전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SISS54DN-T1-GE3 | 1.5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 51.1A (TA), 185.6a (TC) | 4.5V, 10V | 1.06MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | +16V, -12V | 3450 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||||
SIUD403ED-T1-GE3 | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 0806 | SIUD403 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 0806 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 500MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 1.25ohm @ 300ma, 4.5v | 900MV @ 250µA | 1 NC @ 4.5 v | ± 8V | 31 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) | ||||||
![]() | irl630strrpbf | 2.6300 | ![]() | 4300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl630 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 10V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
IRF9530 | - | ![]() | 8795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9530 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9530 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 100 v | 12A (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 88W (TC) | ||||
![]() | SIDR392DP-T1-GE3 | 2.7200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIDR392 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 82A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.62MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 188 NC @ 10 v | +20V, -16V | 9530 pf @ 15 v | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
![]() | irfr224trlpbf | 0.7088 | ![]() | 7938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 250 v | 3.8A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.3a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
![]() | IRFR9110 | - | ![]() | 8679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR9110 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
![]() | IRC540PBF | - | ![]() | 5017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-5 | IRC540 | MOSFET (금속 (() | TO-220-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRC540pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 28A (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 69 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | 현재 현재 | 150W (TC) | |||
![]() | SI4712DY-T1-GE3 | - | ![]() | 6991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4712 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 14.6A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 1mA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 1084 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
![]() | SIA4371EDJ-T1-GE3 | 0.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIA4371EDJ-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6.4A (TA), 9A (TC) | 2.5V, 10V | 45mohm @ 3.7a, 10V | 1.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 12V | - | 2.9W (TA), 15.6W (TC) | ||||||
![]() | SI7983DP-T1-E3 | - | ![]() | 5701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7983 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 7.7a | 17mohm @ 12a, 4.5v | 1V @ 600µA | 74NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI4434ADY-T1-GE3 | 2.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4434 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 250 v | 2.8A (TA), 4.1A (TC) | 7.5V, 10V | 150mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250µA | 16.5 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 125 v | - | 2.9W (TA), 6W (TC) | |||||
![]() | sira00dp-t1-ge3 | 2.1800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira00 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | +20V, -16V | 11700 pf @ 15 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
![]() | SUD50P06-15L-E3 | 2.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 17a, 10V | 3V @ 250µA | 165 NC @ 10 v | ± 20V | 4950 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
![]() | SIDR638DP-T1-GE3 | 2.0800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIDR638 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.88mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 204 NC @ 10 v | +20V, -16V | 10500 pf @ 20 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | SI3851DV-T1-E3 | - | ![]() | 5942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3851 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 1.6A (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 1.8a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 3.6 NC @ 5 v | ± 20V | Schottky 분리 (다이오드) | 830MW (TA) | ||||||
IRF9Z20PBF | 1.9100 | ![]() | 936 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9Z20 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF9Z20PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 50 v | 9.7A (TC) | 10V | 280mohm @ 5.6a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 480 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||||
![]() | SIA413DJ-T1-GE3 | 0.9400 | ![]() | 174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA413 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 12A (TC) | 1.5V, 4.5V | 29mohm @ 6.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 57 NC @ 8 v | ± 8V | 1800 pf @ 10 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
![]() | SUD50P04-08-BE3 | 1.5000 | ![]() | 5751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 30a, 10V | 1V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 100W (TC) | ||||||
![]() | irl510strlpbf | 1.5600 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRL510 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 v | ± 10V | 250 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
IRF730BPBF | 1.1400 | ![]() | 1572 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF730 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 6A (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 311 PF @ 100 v | - | 104W (TC) | ||||||
![]() | SI7909DN-T1-GE3 | - | ![]() | 2105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7909 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 5.3A | 37mohm @ 7.7a, 4.5v | 1V @ 700µA | 24NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
SQJ914EP-T1_GE3 | 1.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ914 | MOSFET (금속 (() | 27W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 30A (TC) | 12MOHM @ 4.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 25NC @ 10V | 1110pf @ 15V | - | ||||||||
![]() | SI3457CDV-T1-BE3 | 0.5400 | ![]() | 777 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SI3457CDV-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4.1A (TA), 5.1A (TC) | 4.5V, 10V | 74mohm @ 4.1a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 450 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 3W (TC) | ||||||
![]() | siRA18ADP-T1-GE3 | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira18 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 30.6A (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 10a, 10V | 2.4V @ 250µA | 21.5 nc @ 10 v | +20V, -16V | 1000 pf @ 15 v | - | 14.7W (TC) | ||||||
![]() | 2N6660JTXP02 | - | ![]() | 7376 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N6660 | MOSFET (금속 (() | TO-205AD (TO-39) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | n 채널 | 60 v | 990MA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2V @ 1mA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
![]() | SI1022R-T1-E3 | - | ![]() | 5032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1022 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 330ma (TA) | 4.5V, 10V | 1.25ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 0.6 nc @ 4.5 v | ± 20V | 30 pf @ 25 v | - | 250MW (TA) | ||||
![]() | SI4505DY-T1-E3 | - | ![]() | 4440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4505 | MOSFET (금속 (() | 1.2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 30V, 8V | 6a, 3.8a | 18mohm @ 7.8a, 10V | 1.8V @ 250µA | 20NC @ 5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SIS106DN-T1-GE3 | 1.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS106 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 9.8A (TA), 16A (TC) | 7.5V, 10V | 18.5mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 13.5 nc @ 10 v | ± 20V | 540 pf @ 30 v | - | 3.2W (TA), 24W (TC) | |||||
![]() | SIZF906ADT-T1-GE3 | 1.6100 | ![]() | 9280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | SIZF906 | MOSFET (금속 (() | 4.5W (TA), 38W (TC), 5W (TA), 83W (TC) | 8-PowerPair® (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널), Schottky | 30V | 27A (TA), 60A (TC), 52A (TA), 60A (TC) | 3.8mohm @ 15a, 10v, 1.17mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250µA | 49NC @ 10V, 200NC @ 10V | 2000pf @ 15V, 8200pf @ 15V | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고