SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI5853DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5853DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2132 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5853 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.7A (TA) 1.8V, 4.5V 110mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 7.7 NC @ 4.5 v ± 8V Schottky 분리 (다이오드) 1.1W (TA)
SI1431DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1431DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6464 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1431 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.7A (TA) 4.5V, 10V 200mohm @ 2a, 10V 3V @ 100µa 4 NC @ 4.5 v ± 20V - 950MW (TA)
SI7925DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7925DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8652 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7925 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.8a 42MOHM @ 6.5A, 4.5V 1V @ 250µA 12NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI3445DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3445DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9610 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3445 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 5.6A (TA) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 5.6a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V - 2W (TA)
SIHL630STRL-GE3 Vishay Siliconix SIHL630STRL-GE3 0.7501
RFQ
ECAD 7576 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHL630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 9A (TC) 4V, 5V 400mohm @ 5.4a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SISS78LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS78LDN-T1-GE3 1.3300
RFQ
ECAD 8064 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISS78 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS78LDN-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 70 v 19.4A (TA), 66.7A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 10a, 10V 2.3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2280 pf @ 35 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SI7948DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7948DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9942 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7948 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 3A 75mohm @ 4.6a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI4866DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4866DY-T1-GE3 2.2000
RFQ
ECAD 7703 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4866 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 12 v 11A (TA) 2.5V, 4.5V 5.5mohm @ 17a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 30 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.6W (TA)
SIJH440E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJH440E-T1-GE3 1.2191
RFQ
ECAD 6305 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 SIJH440 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 200a (TC) 4.5V, 10V 0.96MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 195 NC @ 4.5 v +20V, -16V 20330 pf @ 20 v - 158W (TC)
SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3 0.9800
RFQ
ECAD 2476 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SIS903 MOSFET (금속 (() 2.6W (TA), 23W (TC) PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 6A (TC) 20.1mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 42NC @ 10V 2565pf @ 10V -
SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2308CES-T1_BE3 0.6700
RFQ
ECAD 103 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2308 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - 1 (무제한) 742-SQ2308CES-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2.3A (TC) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.3a, 10V 2.5V @ 250µA 5.3 NC @ 10 v ± 20V 205 pf @ 30 v - 2W (TC)
SI4866BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4866BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7295 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4866 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 12 v 21.5A (TC) 1.8V, 4.5V 5.3mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 8V 5020 pf @ 6 v - 2.5W (TA), 4.45W (TC)
IRF644STRLPBF Vishay Siliconix IRF644STRLPBF 2.3513
RFQ
ECAD 4984 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI9433BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9433BDY-T1-GE3 0.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9433 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.5A (TA) 2.7V, 4.5V 40mohm @ 6.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4447DY-T1-E3 0.8300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4447 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 3.3A (TA) 15V, 10V 72mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 16V 805 pf @ 20 v - 1.1W (TA)
SMMA511DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SMMA511DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6946 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SMMA511 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 12V 4.5A 4.2A, 4.5V 40mohm 1V @ 250µA 12nc @ 8v 400pf @ 6v 논리 논리 게이트
SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8810EDB-T2-E1 0.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA SI8810 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.1A (TA) 1.5V, 4.5V 72mohm @ 1a, 4.5v 900MV @ 250µA 8 nc @ 8 v ± 8V 245 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SIRA36DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira36dp-t1-ge3 1.4900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira36 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 56 NC @ 10 v +20V, -16V 2815 pf @ 15 v - -
SQJQ402E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ402E-T1_GE3 2.8400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 SQJQ402 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 200a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 13500 pf @ 20 v - 150W (TC)
IRL3402L Vishay Siliconix IRL3402L -
RFQ
ECAD 5154 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA irl3402 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3402L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 85A (TC) 4.5V, 7V 8mohm @ 51a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 78 NC @ 4.5 v ± 10V 3300 pf @ 15 v - 110W (TC)
SIB4317EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB4317EDK-T1-GE3 0.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIB4317EDK-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.3A (TA), 4.5A (TC) 2.5V, 10V 65mohm @ 3a, 10V 1.3V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 12V 600 pf @ 15 v - 1.95W (TA), 10W (TC)
SI6423DQ-T1-BE3 Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-BE3 1.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8.2A (TA) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 9.5a, 4.5v 800MV @ 400µA 110 NC @ 5 v ± 8V - 1.05W (TA)
IRF740PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF740PBF-BE3 2.0400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF740 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRF740PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFR420 Vishay Siliconix IRFR420 -
RFQ
ECAD 7345 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR420 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SUD50P04-09L-E3 Vishay Siliconix SUD50P04-09L-E3 2.6600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 24a, 10V 3V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v - 3W (TA), 136W (TC)
SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7619DN-T1-GE3 0.8300
RFQ
ECAD 89 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7619 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 24A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 10.5a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 27.8W (TC)
SUD50P06-15-BE3 Vishay Siliconix SUD50P06-15-BE3 2.6600
RFQ
ECAD 5178 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 742-sud50p06-15-be3ct 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 17a, 10V 3V @ 250µA 165 NC @ 10 v ± 20V 4950 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 113W (TC)
SI4413ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4413ADY-T1-GE3 1.2191
RFQ
ECAD 5694 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4413 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 10.5A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 95 NC @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz998DT-T1-GE3 1.5400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz998 MOSFET (금속 (() 20.2W, 32.9W 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 20A (TC), 60A (TC) 6.7mohm @ 15a, 10v, 2.8mohm @ 19a, 10v 2.2V @ 250µA 8.1nc @ 4.5v, 19.8nc @ 4.5v 930pf @ 15v, 2620pf @ 15v -
SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix SUD50P08-25L-E3 2.6900
RFQ
ECAD 175 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 80 v 50A (TC) 4.5V, 10V 25.2MOHM @ 12.5A, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 40 v - 8.3W (TA), 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고