SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI7368DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7368DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8238 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7368 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 13A (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 1.8V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 16V - 1.7W (TA)
SQ4064EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4064EY-T1_GE3 1.0500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4064 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 19.8mohm @ 6.1a, 10V 2.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 2096 pf @ 25 v - 6.8W (TC)
SUP60N06-12P-GE3 Vishay Siliconix SUP60N06-12P-GE3 -
RFQ
ECAD 5090 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup60 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 60A (TC) 10V 12MOHM @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 1970 pf @ 30 v - 3.25W (TA), 100W (TC)
SI8823EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8823EDB-T2-E1 0.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA SI8823 MOSFET (금속 (() 4 (® ® (0.8x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.7A (TC) 1.5V, 4.5V 95mohm @ 1a, 4.5v 800MV @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 580 pf @ 10 v - 900MW (TC)
IRFI9Z14GPBF Vishay Siliconix irfi9z14gpbf 2.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI9Z14GPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 5.3A (TC) 10V 500mohm @ 3.2a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 27W (TC)
SUP50N10-21P-GE3 Vishay Siliconix sup50n10-21p-ge3 -
RFQ
ECAD 3675 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP50 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 50A (TC) 6V, 10V 21mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 2055 PF @ 50 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFR210TRR Vishay Siliconix irfr210trr -
RFQ
ECAD 2954 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR210 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 2.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4532CDY-T1-GE3 0.6900
RFQ
ECAD 6205 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4532 MOSFET (금속 (() 2.78W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 6a, 4.3a 47mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 9NC @ 10V 305pf @ 15V -
SUD50P08-25L-BE3 Vishay Siliconix SUD50P08-25L-BE3 2.6900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 80 v 12.5A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 25.2MOHM @ 12.5A, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 40 v - 8.3W (TA), 136W (TC)
SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3457EV-T1_BE3 0.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3457 MOSFET (금속 (() 6TSOP - 1 (무제한) 742-sq3457ev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.8A (TC) 4.5V, 10V 65mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 705 pf @ 15 v - 5W (TC)
SI7108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7108DN-T1-GE3 2.0000
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7108 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 14A (TA) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 22a, 10V 2V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 16V - 1.5W (TA)
SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4431BDY-T1-GE3 1.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4431 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.7A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRF530STRL Vishay Siliconix irf530strl -
RFQ
ECAD 3263 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SI5905DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5905DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7957 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5905 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 8V 3A 90mohm @ 3a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 9NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQ3426CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3426CEV-T1_GE3 0.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1300 pf @ 30 v - 5W (TC)
SQ2361AEES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2361AEES-T1_GE3 0.6700
RFQ
ECAD 5979 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2361 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.8A (TC) 10V 170mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 620 pf @ 30 v - 2W (TC)
SUM60N02-3M9P-E3 Vishay Siliconix sum60n02-3m9p-e3 -
RFQ
ECAD 5979 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum60 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5950 pf @ 10 v - 3.75W (TA), 120W (TC)
SQ3427EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ3427EEV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3290 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3427 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5.5A (TC) 4.5V, 10V 82mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1125 pf @ 30 v - 5W (TC)
SIA453EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA453EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4234 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA453 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 24A (TC) 2.5V, 10V 18.5mohm @ 5a, 10V 1.4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 12V 1900 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI4174DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4174DY-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4174 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 985 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SIE800DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE800DF-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (S) SIE800 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (S) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 11a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
SIA438EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA438EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7516 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA438 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 3.9a, 4.5v 1.4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 350 pf @ 10 v - 2.4W (TA), 11.4W (TC)
SIZ730DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ730DT-T1-GE3 0.8300
RFQ
ECAD 175 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-PowerPair ™ Siz730 MOSFET (금속 (() 27W, 48W 6-PowerPair ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 16a, 35a 9.3mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 24NC @ 10V 830pf @ 15V 논리 논리 게이트
SUD50N06-07L-E3 Vishay Siliconix SUD50N06-07L-E3 -
RFQ
ECAD 2680 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 96A (TC) 4.5V, 10V 7.4mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 144 NC @ 10 v ± 20V 5800 pf @ 25 v - 136W (TC)
SI7489DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7489DP-T1-GE3 2.6700
RFQ
ECAD 8998 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7489 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 28A (TC) 4.5V, 10V 41mohm @ 7.8a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 50 v - 5.2W (TA), 83W (TC)
SI4348DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4348DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2016 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4348 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8A (TA) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.31W (TA)
SIR882BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir882BDP-T1-RE3 1.6100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir882 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 16.5A (TA), 67.5A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 3762 pf @ 50 v - 5W (TA), 83.3W (TC)
IRFR9120TRR Vishay Siliconix irfr9120trr -
RFQ
ECAD 7685 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ9945BEY-T1_GE3 1.1100
RFQ
ECAD 772 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ9945 MOSFET (금속 (() 4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 5.4A 64mohm @ 3.4a, 10V 2.5V @ 250µA 12NC @ 10V 470pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRL630 Vishay Siliconix irl630 -
RFQ
ECAD 8024 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 irl630 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL630 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 9A (TC) 4V, 5V 400mohm @ 5.4a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 1100 pf @ 25 v - 74W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고