SIC
close

트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF5300DT-T1-GE3 2.0700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-PowerPair ™ SIZF5300 MOSFET (금속 (() 4.5W (TA), 56.8W (TC) PowerPair® 3x3fs 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 30V 35A (TA), 125A (TC) 2.43mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 32NC @ 10V 1480pf @ 15V -
SIDR5102EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR5102EP-T1-RE3 2.9900
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR5102 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 28.2A (TA), 126A (TC) 7.5V, 10V 4.1MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2850 pf @ 50 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
SIR184LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir184LDP-T1-RE3 1.5300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 21.5A (TA), 73A (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 30 v - 5W (TA), 56.8W (TC)
SQS141ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS141ELNW-T1_GE3 1.0300
RFQ
 ECAD 4391 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 101A (TC) 4.5V, 10V 10MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 141 NC @ 10 v ± 20V 7458 pf @ 25 v - 192W (TC)
SIZ342ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz342ADT-T1-GE3 0.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz342 MOSFET (금속 (() 3.7W (TA), 16.7W (TC) 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIZ342ADT-T1-GE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 15.7A (TA), 33.4A (TC) 9.4mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 12.2NC @ 10V 580pf @ 15V -
SIDR104ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR104ADP-T1-RE3 2.5600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR104 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 18.8A (TA), 81A (TC) 7.5V, 10V 6.1mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3250 pf @ 50 v - 5.4W (TA), 100W (TC)
SIZ340ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz340ADT-T1-GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz340 MOSFET (금속 (() 3.7W (TA), 16.7W (TC), 4.2W (TA), 31W (TC) 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-Siz340ADT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 15.7A (TA), 33.4A (TC), 25.4A (TA), 69.7A (TC) 9.4mohm @ 10a, 10v, 4.29mohm @ 20a, 10v 2.4V @ 250µA 12.2NC @ 10V, 27.9NC @ 10V 580pf @ 15v, 1290pf @ 15v -
SISS94DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS94DN-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 7062 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS94 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5.4A (TA), 19.5A (TC) 7.5V, 10V 75mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 100 v - 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS22LDN-T1-GE3 1.2100
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS22 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS22LDN-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25.5A (TA), 92.5A (TC) 4.5V, 10V 3.65mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SISA35DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA35DN-T1-GE3 0.5200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA35 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 9a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 24W (TC)
SIHB24N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB24N80AE-GE3 3.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHB24N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 21A (TC) 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 30V 1836 PF @ 100 v - 208W (TC)
SI7116BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7116BDN-T1-GE3 1.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7116 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 18.4A (TA), 65A (TC) 7.4mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1915 pf @ 20 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
IRFB9N60APBF-BE3 Vishay Siliconix IRFB9N60APBF-BE3 3.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRFB9N60APBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.2A (TC) 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1403BDL-T1-BE3 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1403 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.4A (TA) 150mohm @ 1.5a, 4.5v 1.3V @ 250µA 4.5 nc @ 4.5 v ± 12V - 568MW (TA)
IRFR110TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr110trlpbf-be3 1.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFBF30PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBF30PBF-BE3 2.8800
RFQ
 ECAD 6536 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBF30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfbf30pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 3.6A (TC) 3.7ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFL014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfl014trpbf-be3 0.9400
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.7A (TC) 200mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI1441EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1441EDH-T1-BE3 0.5300
RFQ
 ECAD 9791 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1441 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1441EDH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA), 4A (TC) 41mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 8 v ± 10V - 1.6W (TA), 2.8W (TC)
SI1499DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1499DH-T1-BE3 0.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1499 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1499DH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TA), 1.6A (TC) 78mohm @ 2a, 4.5v 800MV @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 5V 650 pf @ 4 v - 2.5W (TA), 2.78W (TC)
SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-BE3 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1922 MOSFET (금속 (() 740MW (TA), 1.25W (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.3A (TA), 1.3A (TC) 198mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 2.5nc @ 8v - -
IRF9620PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9620PBF-BE3 1.6800
RFQ
 ECAD 792 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9620 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf9620pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 3.5A (TC) 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 40W (TC)
SIJA22DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJA22DP-T1-GE3 1.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sija22 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIJA22DP-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 64A (TA), 201a (TC) 0.74mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 125 nc @ 10 v +20V, -16V 6500 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 48W (TC)
SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4946CEY-T1_GE3 1.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4946 MOSFET (금속 (() 4W (TC) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sq4946cey-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 7A (TC) 4.5A, 10V 40mohm 2.5V @ 250µA 22NC @ 10V 865pf @ 25v -
SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-BE3 0.4500
RFQ
 ECAD 8039 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1902 MOSFET (금속 (() 300MW (TA), 420MW (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1902CDL-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1A (TA), 1.1A (TC) 235mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 10V 62pf @ 10V -
IRFR1N60ATRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr1n60atrpbf-be3 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfr1n60atrpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 1.4A (TC) 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
IRF624PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF624PBF-BE3 0.8831
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF624 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf624pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 4.4A (TC) 1.1ohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFZ44PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ44PBF-BE3 2.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ44 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRFZ44PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 150W (TC)
SUM40014M-GE3 Vishay Siliconix SUM40014M-GE3 3.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) sum40014 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 200a (TC) 0.99mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 275 NC @ 10 v ± 20V 15780 pf @ 20 v - 375W (TC)
SI1411DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1411DH-T1-BE3 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1411 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 420MA (TA) 2.6ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 100µa 6.3 NC @ 10 v ± 20V - 1W (TA)
SIZ256DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ256DT-T1-GE3 1.3100
RFQ
 ECAD 7571 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz256 MOSFET (금속 (() 4.3W (TA), 33W (TC) 8-PowerPair® (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 742-SIZ256DT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 70V 11.5A (TA), 31.8A (TC) 17.6mohm @ 7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 27NC @ 10V 1060pf @ 35v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다