전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | siha20n50e-e3 | 2.9400 | ![]() | 6914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHA20 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 19A (TC) | 10V | 184mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 92 NC @ 10 v | ± 30V | 1640 pf @ 100 v | - | 34W (TC) | ||||||||
![]() | SIHB4N80E-GE3 | 1.1723 | ![]() | 9370 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB4 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 4.3A (TC) | 10V | 1.27ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 622 pf @ 100 v | - | 69W (TC) | ||||||||
![]() | SI4128BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 3203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | SI4128 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 8.3A (TA), 12A (TC) | 4.5V, 10V | ± 25V | |||||||||||||||||||||
![]() | IRLZ34SPBF | 2.1700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRLZ34 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 5 v | ± 10V | 1600 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||||||
SUP40P10-43-GE3 | - | ![]() | 6733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup40 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | p 채널 | 100 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 43mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 4600 pf @ 50 v | - | 2W (TA), 125W (TC) | ||||||||
![]() | irf9510strr | - | ![]() | 5377 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9510 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 100 v | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||||
![]() | irfbc30astrlpbf | 2.9100 | ![]() | 789 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 510 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||||||
![]() | IRFIBC40GPBF | 3.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFIBC40 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFIBC40GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 3.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.1a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||||||
![]() | SIHH125N60EF-T1GE3 | 6.3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | SIHH125 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 23A (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10V | 5V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 30V | 1533 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | ||||||||
![]() | SI4636DY-T1-GE3 | - | ![]() | 9041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4636 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 17A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 16V | 2635 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 4.4W (TC) | |||||||
![]() | 2N4861JTX02 | - | ![]() | 1010 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4861 | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||
![]() | SI1539DDL-T1-GE3 | - | ![]() | 5973 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1539 | MOSFET (금속 (() | 340MW | SC-70-6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 30V | 700ma (TC), 460ma (TC) | 388mohm @ 600ma, 10v, 1.07ohm @ 400ma, 10v | 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA | 1.1nc @ 4.5v, 1.2nc @ 4.5v | 28pf @ 15v, 21pf @ 15v | - | ||||||||||
![]() | SIA418DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 9866 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA418 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 9a, 10V | 2.4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||||||
![]() | SI7392DP-T1-E3 | - | ![]() | 1842 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7392 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 9A (TA) | 4.5V, 10V | 9.75mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.8W (TA) | ||||||||
![]() | SQA403EJ-T1_GE3 | 0.6300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SQA403 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 10A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1880 pf @ 10 v | - | 13.6W (TC) | ||||||||
![]() | SI3457BDV-T1-GE3 | - | ![]() | 7146 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3457 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 3.7A (TA) | 4.5V, 10V | 54mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||||
![]() | SIHG22N50D-E3 | 3.9700 | ![]() | 3200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG22 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 22A (TC) | 10V | 230mohm @ 11a, 10V | 5V @ 250µA | 98 NC @ 10 v | ± 30V | 1938 pf @ 100 v | - | 312W (TC) | ||||||||
![]() | 2N5433-E3 | - | ![]() | 9032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AC, TO-52-3 금속 캔 | 2N5433 | 300MW | TO-206AC (TO-52) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 200 | n 채널 | 30pf @ 0v | 25 v | 100 ma @ 15 v | 3 V @ 3 NA | |||||||||||||
![]() | SIHU5N50D-GE3 | 1.0400 | ![]() | 2754 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | SIHU5 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 500 v | 5.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | ||||||||
![]() | Siz728DT-T1-GE3 | - | ![]() | 4950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-PowerPair ™ | Siz728 | MOSFET (금속 (() | 27W, 48W | 6-PowerPair ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 교량) | 25V | 16a, 35a | 7.7mohm @ 18a, 10V | 2.2V @ 250µA | 26NC @ 10V | 890pf @ 12.5v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||
SUP90140E-GE3 | 3.3400 | ![]() | 3159 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup90140 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 90A (TC) | 7.5V, 10V | 17mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 20V | 4132 pf @ 100 v | - | 375W (TC) | |||||||||
![]() | SI7485DP-T1-E3 | - | ![]() | 9839 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7485 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 12.5A (TA) | 7.3mohm @ 20a, 4.5v | 900mv @ 1ma | 150 nc @ 5 v | - | ||||||||||||
![]() | IRCZ34PBF | - | ![]() | 5175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-5 | IRCZ34 | MOSFET (금속 (() | TO-220-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRCZ34PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | 현재 현재 | 88W (TC) | ||||||
SIJ450DP-T1-GE3 | 1.3900 | ![]() | 1003 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 45 v | 36A (TA), 113A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 10a, 10V | 2.3V @ 250µA | 114 NC @ 10 v | +20V, -16V | 5920 pf @ 20 v | - | 4.8W (TA), 48W (TC) | ||||||||||
![]() | SIA912DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 9611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA912 | MOSFET (금속 (() | 6.5W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 12V | 4.5A | 4.2A, 4.5V 40mohm | 1V @ 250µA | 11.5NC @ 8V | 400pf @ 6v | 논리 논리 게이트 | |||||||||
SQM40016EM_GE3 | 3.0900 | ![]() | 8666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | SQM40016 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 250A (TC) | 10V | 1MOHM @ 40A, 10V | 3.5V @ 250µA | 245 NC @ 10 v | ± 20V | 15000 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||
![]() | irfr014trlpbf | 1.5900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 7.7A (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||
![]() | SI7145DP-T1-GE3 | 2.2900 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7145 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 25a, 10V | 2.3V @ 250µA | 413 NC @ 10 v | ± 20V | 15660 pf @ 15 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
![]() | SIHB22N60ET5-GE3 | 2.5796 | ![]() | 9425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB22 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 30V | 1920 pf @ 100 v | - | 227W (TC) | |||||||||
SIHP21N65EF-GE3 | 4.6600 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP21 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 21A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 106 NC @ 10 v | ± 20V | 2322 pf @ 100 v | - | 208W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고