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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| SIHG14N50D-E3 | 2.0567 | | 2998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG14 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHG14N50DE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 14A (TC) | 10V | 400mohm @ 7a, 10V | 5V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 1144 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | ||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | 1.8600 | | 9392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4190 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 18.4A (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 15a, 10V | 2.8V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 1970 pf @ 50 v | - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
| SIHG47N60ALE-GE3 | 9.2800 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 엘자 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG47 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 47A (TC) | 10V | 65mohm @ 23.5a, 10V | 4V @ 250µA | 222 NC @ 10 v | ± 30V | 4600 pf @ 100 v | - | 379W (TC) | |||||
| SI4952DY-T1-E3 | - | | 1814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4952 | MOSFET (금속 (() | 2.8W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 25V | 8a | 23mohm @ 7a, 10V | 2.2V @ 250µA | 18NC @ 10V | 680pf @ 13v | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SQJ152ELP-T1_GE3 | 0.8900 | | 7844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ152 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 123A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1633 pf @ 25 v | - | 136W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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