SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQS840EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS840EN-T1_GE3 0.9700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS840 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 22.5 nc @ 10 v ± 20V 1031 pf @ 20 v - 33W (TC)
SIHB25N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHB25N50E-GE3 3.6400
RFQ
ECAD 1963 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB25 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1980 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI1035X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1035X-T1-GE3 0.4600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1035 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 180ma, 145ma 5ohm @ 200ma, 4.5v 400MV @ 250µA (최소) 0.75NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI3451DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3451DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5718 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3451 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.8A (TC) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 2.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.1 NC @ 5 v ± 12V 250 pf @ 10 v - 1.25W (TA), 2.1W (TC)
SI1035X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1035X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1035 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 180ma, 145ma 5ohm @ 200ma, 4.5v 400MV @ 250µA (최소) 0.75NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIB415DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB415DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB415 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 9A (TC) 4.5V, 10V 87mohm @ 4.17a, 10V 3V @ 250µA 10.05 nc @ 10 v ± 20V 295 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
IRF820PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF820PBF-BE3 1.4000
RFQ
ECAD 4606 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF820 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf820pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 50W (TC)
SQJQ130EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ130EL-T1_GE3 3.3300
RFQ
ECAD 8034 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 1 (무제한) 742-sqjq130el-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 445A (TC) 4.5V, 10V 0.52MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 455 NC @ 10 v ± 20V 23345 pf @ 25 v - 600W (TC)
IRF630STRR Vishay Siliconix irf630strr -
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 400mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 3W (TA), 74W (TC)
SUD50N04-09H-E3 Vishay Siliconix SUD50N04-09H-E3 -
RFQ
ECAD 6881 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 9MOHM @ 20A, 10V 5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 25 v - 83.3W (TC)
SI6423ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6423ADQ-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 3532 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6423 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI6423ADQ-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 10.3A (TA), 12.5A (TC) 9.8mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 168 NC @ 8 v ± 8V 5875 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 2.2W (TC)
SI2309DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2309DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2239 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2309 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.25A (TA) 4.5V, 10V 340mohm @ 1.25a, ​​10V 1V @ 250µA (Min) 12 nc @ 10 v ± 20V - 1.25W (TA)
SI2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3 1.0000
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2325 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 150 v 530MA (TA) 6V, 10V 1.2ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 510 pf @ 25 v - 750MW (TA)
SIHP12N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP12N60E-GE3 2.6900
RFQ
ECAD 2114 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP12 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 937 pf @ 100 v - 147W (TC)
SIRA54DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA54DP-T1-GE3 1.3000
RFQ
ECAD 6711 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira54 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.35mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 48 NC @ 4.5 v +20V, -16V 5300 pf @ 20 v - 36.7W (TC)
SI6926ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6926ADQ-T1-E3 0.9700
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6926 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.1a 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA 10.5nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SQ3427EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3427EV-T1_BE3 0.6900
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3427 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-sq3427ev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5.3A (TC) 4.5V, 10V 95mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 30 v - 5W (TC)
SIHU6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihu6n80ae-ge3 1.4400
RFQ
ECAD 9011 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA Sihu6 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 22.5 nc @ 10 v ± 30V 422 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
IRF620L Vishay Siliconix IRF620L -
RFQ
ECAD 5946 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF620 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF620L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - -
IRFD9010PBF Vishay Siliconix IRFD9010PBF 1.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9010 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 50 v 1.1A (TC) 10V 500mohm @ 580ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 1W (TC)
SIS488DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS488DN-T1-GE3 0.9700
RFQ
ECAD 1255 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS488 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1330 pf @ 20 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI7905DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7905DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1156 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7905 MOSFET (금속 (() 20.8W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 40V 6A 60mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 30NC @ 10V 880pf @ 20V -
SI4456DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4456DY-T1-E3 2.7900
RFQ
ECAD 3107 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4456 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 33A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 20V 5670 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2312CDS-T1-GE3 0.4400
RFQ
ECAD 158 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2312 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 1.8V, 4.5V 31.8mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 8V 865 pf @ 10 v - 1.25W (TA), 2.1W (TC)
SIA922EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA922EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8843 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA922 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.5A 64mohm @ 3a, 4.5v 1.4V @ 250µA 12NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI7810DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7810DN-T1-E3 1.5100
RFQ
ECAD 75 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7810 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3.4A (TA) 6V, 10V 62mohm @ 5.4a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRFR220TRRPBF Vishay Siliconix IRFR220TRRPBF 1.5000
RFQ
ECAD 129 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 4.8A (TC) 10V 800mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIRA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira74dp-t1-ge3 1.0100
RFQ
ECAD 340 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira74 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIRA74DP-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 24A (TA), 81.2A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 41 NC @ 10 v +20V, -16V 2000 pf @ 20 v - 4.1W (TA), 46.2W (TC)
SQD50P03-07-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD50P03-07-T4_GE3 0.6985
RFQ
ECAD 4339 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd50p03-07-t4_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 146 NC @ 10 v ± 20V 5490 pf @ 25 v - 136W (TC)
IRF3205ZSTRL Vishay Siliconix IRF3205ZSTRL -
RFQ
ECAD 5016 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF3205 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 6.5mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3450 pf @ 25 v - 170W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고