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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
siss30dn-t1-ge3	1.1400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8S	SISS30	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	15.9A (TA), 54.7A (TC)	7.5V, 10V	8.25mohm @ 10a, 10V	3.8V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	1666 pf @ 10 v	-	4.8W (TA), 57W (TC)
SIS472BDN-T1-GE3	0.6400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS472	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	15.3A (TA), 38.3A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	21.5 nc @ 10 v	+20V, -16V	1000 pf @ 15 v	-	3.2W (TA), 19.8W (TC)
SI2301BDS-T1-E3	0.4600	RFQ	64	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2301	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	2.2A (TA)	2.5V, 4.5V	100mohm @ 2.8a, 4.5v	950MV @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 8V	375 pf @ 6 v	-	700MW (TA)
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IRFR024	-	RFQ	8624	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFR024	귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	60 v	14A (TC)	10V	100mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
VQ1001P-E3	-	RFQ	5958	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	-	VQ1001	MOSFET (금속 (()	2W	14-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25	4 n 채널		30V	830ma		1.75ohm @ 200ma, 5V	2.5V @ 1mA	-		110pf @ 15V	논리 논리 게이트
SI1480DH-T1-GE3	0.5100	RFQ	2193	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1480	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	2.6A (TC)	4.5V, 10V	200mohm @ 1.9a, 10V	3V @ 250µA	5 nc @ 10 v	± 20V	130 pf @ 50 v	-	1.5W (TA), 2.8W (TC)
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IRF744PBF	-	RFQ	8552	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF744	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF744PBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	450 v	8.8A (TC)	10V	630mohm @ 5.3a, 10V	4V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 25 v	-	125W (TC)
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SI5424DC-T1-GE3	0.8600	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5424	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	6A (TC)	4.5V, 10V	24mohm @ 4.8a, 10V	2.3V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 25V	950 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 6.25W (TC)
SI7946DP-T1-E3	-	RFQ	1178	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7946	MOSFET (금속 (()	1.4W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		150V	2.1a		150mohm @ 3.3a, 10V	4V @ 250µA	20NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
SQJB44EP-T1_GE3	1.5800	RFQ	5490	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJB44	MOSFET (금속 (()	48W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드		1 (무제한)		742-sqjb44ep-t1_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	30A (TC)		5.2mohm @ 8a, 10V	2.2V @ 250µA	50NC @ 10V		3075pf @ 25V	-
SI5915DC-T1-E3	-	RFQ	6494	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5915	MOSFET (금속 (()	1.1W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		8V	3.4a		70mohm @ 3.4a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	9NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI1023X-T1-GE3	0.4400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1023	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	370ma		1.2ohm @ 350ma, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	1.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SUD35N10-26P-E3	2.1700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD35	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	35A (TC)	7V, 10V	26mohm @ 12a, 10V	4.4V @ 250µA	47 NC @ 10 v	± 20V	2000 pf @ 12 v	-	8.3W (TA), 83W (TC)
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SI4864DY-T1-GE3	4.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4864	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	17A (TA)	2.5V, 4.5V	3.5mohm @ 25a, 4.5v	2V @ 250µA	70 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.6W (TA)
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SI5902BDC-T1-GE3	1.3200	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5902	MOSFET (금속 (()	3.12W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	4a		65mohm @ 3.1a, 10V	3V @ 250µA	7NC @ 10V		220pf @ 15V	논리 논리 게이트
SUM47N10-24L-E3	-	RFQ	7940	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	sum47	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	47A (TC)	4.5V, 10V	24mohm @ 40a, 10V	3V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	3.75W (TA), 136W (TC)
SIRS4600dp-T1-RE3	3.7500	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	58A (TA), 334A (TC)	7.5V, 10V	1.2MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	162 NC @ 10 v	± 20V	7655 pf @ 30 v	-	7.4W (TA), 240W (TC)
SIUD412ED-T1-GE3	0.5100	RFQ	137	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 0806	SIUD412	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 0806	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	12 v	500MA (TC)	1.2V, 4.5V	340mohm @ 500ma, 4.5v	900MV @ 250µA	0.71 NC @ 4.5 v	± 5V	21 pf @ 6 v	-	1.25W (TA)
SIJH5100E-T1-GE3	6.0000	RFQ	8964	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 8 x 8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	28A (TA), 277A (TC)	7.5V, 10V	1.89mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 v	± 20V	6900 pf @ 50 v	-	3.3W (TA), 333W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²