전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI5853DC-T1-E3 | - | ![]() | 2132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5853 | MOSFET (금속 (() | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.7A (TA) | 1.8V, 4.5V | 110mohm @ 2.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.7 NC @ 4.5 v | ± 8V | Schottky 분리 (다이오드) | 1.1W (TA) | |||||
![]() | SI1431DH-T1-E3 | - | ![]() | 6464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1431 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 1.7A (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 2a, 10V | 3V @ 100µa | 4 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 950MW (TA) | |||||
![]() | SI7925DN-T1-E3 | - | ![]() | 8652 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7925 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 4.8a | 42MOHM @ 6.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 12NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI3445DV-T1-GE3 | - | ![]() | 9610 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3445 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 5.6A (TA) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 2W (TA) | |||||
![]() | SIHL630STRL-GE3 | 0.7501 | ![]() | 7576 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHL630 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 10V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
![]() | SISS78LDN-T1-GE3 | 1.3300 | ![]() | 8064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISS78 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SISS78LDN-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 70 v | 19.4A (TA), 66.7A (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 10a, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2280 pf @ 35 v | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | ||||
![]() | SI7948DP-T1-GE3 | - | ![]() | 9942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7948 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 3A | 75mohm @ 4.6a, 10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI4866DY-T1-GE3 | 2.2000 | ![]() | 7703 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4866 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 12 v | 11A (TA) | 2.5V, 4.5V | 5.5mohm @ 17a, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 30 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.6W (TA) | ||||||
![]() | SIJH440E-T1-GE3 | 1.2191 | ![]() | 6305 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 8 x 8 | SIJH440 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 200a (TC) | 4.5V, 10V | 0.96MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 195 NC @ 4.5 v | +20V, -16V | 20330 pf @ 20 v | - | 158W (TC) | |||||
![]() | SIS903DN-T1-GE3 | 0.9800 | ![]() | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SIS903 | MOSFET (금속 (() | 2.6W (TA), 23W (TC) | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 6A (TC) | 20.1mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 42NC @ 10V | 2565pf @ 10V | - | |||||||
![]() | SQ2308CES-T1_BE3 | 0.6700 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2308 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | - | 1 (무제한) | 742-SQ2308CES-T1_BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.3A (TC) | 4.5V, 10V | 150mohm @ 2.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 5.3 NC @ 10 v | ± 20V | 205 pf @ 30 v | - | 2W (TC) | |||||
![]() | SI4866BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 7295 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4866 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 12 v | 21.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 5.3mohm @ 12a, 4.5v | 1V @ 250µA | 80 nc @ 4.5 v | ± 8V | 5020 pf @ 6 v | - | 2.5W (TA), 4.45W (TC) | |||||
![]() | IRF644STRLPBF | 2.3513 | ![]() | 4984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF644 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
![]() | SI9433BDY-T1-GE3 | 0.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9433 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 4.5A (TA) | 2.7V, 4.5V | 40mohm @ 6.2a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.3W (TA) | ||||||
![]() | SI4447DY-T1-E3 | 0.8300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4447 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 3.3A (TA) | 15V, 10V | 72mohm @ 4.5a, 15V | 2.2V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 16V | 805 pf @ 20 v | - | 1.1W (TA) | |||||
![]() | SMMA511DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 6946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SMMA511 | MOSFET (금속 (() | 6.5W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 12V | 4.5A | 4.2A, 4.5V 40mohm | 1V @ 250µA | 12nc @ 8v | 400pf @ 6v | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI8810EDB-T2-E1 | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA | SI8810 | MOSFET (금속 (() | 4 마이크로 푸드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2.1A (TA) | 1.5V, 4.5V | 72mohm @ 1a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 8 nc @ 8 v | ± 8V | 245 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||
![]() | sira36dp-t1-ge3 | 1.4900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira36 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | +20V, -16V | 2815 pf @ 15 v | - | - | |||||
![]() | SQJQ402E-T1_GE3 | 2.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 8 x 8 | SQJQ402 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 200a (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 13500 pf @ 20 v | - | 150W (TC) | ||||||
![]() | IRL3402L | - | ![]() | 5154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | irl3402 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3402L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 85A (TC) | 4.5V, 7V | 8mohm @ 51a, 7v | 700mv @ 250µa (최소) | 78 NC @ 4.5 v | ± 10V | 3300 pf @ 15 v | - | 110W (TC) | |||
![]() | SIB4317EDK-T1-GE3 | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIB4317EDK-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4.3A (TA), 4.5A (TC) | 2.5V, 10V | 65mohm @ 3a, 10V | 1.3V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 12V | 600 pf @ 15 v | - | 1.95W (TA), 10W (TC) | |||||
![]() | SI6423DQ-T1-BE3 | 1.7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 8.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 8.5mohm @ 9.5a, 4.5v | 800MV @ 400µA | 110 NC @ 5 v | ± 8V | - | 1.05W (TA) | ||||||||
![]() | IRF740PBF-BE3 | 2.0400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF740 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-IRF740PBF-BE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | IRFR420 | - | ![]() | 7345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR420 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 2.4A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
![]() | SUD50P04-09L-E3 | 2.6600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 24a, 10V | 3V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 4800 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
![]() | SI7619DN-T1-GE3 | 0.8300 | ![]() | 89 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7619 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 24A (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 10.5a, 10V | 3V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 1350 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 27.8W (TC) | |||||
![]() | SUD50P06-15-BE3 | 2.6600 | ![]() | 5178 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 742-sud50p06-15-be3ct | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 17a, 10V | 3V @ 250µA | 165 NC @ 10 v | ± 20V | 4950 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 113W (TC) | |||||
![]() | SI4413ADY-T1-GE3 | 1.2191 | ![]() | 5694 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4413 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 10.5A (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 13a, 10V | 3V @ 250µA | 95 NC @ 5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | Siz998DT-T1-GE3 | 1.5400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz998 | MOSFET (금속 (() | 20.2W, 32.9W | 8-PowerPair® (6x5) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널), Schottky | 30V | 20A (TC), 60A (TC) | 6.7mohm @ 15a, 10v, 2.8mohm @ 19a, 10v | 2.2V @ 250µA | 8.1nc @ 4.5v, 19.8nc @ 4.5v | 930pf @ 15v, 2620pf @ 15v | - | ||||||||
![]() | SUD50P08-25L-E3 | 2.6900 | ![]() | 175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 80 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 25.2MOHM @ 12.5A, 10V | 3V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 40 v | - | 8.3W (TA), 136W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고