||
| SIHB22N60S-E3 | - | | 7326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB22 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 22A (TC) | 10V | 190mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 30V | 2810 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||
 | SQJ570EP-T1_BE3 | 1.1000 | | 7498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ570 | MOSFET (금속 (() | 27W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj570ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 100V | 15A (TC), 9.5A (TC) | 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250µA | 15nc @ 10v, 20nc @ 10v | 600pf @ 25v, 650pf @ 25v | - | |||||||
 | SI7478DP-T1-GE3 | 2.8700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7478 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | sir4608dp-t1-ge3 | 1.1600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir4608 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 13.1A (TA), 42.8A (TC) | 7.5V, 10V | 11.8mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 740 pf @ 30 v | - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SI4447ADY-T1-GE3 | 0.5900 | | 6834 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4447 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 7.2A (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 970 pf @ 20 v | - | 4.2W (TC) | |||||
 | SI7958DP-T1-E3 | - | | 5656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7958 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 7.2A | 16.5mohm @ 11.3a, 10V | 3V @ 250µA | 75NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SUM60030E-GE3 | 1.9173 | | 7457 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum60030 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 80 v | 120A (TC) | 7.5V, 10V | 3.2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 141 NC @ 10 v | ± 20V | 7910 pf @ 40 v | - | 375W (TC) | |||||
 | irfr120tr | - | | 7774 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | IRLR110TRPBF-BE3 | 0.6321 | | 1917 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR110 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 742-irlr110trpbf-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 2.6a, 5v | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 v | ± 10V | 250 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||
 | SIHF5N50D-E3 | 1.3700 | | 9065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF5 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 5.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 100 v | - | 30W (TC) | |||||
| SI4411DY-T1-E3 | - | | 4276 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4411 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 9A (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13a, 10V | 3V @ 250µA | 65 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI7108DN-T1-E3 | 2.0000 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7108 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 22a, 10V | 2V @ 250µA | 30 nc @ 4.5 v | ± 16V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SI1912EDH-T1-E3 | - | | 2372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1912 | MOSFET (금속 (() | 570MW | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 1.13a | 280mohm @ 1.13a, 4.5v | 450MV @ 100µa (최소) | 1NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| irfr210trl | - | | 3499 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 2.6A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | IRF9640PBF-BE3 | 2.0400 | | 674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9640 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | 1 (무제한) | 742-IRF9640PBF-BE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 200 v | 11A (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
| SI7110DN-T1-GE3 | 2.1700 | | 8839 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7110 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 13.5A (TA) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 21.1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| SI7718DN-T1-GE3 | - | | 2744 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7718 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||
 | SIE860DF-T1-E3 | - | | 7189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (M) | SIE860 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (M) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 21.7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 15 v | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
| irf710strl | - | | 7749 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF710 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 2A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||
| SIHF35N60E-GE3 | 3.0870 | | 4995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF35 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 32A (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 132 NC @ 10 v | ± 30V | 2760 pf @ 100 v | - | 39W (TC) | |||||
 | SIS4608LDN-T1-GE3 | 0.9400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS4608 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 12.6A (TA), 36.2A (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 905 pf @ 30 v | - | 3.3W (TA), 27.1W (TC) | |||||
 | sqja60ep-t1_ge3 | 1.1100 | | 7855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJA60 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 45W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)