전화 : +86-0755-83501315
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
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![]() | SI3456CDV-T1-GE3 | - | ![]() | 9267 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 7.7A (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 6.1a, 10V | 3V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 460 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 3.3W (TC) | ||||
![]() | SQS160ELNW-T1_GE3 | 1.0400 | ![]() | 5954 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | PowerPak® 1212-8SLW | SQS160 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SLW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 141A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 20V | 3866 pf @ 25 v | - | 113W (TC) | |||||
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