SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIR800DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir800dp-t1-Re3 0.7090
RFQ
ECAD 8957 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir800 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 2.5V, 10V 2.3mohm @ 15a, 10V 1.5V @ 250µA 133 NC @ 10 v ± 12V 5125 pf @ 10 v - 69W (TC)
SI8405DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8405DB-T1-E1 -
RFQ
ECAD 9954 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8405 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 3.6A (TA) 1.8V, 4.5V 55mohm @ 1a, 4.5v 950MV @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.47W (TA)
SIS478DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS478DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS478 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 25V 398 pf @ 15 v - 15.6W (TC)
SQM60030E_GE3 Vishay Siliconix SQM60030E_GE3 3.8400
RFQ
ECAD 9254 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM60030 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 165 NC @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 25 v - 375W (TC)
SIHG155N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG155N60EF-GE3 4.5500
RFQ
ECAD 7320 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG155 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 742-SIHG155N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 149mohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1465 pf @ 100 v - 179W (TC)
SI4862DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4862DY-T1-E3 1.6758
RFQ
ECAD 6470 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4862 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 16 v 17A (TA) 2.5V, 4.5V 3.3mohm @ 25a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 70 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.6W (TA)
SI2318DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2318DS-T1-BE3 0.5300
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2318DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 3A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 20 v - 750MW (TA)
IRFR220TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR220TRPBF-BE3 0.6674
RFQ
ECAD 3024 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr220trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 4.8A (TC) 10V 800mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHB11N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB11N80AE-GE3 2.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHB11N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 804 pf @ 100 v - 78W (TC)
SIHFR420A-GE3 Vishay Siliconix SIHFR420A-GE3 0.3624
RFQ
ECAD 9283 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHFR420 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHFR420A-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3.3A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 3400 pf @ 25 v - 83W (TC)
IRFR210TRRPBF Vishay Siliconix irfr210trrpbf 0.5880
RFQ
ECAD 8328 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR210 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 2.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SUM120N04-1M7L-GE3 Vishay Siliconix SUM120N04-1M7L-GE3 -
RFQ
ECAD 2688 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Sum120 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 20V 11685 pf @ 20 v - 375W (TC)
SQ4917EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4917EY-T1_GE3 1.8400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4917 MOSFET (금속 (() 5W (TC) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 60V 8A (TC) 48mohm @ 4.3a, 10V 2.5V @ 250µA 65NC @ 10V 1910pf @ 30v -
SISHA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix Sisha18ADN-T1-GE3 0.8100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v +20V, -16V 1650 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 26.5W (TC)
IRFBC30STRL Vishay Siliconix irfbc30strl -
RFQ
ECAD 7558 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI5943DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5943DU-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5943 MOSFET (금속 (() 8.3W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 6A 64mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 15nc @ 8v 460pf @ 6v 논리 논리 게이트
SI3443CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3443CDV-T1-GE3 0.5400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3443 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.97A (TC) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 4.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12.4 NC @ 5 v ± 12V 610 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.2W (TC)
SIA449DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA449DJ-T1-GE3 0.4600
RFQ
ECAD 1183 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA449 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TC) 2.5V, 10V 20mohm @ 6a, 10V 1.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 12V 2140 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI5476DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5476DU-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1531 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5476 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 4.6a, 10V 3V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 30 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SI4156DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4156DY-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 2125 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4156 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 24A (TC) 4.5V, 10V 6ohm @ 15.7a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 6W (TC)
SI3407DV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3407DV-T1-BE3 0.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3407 MOSFET (금속 (() 6TSOP - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.5A (TA), 8A (TC) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 7.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 12V 1670 pf @ 10 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SI5475DDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5475DDC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7806 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5475 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6A (TC) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 5.4a, 4.5v 1V @ 250µA 50 nc @ 8 v ± 8V 1600 pf @ 6 v - 2.3W (TA), 5.7W (TC)
SIHF080N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHF080N60E-GE3 4.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 742-SIHF080N60E-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 14A (TC) 10V 80mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2557 pf @ 100 v - 35W (TC)
SI3447CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3447CDV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8328 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3447 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 7.8A (TC) 1.8V, 4.5V 36mohm @ 6.3a, 4.5v 1V @ 250µA 30 nc @ 8 v ± 8V 910 pf @ 6 v - 2W (TA), 3W (TC)
IRFI840GLC Vishay Siliconix IRFI840GLC -
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI840 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI840GLC 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 850mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 40W (TC)
SI3456CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3456CDV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9267 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3456 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.7A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 6.1a, 10V 3V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 460 pf @ 15 v - 2W (TA), 3.3W (TC)
SQS160ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS160ELNW-T1_GE3 1.0400
RFQ
ECAD 5954 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW SQS160 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 141A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 3866 pf @ 25 v - 113W (TC)
SIS176LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS176LDN-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 70 v 12.9A (TA), 42.3a (TC) 3.3V, 4.5V 10.9mohm @ 10a, 4.5v 1.6V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 12V 1660 pf @ 35 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
IRFIBC40GLC Vishay Siliconix IRFIBC40GLC -
RFQ
ECAD 3335 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFIBC40 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFIBC40GLC 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 3.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 40W (TC)
SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIUD406ED-T1-GE3 0.4500
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 0806 siud406 MOSFET (금속 (() PowerPak® 0806 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 500MA (TA) 1.8V, 4.5V 1.46ohm @ 200ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 8V 17 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고