SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIHP24N65E-E3 Vishay Siliconix SIHP24N65E-E3 5.7000
RFQ
ECAD 9372 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP24N65EE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
SUM90P10-19L-E3 Vishay Siliconix SUM90P10-19L-E3 4.5100
RFQ
ECAD 9117 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 90A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 326 NC @ 10 v ± 20V 11100 pf @ 50 v - 13.6W (TA), 375W (TC)
IRFBF30STRR Vishay Siliconix IRFBF30STRR -
RFQ
ECAD 8102 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBF30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir165DP-T1-GE3 1.6400
RFQ
ECAD 764 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir165 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 4930 pf @ 15 v - 69.4W (TC)
SQD90P04_9M4LT4GE3 Vishay Siliconix SQD90P04_9M4LT4GE3 0.6985
RFQ
ECAD 4113 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD90 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd90p04_9m4lt4ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 17a, 10V 2.5V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 6675 pf @ 20 v - 136W (TC)
IRFBC40PBF Vishay Siliconix IRFBC40PBF 2.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC40 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC40PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI4967DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4967DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4697 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4967 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V - 23mohm @ 7.5a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 55NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI2333DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2333DS-T1-GE3 0.8700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 4.1A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 5.3a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 8V 1100 pf @ 6 v - 750MW (TA)
SIR800ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir800ADP-T1-RE3 0.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir800 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50.2A (TA), 177a (TC) 2.5V, 10V 1.35mohm @ 10a, 10V 1.5V @ 250µA 53 NC @ 10 v +12V, -8V 3415 pf @ 10 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
IRF840ASTRRPBF Vishay Siliconix IRF840AStPBF 3.1100
RFQ
ECAD 777 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF540S Vishay Siliconix IRF540S -
RFQ
ECAD 4807 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF540S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
IRF9520STRLPBF Vishay Siliconix IRF9520STRLPBF 2.1900
RFQ
ECAD 472 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRFZ48RPBF Vishay Siliconix IRFZ48RPBF 3.0900
RFQ
ECAD 984 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ48 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ48RPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRF9630STRL Vishay Siliconix irf9630strl -
RFQ
ECAD 8433 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 6.5A (TC) 10V 800mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3W (TA), 74W (TC)
IRF737LCL Vishay Siliconix IRF737LCL -
RFQ
ECAD 3745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF737 MOSFET (금속 (() i2pak - rohs 비준수 1 (무제한) *IRF737LCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 6.1A (TC) 10V 750mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 430 pf @ 25 v - -
SIHA12N60E-E3 Vishay Siliconix SIHA12N60E-E3 2.5300
RFQ
ECAD 929 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA12 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 937 pf @ 100 v - 33W (TC)
SISHA04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISHA04DN-T1-GE3 0.9500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH Sisha04 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30.9A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.15mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 77 NC @ 10 v +20V, -16V 3595 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIHB8N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHB8N50D-GE3 0.7765
RFQ
ECAD 3374 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB8 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8.7A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 527 pf @ 100 v - 156W (TC)
SIS496EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS496EDNT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS496 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1515 pf @ 15 v - 52W (TC)
SI4834CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4834CDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6914 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4834 MOSFET (금속 (() 2.9W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8a 20mohm @ 8a, 10V 3V @ 1mA 25NC @ 10V 950pf @ 15V -
SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5515CDC-T1-E3 0.8300
RFQ
ECAD 6506 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5515 MOSFET (금속 (() 3.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 4A (TC) 36mohm @ 6a, 4.5v 800MV @ 250µA 11.3NC @ 5V 632pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI2312BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3 0.5800
RFQ
ECAD 8630 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2312 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.9A (TA) 1.8V, 4.5V 31mohm @ 5a, 4.5v 850MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 8V - 750MW (TA)
SI4532ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2483 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4532 MOSFET (금속 (() 1.13W, 1.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 3.7a, 3a 53mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 16NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHP15N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHP15N80AE-GE3 2.6500
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP15 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHP15N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 13A (TC) 10V 350mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1093 pf @ 100 v - 156W (TC)
IRF9520 Vishay Siliconix IRF9520 -
RFQ
ECAD 6808 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9520 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 60W (TC)
SUD90330E-GE3 Vishay Siliconix SUD90330E-GE3 1.5800
RFQ
ECAD 4299 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD90330 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 35.8A (TC) 7.5V, 10V 37.5mohm @ 12.2a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1172 pf @ 100 v - 125W (TC)
SIHG052N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG052N60EF-GE3 6.7400
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG052 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 48A (TC) 10V 52mohm @ 23a, 10V 5V @ 250µA 101 NC @ 10 v ± 30V 3380 pf @ 100 v - 278W (TC)
SI9410BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9410BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3288 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9410 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6.2A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 8.1a, 10V 3V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIR5607DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5607dp-t1-Re3 2.7500
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 22.2A (TA), 90.9A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 112 NC @ 10 v ± 20V 5020 pf @ 30 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
IRLL110TRPBF Vishay Siliconix irll110trpbf 0.9300
RFQ
ECAD 4941 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA irll110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.5A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 900ma, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고