SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SIHA20N50E-E3 Vishay Siliconix siha20n50e-e3 2.9400
RFQ
ECAD 6914 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA20 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 19A (TC) 10V 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 34W (TC)
SIHB4N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHB4N80E-GE3 1.1723
RFQ
ECAD 9370 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB4 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.3A (TC) 10V 1.27ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 622 pf @ 100 v - 69W (TC)
SI4128BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4128BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3203 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 SI4128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 8.3A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V ± 25V
IRLZ34SPBF Vishay Siliconix IRLZ34SPBF 2.1700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ34 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 18a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SUP40P10-43-GE3 Vishay Siliconix SUP40P10-43-GE3 -
RFQ
ECAD 6733 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup40 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 100 v 36A (TC) 4.5V, 10V 43mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 50 v - 2W (TA), 125W (TC)
IRF9510STRR Vishay Siliconix irf9510strr -
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRFBC30ASTRLPBF Vishay Siliconix irfbc30astrlpbf 2.9100
RFQ
ECAD 789 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRFIBC40GPBF Vishay Siliconix IRFIBC40GPBF 3.9000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFIBC40 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFIBC40GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 40W (TC)
SIHH125N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH125N60EF-T1GE3 6.3400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH125 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 23A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 1533 pf @ 100 v - 156W (TC)
SI4636DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4636DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9041 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4636 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 16V 2635 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 4.4W (TC)
2N4861JTX02 Vishay Siliconix 2N4861JTX02 -
RFQ
ECAD 1010 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4861 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SI1539DDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1539DDL-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5973 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1539 MOSFET (금속 (() 340MW SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 700ma (TC), 460ma (TC) 388mohm @ 600ma, 10v, 1.07ohm @ 400ma, 10v 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA 1.1nc @ 4.5v, 1.2nc @ 4.5v 28pf @ 15v, 21pf @ 15v -
SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA418DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9866 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA418 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 9a, 10V 2.4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 570 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI7392DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7392DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1842 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7392 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 9.75mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SQA403EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA403EJ-T1_GE3 0.6300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SQA403 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1880 pf @ 10 v - 13.6W (TC)
SI3457BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3457BDV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7146 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.7A (TA) 4.5V, 10V 54mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SIHG22N50D-E3 Vishay Siliconix SIHG22N50D-E3 3.9700
RFQ
ECAD 3200 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 230mohm @ 11a, 10V 5V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 30V 1938 pf @ 100 v - 312W (TC)
2N5433-E3 Vishay Siliconix 2N5433-E3 -
RFQ
ECAD 9032 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AC, TO-52-3 금속 캔 2N5433 300MW TO-206AC (TO-52) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 30pf @ 0v 25 v 100 ma @ 15 v 3 V @ 3 NA
SIHU5N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHU5N50D-GE3 1.0400
RFQ
ECAD 2754 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA SIHU5 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 5.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 325 pf @ 100 v - 104W (TC)
SIZ728DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz728DT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4950 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-PowerPair ™ Siz728 MOSFET (금속 (() 27W, 48W 6-PowerPair ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 25V 16a, 35a 7.7mohm @ 18a, 10V 2.2V @ 250µA 26NC @ 10V 890pf @ 12.5v 논리 논리 게이트
SUP90140E-GE3 Vishay Siliconix SUP90140E-GE3 3.3400
RFQ
ECAD 3159 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90140 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 90A (TC) 7.5V, 10V 17mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 20V 4132 pf @ 100 v - 375W (TC)
SI7485DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7485DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9839 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7485 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12.5A (TA) 7.3mohm @ 20a, 4.5v 900mv @ 1ma 150 nc @ 5 v -
IRCZ34PBF Vishay Siliconix IRCZ34PBF -
RFQ
ECAD 5175 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRCZ34 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRCZ34PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v 현재 현재 88W (TC)
SIJ450DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ450DP-T1-GE3 1.3900
RFQ
ECAD 1003 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 36A (TA), 113A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 10a, 10V 2.3V @ 250µA 114 NC @ 10 v +20V, -16V 5920 pf @ 20 v - 4.8W (TA), 48W (TC)
SIA912DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA912DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA912 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 12V 4.5A 4.2A, 4.5V 40mohm 1V @ 250µA 11.5NC @ 8V 400pf @ 6v 논리 논리 게이트
SQM40016EM_GE3 Vishay Siliconix SQM40016EM_GE3 3.0900
RFQ
ECAD 8666 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) SQM40016 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 250A (TC) 10V 1MOHM @ 40A, 10V 3.5V @ 250µA 245 NC @ 10 v ± 20V 15000 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFR014TRLPBF Vishay Siliconix irfr014trlpbf 1.5900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7145DP-T1-GE3 2.2900
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7145 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 25a, 10V 2.3V @ 250µA 413 NC @ 10 v ± 20V 15660 pf @ 15 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SIHB22N60ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60ET5-GE3 2.5796
RFQ
ECAD 9425 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB22 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 227W (TC)
SIHP21N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP21N65EF-GE3 4.6600
RFQ
ECAD 3994 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP21 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 20V 2322 pf @ 100 v - 208W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고