SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI3424CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3424CDV-T1-GE3 0.5400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3424 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 7.2a, 10V 2.5V @ 250µA 12.5 nc @ 10 v ± 20V 405 pf @ 15 v - 3.6W (TC)
SI7222DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7222DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8318 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7222 MOSFET (금속 (() 17.8W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A 42mohm @ 5.7a, 10V 1.6V @ 250µA 29NC @ 10V 700pf @ 20V -
IRFSL9N60ATRR Vishay Siliconix irfsl9n60atrr -
RFQ
ECAD 3900 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL9 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
SQ3418EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3418EV-T1_BE3 0.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-sq3418ev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 12.7 NC @ 10 v ± 20V 678 pf @ 20 v - 5W (TC)
IRF1405ZTRR Vishay Siliconix IRF1405ZTRR -
RFQ
ECAD 6957 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF1405 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 4.9mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 4780 pf @ 25 v - 230W (TC)
SQJA96EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja96ep-t1_ge3 1.0600
RFQ
ECAD 4176 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA96 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 30A (TC) 10V 21.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 48W (TC)
SI4628DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4628DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8167 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4628 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 38A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 87 NC @ 10 v ± 20V 3450 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SQD50P06-15L_GE3 Vishay Siliconix SQD50P06-15L_GE3 2.9400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 17a, 10V 2.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 5910 pf @ 25 v - 136W (TC)
SQA602CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa602cejw-t1_ge3 0.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 5.63A (TC) 4.5V, 10V 94mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 355 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SQM120N02-1M3L_GE3 Vishay Siliconix SQM120N02-1M3L_GE3 1.8981
RFQ
ECAD 9857 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.3mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250µA 290 NC @ 10 v ± 20V 14500 pf @ 10 v - 375W (TC)
SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2374DS-T1-GE3 0.4800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2374 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 4.5A (TA), 5.9A (TC) 1.8V, 4.5V 30mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 8V 735 pf @ 10 v - 960MW (TA), 1.7W (TC)
SUD08P06-155L-E3 Vishay Siliconix SUD08P06-155L-E3 -
RFQ
ECAD 8264 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD08 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 8.4A (TC) 4.5V, 10V 155mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 2W (TA), 25W (TC)
IRF840PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF840PBF-BE3 1.9400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf840pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI7464DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7464DP-T1-E3 1.8900
RFQ
ECAD 1559 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7464 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 1.8A (TA) 6V, 10V 240mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V - 1.8W (TA)
SI7414DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7414DN-T1-E3 1.5500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7414 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 5.6A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 8.7a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SUD40N02-3M3P-E3 Vishay Siliconix SUD40N02-3M3P-E3 -
RFQ
ECAD 5722 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 24.4A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 6520 pf @ 10 v - 3.3W (TA), 79W (TC)
IRFZ30PBF Vishay Siliconix IRFZ30PBF -
RFQ
ECAD 3560 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ30PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 50 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRFI9630GPBF Vishay Siliconix IRFI9630GPBF 2.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9630 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI9630GPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 200 v 4.3A (TC) 10V 800mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 35W (TC)
SIDR680ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR680ADP-T1-RE3 2.4900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR680 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC - 1 (무제한) 742-SIDR680ADP-T1-RE3DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 30.7A (TA), 137A (TC) 7.5V, 10V 2.88mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 83 NC @ 10 v ± 20V 4415 pf @ 40 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SIA421DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA421DJ-T1-GE3 1.0000
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA421 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 950 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SQM40N15-38_GE3 Vishay Siliconix SQM40N15-38_GE3 2.8300
RFQ
ECAD 1040 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM40 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 40A (TC) 6V, 10V 38mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3390 pf @ 25 v - 166W (TC)
SI1539DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1539DL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4817 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1539 MOSFET (금속 (() 270MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 540MA, 420MA 480mohm @ 590ma, 10V 2.6V @ 250µA 1.4NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI6955ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6955ADQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5918 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6955 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 2.5A 80mohm @ 2.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 8NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SIHA30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix siha30n60ael-ge3 -
RFQ
ECAD 6319 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA30 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 28A (TC) 10V 120mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 2565 pf @ 100 v - 39W (TC)
SUD06N10-225L-E3 Vishay Siliconix SUD06N10-225L-E3 -
RFQ
ECAD 2256 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD06 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 6.5A (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 4 NC @ 5 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 1.25W (TA), 20W (TC)
SISB46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISB46DN-T1-GE3 0.8900
RFQ
ECAD 2041 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SISB46 MOSFET (금속 (() 23W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 34A (TC) 11.71MOHM @ 5A, 10V 2.2V @ 250µA 11nc @ 4.5v 1100pf @ 20V -
SI7160DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7160DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7774 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7160 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 16V 2970 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.7W (TC)
SI2347DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2347DS-T1-GE3 0.4300
RFQ
ECAD 246 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2347 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 705 pf @ 15 v - 1.7W (TC)
SI4910DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4910DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4447 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4910 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 7.6a 27mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 32NC @ 10V 855pf @ 20V -
SQ2351ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2351ES-T1_GE3 0.6000
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2351 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.2A (TC) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 12V 330 pf @ 10 v - 2W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고