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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI2342DS-T1-BE3	0.5100	RFQ	3935	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)		742-SI2342DS-T1-BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	8 v	6A (TA), 6A (TC)	1.2V, 4.5V	17mohm @ 7.2a, 4.5v	800MV @ 250µA	15.8 nc @ 4.5 v	± 5V	1070 pf @ 4 v	-	1.3W (TA), 2.5W (TC)
IRFP344PBF	-	RFQ	8743	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP344	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFP344PBF	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	450 v	9.5A (TC)	10V	630mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 25 v	-	150W (TC)
SI6924AEDQ-T1-E3	-	RFQ	2812	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6924	MOSFET (금속 (()	1W	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수		28V	4.1a		33mohm @ 4.6a, 4.5v	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI4947ADY-T1-GE3	-	RFQ	6959	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4947	MOSFET (금속 (()	1.2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		30V	3A		80mohm @ 3.9a, 10V	1V @ 250µA (Min)	8NC @ 5V		-	논리 논리 게이트
SI4158DY-T1-GE3	-	RFQ	6438	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4158	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	36.5A (TC)	4.5V, 10V	2.5mohm @ 20a, 10V	2.1V @ 250µA	132 NC @ 10 v	± 16V	5710 pf @ 10 v	-	3W (TA), 6W (TC)
IRF710PBF-BE3	1.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF710	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-irf710pbf-be3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	2A (TC)		3.6ohm @ 1.2a, 10V	4V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	170 pf @ 25 v	-	36W (TC)
SIHF22N60E-GE3	4.0300	RFQ	981	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHF22	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	21A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 v	± 30V	1920 pf @ 100 v	-	35W (TC)
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SIE802DF-T1-GE3	1.8574	RFQ	6635	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-Polarpak® (L)	SIE802	MOSFET (금속 (()		10-Polarpak® (L)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	1.9mohm @ 23.6a, 10V	2.7V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	7000 pf @ 15 v	-	5.2W (TA), 125W (TC)
SI1467DH-T1-E3	0.6700	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1467	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	2.7A (TC)	1.8V, 4.5V	90mohm @ 2a, 4.5v	1V @ 250µA	13.5 nc @ 4.5 v	± 8V	561 pf @ 10 v	-	1.5W (TA), 2.78W (TC)
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IRF640STRPBF	3.0900	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF640	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	18A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 130W (TC)
SI4684DY-T1-GE3	-	RFQ	8482	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4684	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	16A (TC)	4.5V, 10V	9.4mohm @ 16a, 10V	1.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 12V	2080 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 4.45W (TC)
SI4487DY-T1-GE3	-	RFQ	6315	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4487	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	11.6A (TC)	4.5V, 10V	20.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 25V	1075 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 5W (TC)
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SI1403BDL-T1-BE3	0.5300	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1403	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	1.4A (TA)		150mohm @ 1.5a, 4.5v	1.3V @ 250µA	4.5 nc @ 4.5 v	± 12V		-	568MW (TA)
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siha6n80e-ge3	2.5100	RFQ	6318	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHA6	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	800 v	5.4A (TC)	10V	940mohm @ 3a, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 30V	827 pf @ 100 v	-	31W (TC)
SI4442DY-T1-E3	3.1400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4442	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	15A (TA)	2.5V, 10V	4.5mohm @ 22a, 10V	1.5V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.6W (TA)
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SIS452DN-T1-GE3	-	RFQ	6025	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS452	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	12 v	35A (TC)	4.5V, 10V	3.25mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	1700 pf @ 6 v	-	3.8W (TA), 52W (TC)
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SISF02DN-T1-GE3	1.5600	RFQ	28	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SCD	SISF02	MOSFET (금속 (()	5.2W (TA), 69.4W (TC)	PowerPak® 1212-8SCD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수		25V	30.5A (TA), 60A (TC)		3.5mohm @ 7a, 10V	2.3V @ 250µA	56NC @ 10V		2650pf @ 10V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²