SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7115DN-T1-GE3 2.0800
RFQ
ECAD 239 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7115 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 8.9A (TC) 6V, 10V 295mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1190 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SUG90090E-GE3 Vishay Siliconix SUG90090E-GE3 4.3900
RFQ
ECAD 3066 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SUG90090 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 100A (TC) 7.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 129 NC @ 10 v ± 20V 5220 pf @ 100 v - 395W (TC)
SI5904DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5904DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3989 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5904 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 3.1a 75mohm @ 3.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI7102DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7102DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4332 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7102 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 35A (TC) 2.5V, 4.5V 3.8mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 110 nc @ 8 v ± 8V 3720 pf @ 6 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI7792DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7792DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6050 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7792 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40.6A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 2.1MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 4735 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 6.25W (TA), 104W (TC)
SIHG17N60D-E3 Vishay Siliconix SIHG17N60D-E3 2.4665
RFQ
ECAD 3025 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG17 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 340mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 30V 1780 pf @ 100 v - 277.8W (TC)
SIHP24N65E-E3 Vishay Siliconix SIHP24N65E-E3 5.7000
RFQ
ECAD 9372 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP24N65EE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
SQJ992EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj992ep-t2_ge3 0.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ992 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 15A (TC) 56.2mohm @ 3.7a, 10V 2.5V @ 250µA 12NC @ 10V 446pf @ 30v -
SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7655ADN-T1-GE3 0.9200
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SI7655 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 40A (TC) 2.5V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 1.1V @ 250µA 225 NC @ 10 v ± 12V 6600 pf @ 10 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SUM90P10-19L-E3 Vishay Siliconix SUM90P10-19L-E3 4.5100
RFQ
ECAD 9117 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 90A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 326 NC @ 10 v ± 20V 11100 pf @ 50 v - 13.6W (TA), 375W (TC)
SIE822DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE822DF-T1-GE3 2.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (S) SIE822 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (S) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 18.3a, 10V 3V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 4200 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
IRFBF30STRR Vishay Siliconix IRFBF30STRR -
RFQ
ECAD 8102 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBF30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir165DP-T1-GE3 1.6400
RFQ
ECAD 764 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir165 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 4930 pf @ 15 v - 69.4W (TC)
SQD90P04_9M4LT4GE3 Vishay Siliconix SQD90P04_9M4LT4GE3 0.6985
RFQ
ECAD 4113 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD90 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd90p04_9m4lt4ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 17a, 10V 2.5V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 6675 pf @ 20 v - 136W (TC)
IRL630STRLPBF Vishay Siliconix irl630strlpbf 1.5619
RFQ
ECAD 2476 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 9A (TC) 4V, 5V 400mohm @ 5.4a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SIE836DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE836DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9202 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (SH) SIE836 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (SH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 18.3A (TC) 10V 130mohm @ 4.1a, 10V 4.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 100 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
IRFD224 Vishay Siliconix IRFD224 -
RFQ
ECAD 1112 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD224 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFD224 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 250 v 630MA (TA) 10V 1.1ohm @ 380ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 1W (TA)
SQM120N06-3M5L_GE3 Vishay Siliconix SQM120N06-3M5L_GE3 4.2600
RFQ
ECAD 4672 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 29a, 10V 2.5V @ 250µA 330 nc @ 10 v ± 20V 14700 pf @ 25 v - 375W (TC)
SI1070X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1070X-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1070 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.2A (TA) 2.5V, 4.5V 99mohm @ 1.2a, 4.5v 1.55V @ 250µA 8.3 NC @ 5 v ± 12V 385 pf @ 15 v - 236MW (TA)
SQ4917EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4917EY-T1_GE3 1.8400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4917 MOSFET (금속 (() 5W (TC) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 60V 8A (TC) 48mohm @ 4.3a, 10V 2.5V @ 250µA 65NC @ 10V 1910pf @ 30v -
SUM120N04-1M7L-GE3 Vishay Siliconix SUM120N04-1M7L-GE3 -
RFQ
ECAD 2688 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Sum120 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 20V 11685 pf @ 20 v - 375W (TC)
SUD23N06-31L-T4-E3 Vishay Siliconix SUD23N06-31L-T4-E3 0.9800
RFQ
ECAD 4866 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD23 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 23A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3W (TA), 100W (TC)
SQ3425EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3425ev-t1_ge3 0.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3425 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.4A (TC) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 4.7a, 4.5v 1.4V @ 250µA 10.3 NC @ 4.5 v ± 12V 840 pf @ 10 v - 5W (TC)
SI4967DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4967DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4697 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4967 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V - 23mohm @ 7.5a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 55NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI2333DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2333DS-T1-GE3 0.8700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 4.1A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 5.3a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 8V 1100 pf @ 6 v - 750MW (TA)
IRFBC40PBF Vishay Siliconix IRFBC40PBF 2.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC40 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC40PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7938DP-T1-GE3 1.5500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7938 MOSFET (금속 (() 46W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 60a 5.8mohm @ 18.5a, 10V 2.5V @ 250µA 65NC @ 10V 2300pf @ 20V -
V30408-T1-GE3 Vishay Siliconix V30408-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6326 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v30408 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
SQJ202EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ202EP-T2_GE3 1.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ202 MOSFET (금속 (() 27W (TC), 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 다운로드 1 (무제한) 742-sqj202ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 12V 20A (TC), 60A (TC) 6.5mohm @ 15a, 10v, 3.3mohm @ 20a, 10v 2V @ 250µA 22NC @ 10V, 54NC @ 10V 975pf @ 6v, 2525pf @ 6v -
SI5486DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5486DU-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9141 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5486 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 12A (TC) 1.8V, 4.5V 15mohm @ 7.7a, 4.5v 1V @ 250µA 54 NC @ 8 v ± 8V 2100 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고