SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SI2304BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-GE3 0.4700
RFQ
ECAD 105 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2304 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 70mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250µA 4 NC @ 5 v ± 20V 225 pf @ 15 v - 750MW (TA)
SI4622DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4622DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2414 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4622 MOSFET (금속 (() 3.3W, 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8a 16mohm @ 9.6a, 10V 2.5V @ 1mA 60NC @ 10V 2458pf @ 15V -
SI7615CDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7615CDN-T1-GE3 0.5400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7615 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 35A (TC) 1.8V, 4.5V 9mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 250µA 63 NC @ 4.5 v ± 8V 3860 pf @ 10 v - 33W (TC)
SI4884BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4884BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4884 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16.5A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1525 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 4.45W (TC)
IRF830APBF-BE3 Vishay Siliconix IRF830APBF-BE3 1.5700
RFQ
ECAD 973 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF830 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRF830APBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 74W (TC)
SI5920DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5920DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8082 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5920 MOSFET (금속 (() 3.12W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 8V 4a 32mohm @ 6.8a, 4.5v 1V @ 250µA 12NC @ 5V 680pf @ 4v 논리 논리 게이트
U430 Vishay Siliconix U430 -
RFQ
ECAD 1693 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 78-6 금속 6 U430 500MW To-78-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 100 2 n 채널 (채널) 5pf @ 10V 25 v 12 ma @ 10 v 1 v @ 1 na
IRF840LCPBF-BE3 Vishay Siliconix IRF840LCPBF-BE3 2.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI3552DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3552DV-T1-E3 0.7000
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3552 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 2.5A 105mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.2NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SIA467EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA467EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9770 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA467 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 31A (TC) 1.8V, 4.5V 13mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 72 NC @ 8 v ± 8V 2520 pf @ 6 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
IRL620STRLPBF Vishay Siliconix irl620strlpbf 2.0300
RFQ
ECAD 130 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 4V, 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 10V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SI3879DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3879DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3879 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5A (TC) 2.5V, 4.5V 70mohm @ 3.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 12V 480 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.3W (TC)
SIHG70N60AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHG70N60AEF-GE3 11.1500
RFQ
ECAD 4882 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG70 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 60A (TC) 10V 41mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 410 nc @ 10 v ± 20V 5348 pf @ 100 v - 417W (TC)
SI7898DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7898DP-T1-GE3 2.2300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7898 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 3A (TA) 6V, 10V 85mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SIHFR9120-GE3 Vishay Siliconix SIHFR9120-GE3 0.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHFR9120 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFZ24PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ24PBF-BE3 1.6400
RFQ
ECAD 188 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRFZ24PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 17A (TC) 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 60W (TC)
SIHD186N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHD186N60EF-GE3 3.0900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD186 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 201MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 1118 pf @ 100 v - 156W (TC)
SI7901EDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7901EDN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9765 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7901 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.3A 48mohm @ 6.3a, 4.5v 1V @ 800µA 18NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI1413DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1413DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3621 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1413 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.3A (TA) 1.8V, 4.5V 115mohm @ 2.9a, 4.5v 800mv @ 100µa 8.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 1W (TA)
SIRA26DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA26DP-T1-RE3 0.7300
RFQ
ECAD 1009 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira26 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.65mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 44 NC @ 10 v +16V, -12V 2247 pf @ 10 v - 43.1W (TC)
SI7380ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7380ADP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9647 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7380 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 1.6V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 12V 7785 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SIHP38N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP38N60EF-GE3 4.3943
RFQ
ECAD 1379 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP38 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 40A (TC) 10V 70mohm @ 23.5a, 10V 4V @ 250µA 189 NC @ 10 v ± 30V 3576 pf @ 100 v - 313W (TC)
SI7884BDP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7884BDP-T1-E3 2.9200
RFQ
ECAD 4517 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7884 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 58A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 20V 3540 pf @ 20 v - 4.6W (TA), 46W (TC)
SQ4483EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4483EY-T1_BE3 1.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4483 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 15 v - 7W (TC)
SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH110DN-T1-GE3 0.6284
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH110 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 13.5A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 21.1a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SI4090BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4090BDY-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 12.2A (TA), 18.7A (TC) 6V, 10V 10mohm @ 12.2a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3570 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 7.4W (TC)
SIA430DJT-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA430DJT-T4-GE3 0.1781
RFQ
ECAD 2613 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA430 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 12A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
SIHU5N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHU5N80AE-GE3 1.1900
RFQ
ECAD 5530 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA SIHU5 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHU5N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 4.4A (TC) 10V 1.35ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 30V 321 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SQM40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix SQM40P10-40L_GE3 2.6100
RFQ
ECAD 6137 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM40 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 17a, 10V 2.5V @ 250µA 134 NC @ 10 v ± 20V 5295 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI2321DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2321DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5192 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2321 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.9A (TA) 1.8V, 4.5V 57mohm @ 3.3a, 4.5v 900MV @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 8V 715 pf @ 6 v - 710MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고