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![]() | SI9410BDY-T1-E3 | - | ![]() | 3288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9410 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 6.2A (TA) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 8.1a, 10V | 3V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
![]() | sir5607dp-t1-Re3 | 2.7500 | ![]() | 5017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 22.2A (TA), 90.9A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 2.6V @ 250µA | 112 NC @ 10 v | ± 20V | 5020 pf @ 30 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||
![]() | irll110trpbf | 0.9300 | ![]() | 4941 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | irll110 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 1.5A (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 900ma, 5V | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 v | ± 10V | 250 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) |
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