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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI7115DN-T1-GE3 | 2.0800 | ![]() | 239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7115 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 150 v | 8.9A (TC) | 6V, 10V | 295mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1190 pf @ 50 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | SUG90090E-GE3 | 4.3900 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SUG90090 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 200 v | 100A (TC) | 7.5V, 10V | 9.5mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 129 NC @ 10 v | ± 20V | 5220 pf @ 100 v | - | 395W (TC) | |||||
![]() | SI5904DC-T1-GE3 | - | ![]() | 3989 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5904 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 3.1a | 75mohm @ 3.1a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI7102DN-T1-GE3 | - | ![]() | 4332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7102 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 35A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.8mohm @ 15a, 4.5v | 1V @ 250µA | 110 nc @ 8 v | ± 8V | 3720 pf @ 6 v | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | SI7792DP-T1-GE3 | - | ![]() | 6050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® Gen III | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7792 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 40.6A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 v | ± 20V | 4735 pf @ 15 v | Schottky Diode (Body) | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
![]() | SIHG17N60D-E3 | 2.4665 | ![]() | 3025 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG17 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 10V | 340mohm @ 8a, 10V | 5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 30V | 1780 pf @ 100 v | - | 277.8W (TC) | |||||
![]() | SIHP24N65E-E3 | 5.7000 | ![]() | 9372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP24 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHP24N65EE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 v | ± 30V | 2740 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||
![]() | sqj992ep-t2_ge3 | 0.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ992 | MOSFET (금속 (() | 34W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 15A (TC) | 56.2mohm @ 3.7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12NC @ 10V | 446pf @ 30v | - | ||||||||
![]() | SI7655ADN-T1-GE3 | 0.9200 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SI7655 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 40A (TC) | 2.5V, 10V | 3.6MOHM @ 20A, 10V | 1.1V @ 250µA | 225 NC @ 10 v | ± 12V | 6600 pf @ 10 v | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||
![]() | SUM90P10-19L-E3 | 4.5100 | ![]() | 9117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM90 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 100 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 326 NC @ 10 v | ± 20V | 11100 pf @ 50 v | - | 13.6W (TA), 375W (TC) | |||||
![]() | SIE822DF-T1-GE3 | 2.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (S) | SIE822 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (S) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 18.3a, 10V | 3V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 4200 pf @ 10 v | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||
![]() | IRFBF30STRR | - | ![]() | 8102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBF30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 900 v | 3.6A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | Sir165DP-T1-GE3 | 1.6400 | ![]() | 764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir165 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 138 NC @ 10 v | ± 20V | 4930 pf @ 15 v | - | 69.4W (TC) | |||||
![]() | SQD90P04_9M4LT4GE3 | 0.6985 | ![]() | 4113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD90 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-sqd90p04_9m4lt4ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 17a, 10V | 2.5V @ 250µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 6675 pf @ 20 v | - | 136W (TC) | ||||
![]() | irl630strlpbf | 1.5619 | ![]() | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl630 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 10V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
![]() | SIE836DF-T1-GE3 | - | ![]() | 9202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (SH) | SIE836 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (SH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 18.3A (TC) | 10V | 130mohm @ 4.1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 30V | 1200 pf @ 100 v | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
![]() | IRFD224 | - | ![]() | 1112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD224 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRFD224 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 250 v | 630MA (TA) | 10V | 1.1ohm @ 380ma, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||||
![]() | SQM120N06-3M5L_GE3 | 4.2600 | ![]() | 4672 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM120 | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 29a, 10V | 2.5V @ 250µA | 330 nc @ 10 v | ± 20V | 14700 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||||
![]() | SI1070X-T1-GE3 | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1070 | MOSFET (금속 (() | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1.2A (TA) | 2.5V, 4.5V | 99mohm @ 1.2a, 4.5v | 1.55V @ 250µA | 8.3 NC @ 5 v | ± 12V | 385 pf @ 15 v | - | 236MW (TA) | ||||
![]() | SQ4917EY-T1_GE3 | 1.8400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4917 | MOSFET (금속 (() | 5W (TC) | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 60V | 8A (TC) | 48mohm @ 4.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 65NC @ 10V | 1910pf @ 30v | - | |||||||
![]() | SUM120N04-1M7L-GE3 | - | ![]() | 2688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | Sum120 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 285 NC @ 10 v | ± 20V | 11685 pf @ 20 v | - | 375W (TC) | |||||
![]() | SUD23N06-31L-T4-E3 | 0.9800 | ![]() | 4866 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD23 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 23A (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 100W (TC) | |||||
![]() | sq3425ev-t1_ge3 | 0.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3425 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 7.4A (TC) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 4.7a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 10.3 NC @ 4.5 v | ± 12V | 840 pf @ 10 v | - | 5W (TC) | |||||
![]() | SI4967DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4697 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4967 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 12V | - | 23mohm @ 7.5a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 55NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI2333DS-T1-GE3 | 0.8700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 4.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 5.3a, 4.5v | 1V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1100 pf @ 6 v | - | 750MW (TA) | ||||
IRFBC40PBF | 2.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFBC40PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | SI7938DP-T1-GE3 | 1.5500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7938 | MOSFET (금속 (() | 46W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 60a | 5.8mohm @ 18.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 65NC @ 10V | 2300pf @ 20V | - | |||||||
![]() | V30408-T1-GE3 | - | ![]() | 6326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | v30408 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | SQJ202EP-T2_GE3 | 1.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ202 | MOSFET (금속 (() | 27W (TC), 48W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj202ep-t2_ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 12V | 20A (TC), 60A (TC) | 6.5mohm @ 15a, 10v, 3.3mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250µA | 22NC @ 10V, 54NC @ 10V | 975pf @ 6v, 2525pf @ 6v | - | |||||||
![]() | SI5486DU-T1-E3 | - | ![]() | 9141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5486 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 12A (TC) | 1.8V, 4.5V | 15mohm @ 7.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 54 NC @ 8 v | ± 8V | 2100 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 31W (TC) |
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