SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SISS54DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS54DN-T1-GE3 1.5700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 51.1A (TA), 185.6a (TC) 4.5V, 10V 1.06MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 72 NC @ 10 v +16V, -12V 3450 pf @ 15 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SIUD403ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIUD403ED-T1-GE3 0.3800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 0806 SIUD403 MOSFET (금속 (() PowerPak® 0806 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 500MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.25ohm @ 300ma, 4.5v 900MV @ 250µA 1 NC @ 4.5 v ± 8V 31 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
IRL630STRRPBF Vishay Siliconix irl630strrpbf 2.6300
RFQ
ECAD 4300 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 9A (TC) 4V, 5V 400mohm @ 5.4a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRF9530 Vishay Siliconix IRF9530 -
RFQ
ECAD 8795 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9530 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9530 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 12A (TC) 10V 300mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 88W (TC)
SIDR392DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIDR392DP-T1-GE3 2.7200
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR392 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 82A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 0.62MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 188 NC @ 10 v +20V, -16V 9530 pf @ 15 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
IRFR224TRLPBF Vishay Siliconix irfr224trlpbf 0.7088
RFQ
ECAD 7938 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR224 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 3.8A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFR9110 Vishay Siliconix IRFR9110 -
RFQ
ECAD 8679 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR9110 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 3.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRC540PBF Vishay Siliconix IRC540PBF -
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRC540 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRC540pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v 현재 현재 150W (TC)
SI4712DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4712DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6991 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4712 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 14.6A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 28 nc @ 10 v ± 20V 1084 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SIA4371EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA4371EDJ-T1-GE3 0.5300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIA4371EDJ-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.4A (TA), 9A (TC) 2.5V, 10V 45mohm @ 3.7a, 10V 1.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 12V - 2.9W (TA), 15.6W (TC)
SI7983DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7983DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5701 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7983 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 7.7a 17mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 600µA 74NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4434ADY-T1-GE3 2.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4434 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 2.8A (TA), 4.1A (TC) 7.5V, 10V 150mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 125 v - 2.9W (TA), 6W (TC)
SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira00dp-t1-ge3 2.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira00 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 220 NC @ 10 v +20V, -16V 11700 pf @ 15 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SUD50P06-15L-E3 Vishay Siliconix SUD50P06-15L-E3 2.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 17a, 10V 3V @ 250µA 165 NC @ 10 v ± 20V 4950 pf @ 25 v - 3W (TA), 136W (TC)
SIDR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIDR638DP-T1-GE3 2.0800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR638 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 0.88mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 204 NC @ 10 v +20V, -16V 10500 pf @ 20 v - 125W (TC)
SI3851DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3851DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5942 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3851 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.8a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.6 NC @ 5 v ± 20V Schottky 분리 (다이오드) 830MW (TA)
IRF9Z20PBF Vishay Siliconix IRF9Z20PBF 1.9100
RFQ
ECAD 936 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9Z20PBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 50 v 9.7A (TC) 10V 280mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 480 pf @ 25 v - 40W (TC)
SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 174 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA413 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 12A (TC) 1.5V, 4.5V 29mohm @ 6.7a, 4.5v 1V @ 250µA 57 NC @ 8 v ± 8V 1800 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SUD50P04-08-BE3 Vishay Siliconix SUD50P04-08-BE3 1.5000
RFQ
ECAD 5751 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 1V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 3W (TA), 100W (TC)
IRL510STRLPBF Vishay Siliconix irl510strlpbf 1.5600
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 5.6A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 3.4a, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRF730BPBF Vishay Siliconix IRF730BPBF 1.1400
RFQ
ECAD 1572 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF730 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 311 PF @ 100 v - 104W (TC)
SI7909DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7909DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2105 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7909 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 5.3A 37mohm @ 7.7a, 4.5v 1V @ 700µA 24NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQJ914EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ914EP-T1_GE3 1.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ914 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 30A (TC) 12MOHM @ 4.5A, 10V 2.5V @ 250µA 25NC @ 10V 1110pf @ 15V -
SI3457CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3457CDV-T1-BE3 0.5400
RFQ
ECAD 777 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3457CDV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.1A (TA), 5.1A (TC) 4.5V, 10V 74mohm @ 4.1a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 15 v - 2W (TA), 3W (TC)
SIRA18ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix siRA18ADP-T1-GE3 0.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira18 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30.6A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v +20V, -16V 1000 pf @ 15 v - 14.7W (TC)
2N6660JTXP02 Vishay Siliconix 2N6660JTXP02 -
RFQ
ECAD 7376 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6660 MOSFET (금속 (() TO-205AD (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 60 v 990MA (TC) 5V, 10V 3ohm @ 1a, 10v 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SI1022R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1022R-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5032 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1022 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 330ma (TA) 4.5V, 10V 1.25ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 250MW (TA)
SI4505DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4505DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4505 MOSFET (금속 (() 1.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V, 8V 6a, 3.8a 18mohm @ 7.8a, 10V 1.8V @ 250µA 20NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SIS106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS106DN-T1-GE3 1.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS106 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 9.8A (TA), 16A (TC) 7.5V, 10V 18.5mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 13.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 24W (TC)
SIZF906ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF906ADT-T1-GE3 1.6100
RFQ
ECAD 9280 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn SIZF906 MOSFET (금속 (() 4.5W (TA), 38W (TC), 5W (TA), 83W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 27A (TA), 60A (TC), 52A (TA), 60A (TC) 3.8mohm @ 15a, 10v, 1.17mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250µA 49NC @ 10V, 200NC @ 10V 2000pf @ 15V, 8200pf @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고