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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	저항 -rds (on)
IRFI9620G	-	RFQ	5746	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI9620	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFI9620G	귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널	200 v	3A (TC)	10V	1.5ohm @ 1.8a, 10V	4V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	340 pf @ 15 v	-	30W (TC)
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SI4953ADY-T1-GE3	-	RFQ	4441	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4953	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		30V	3.7a		53mohm @ 4.9a, 10V	1V @ 250µA (Min)	25NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
SI1539CDL-T1-GE3	0.4300	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1539	MOSFET (금속 (()	340MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		30V	700ma, 500ma		388mohm @ 600ma, 10V	2.5V @ 250µA	1.5NC @ 10V		28pf @ 15V	논리 논리 게이트
SI5471DC-T1-GE3	0.7500	RFQ	1050	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5471	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	6A (TC)	1.8V, 4.5V	20mohm @ 9.1a, 4.5v	1.1V @ 250µA	96 NC @ 10 v	± 12V	2945 pf @ 10 v	-	2.5W (TA), 6.3W (TC)
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SI5441DC-T1-E3	-	RFQ	4826	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5441	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	3.9A (TA)	2.5V, 4.5V	55mohm @ 3.9a, 4.5v	1.4V @ 250µA	22 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.3W (TA)
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TP0202K-T1-E3	-	RFQ	9227	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TP0202	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	385MA (TA)	4.5V, 10V	1.4ohm @ 500ma, 10V	3V @ 250µA	1 nc @ 10 v	± 20V	31 pf @ 15 v	-	350MW (TA)
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sqj469ep-t1_ge3	2.9100	RFQ	2464	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ469	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	80 v	32A (TC)	6V, 10V	25mohm @ 10.2a, 10V	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 v	± 20V	5100 pf @ 40 v	-	100W (TC)
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SI6925ADQ-T1-E3	-	RFQ	1125	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6925	MOSFET (금속 (()	800MW	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	3.3a		45mohm @ 3.9a, 4.5v	1.8V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SISS61DN-T1-GE3	0.9900	RFQ	1425	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8S	SISS61	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	30.9A (TA), 111.9A (TC)	1.8V, 4.5V	3.5mohm @ 15a, 4.5v	900MV @ 250µA	231 NC @ 10 v	± 8V	8740 pf @ 10 v	-	5W (TA), 65.8W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²