- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHB15N65E-GE3 | 1.8963 |  | 2429 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB15 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 30V | 1640 pf @ 100 v | - | 34W (TC) | ||||||
 | SI4463BDY-T1-GE3 | 1.6000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4463 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 9.8A (TA) | 2.5V, 10V | 11mohm @ 13.7a, 10V | 1.4V @ 250µA | 56 NC @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SQ1470AEH-T1_GE3 | 0.6000 | | 272 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1470 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1.7A (TC) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 4.2a, 4.5v | 1.6V @ 250µA | 5.2 NC @ 4.5 v | ± 12V | 450 pf @ 15 v | - | 3.3W (TC) | |||||
 | SUM45N25-58-E3 | 4.4900 | | 3191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum45 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 45A (TC) | 6V, 10V | 58mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 30V | 5000 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | |||||
 | sqja81ep-t1_ge3 | 2.2400 | | 8879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJA81 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqja81ep-t1_ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 80 v | 46A (TC) | 4.5V, 10V | 17.3mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 5900 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||
 | SI5853DC-T1-E3 | - | | 2132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5853 | MOSFET (금속 (() | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.7A (TA) | 1.8V, 4.5V | 110mohm @ 2.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.7 NC @ 4.5 v | ± 8V | Schottky 분리 (다이오드) | 1.1W (TA) | |||||
 | SI3493DV-T1-GE3 | - | | 1209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 32 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | IRFI830G | - | | 8201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI830 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 610 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||||
| SI4812BDY-T1-E3 | - | | 7036 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4812 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 7.3A (TA) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 9.5a, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.4W (TA) | ||||||
| irli530g | - | | 6840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irli530 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLI530G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 9.7A (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 5.8a, 5V | 2V @ 250µA | 28 NC @ 5 v | ± 10V | 930 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | |||
 | SI7601DN-T1-E3 | - | | 1203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7601 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 16A (TC) | 2.5V, 4.5V | 19.2mohm @ 11a, 4.5v | 1.6V @ 250µA | 27 NC @ 5 v | ± 12V | 1870 pf @ 10 v | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | ||||
 | IRFPC60LC | - | | 7104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPC60 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFPC60LC | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 16A (TC) | 10V | 400mohm @ 9.6a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 3500 pf @ 25 v | - | 280W (TC) | |||
 | SI6435ADQ-T1-E3 | - | | 1288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6435 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4.7A (TA) | 30mohm @ 5.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 20 nc @ 5 v | - | |||||||||
 | SIDR626EP-T1-RE3 | 3.3300 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 50.8A (TA), 227A (TC) | 7.5V, 10V | 1.74mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 102 NC @ 10 v | ± 20V | 5130 pf @ 30 v | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | ||||||
 | SIJ482DP-T1-GE3 | 1.8000 | | 1441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIJ482 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6.2MOHM @ 20A, 10V | 2.7V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 20V | 2425 pf @ 40 v | - | 5W (TA), 69.4W (TC) | |||||
| IRFP15N60LPBF | - | | 8248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP15 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP15N60LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 15A (TC) | 10V | 460mohm @ 9a, 10V | 5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 30V | 2720 pf @ 25 v | - | 280W (TC) | |||
 | SQUN702E-T1_GE3 | 3.6300 | | 1826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 주사위 | SQUN702 | MOSFET (금속 (() | 48W (TC), 60W (TC) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 공통 p 채널, 공통 배수 | 40V, 200V | 30A (TC), 20A (TC) | 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 60mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA | 23nc @ 20v, 14nc @ 20v, 30.2nc @ 100v | 1474pf @ 20v, 1450pf @ 20v, 1302pf @ 100v | - | |||||||
| SQ3442EV-T1-GE3 | - | | 8047 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3442 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.3A (TC) | 55mohm @ 4a, 4.5v | 1.6V @ 250µA | 5.5 NC @ 4.5 v | 405 pf @ 10 v | - | ||||||||
| SI1406DH-T1-GE3 | - | | 5870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1406 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 65mohm @ 3.9a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 7.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1W (TA) | |||||
| SI4110DY-T1-GE3 | - | | 7785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4110 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 17.3A (TC) | 10V | 13mohm @ 11.7a, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 20V | 2205 pf @ 40 v | - | 3.6W (TA), 7.8W (TC) | ||||
 | Sir800ADP-T1-RE3 | 0.9300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir800 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 50.2A (TA), 177a (TC) | 2.5V, 10V | 1.35mohm @ 10a, 10V | 1.5V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | +12V, -8V | 3415 pf @ 10 v | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
| IRF9520STRLPBF | 2.1900 | | 472 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9520 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 100 v | 6.8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
 | IRFZ48RPBF | 3.0900 | | 984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ48 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFZ48RPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||
 | IRF737LCL | - | | 3745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF737 | MOSFET (금속 (() | i2pak | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF737LCL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 6.1A (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 430 pf @ 25 v | - | - | ||||
| IRF840AStPBF | 3.1100 | | 777 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 1018 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
| irf9630strl | - | | 8433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9630 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 200 v | 6.5A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
 | IRFD9024PBF | 1.6700 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9024 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFD9024PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 1.6A (TA) | 10V | 280mohm @ 960ma, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SIHP22N60ALE-GE3 | - | | 8558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 엘자 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP22 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 82 NC @ 10 v | ± 30V | 1757 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | |||||
| irf9530strl | - | | 6249 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9530 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 100 v | 12A (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
 | Siz200DT-T1-GE3 | 1.0300 | | 8725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz200 | MOSFET (금속 (() | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-PowerPair® (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 22A (TA), 61A (TC), 22A (TA), 60A (TC) | 5.5mohm @ 10a, 10v, 5.8mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250µA | 28NC @ 10V, 30NC @ 10V | 1510pf @ 15v, 1600pf @ 15v | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)