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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id |
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![]() | SI7501DN-T1-GE3 | - | ![]() | 2582 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7501 | MOSFET (금속 (() | 1.6W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 공통 p 채널, 공통 배수 | 30V | 5.4A, 4.5A | 35mohm @ 7.7a, 10V | 3V @ 250µA | 14NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||||||
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![]() | SIHG17N80AE-GE3 | 3.1200 | ![]() | 476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG17 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHG17N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 800 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 30V | 1260 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | |||||||
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![]() | SIHP21N80AEF-GE3 | 2.8600 | ![]() | 986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHP21N80AEF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 16.3A (TC) | 10V | 250mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 30V | 1511 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | ||||||||
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![]() | SIHK055N60E-T1-GE3 | 8.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerbsfn | MOSFET (금속 (() | PowerPak®10 x 12 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 42A (TC) | 10V | 56mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 81 NC @ 10 v | ± 30V | 3504 pf @ 100 v | - | 236W (TC) | |||||||||
![]() | SQJ992EP-T1_BE3 | 1.3900 | ![]() | 1173 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ992 | MOSFET (금속 (() | 34W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj992ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 15A (TC) | 56.2mohm @ 3.7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12NC @ 10V | 446pf @ 30v | - | ||||||||||
![]() | SISS42LDN-T1-GE3 | 1.3000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS42 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 11.3A (TA), 39A (TC) | 4.5V, 10V | 14.9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 2058 pf @ 50 v | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | ||||||||
![]() | SI4874BDY-T1-GE3 | 0.9497 | ![]() | 1976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4874 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 16a, 10V | 3V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 20V | 3230 pf @ 15 v | - | 1.6W (TA) | ||||||||
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