SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SIR438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir438dp-t1-ge3 1.9500
RFQ
ECAD 261 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir438 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4560 pf @ 10 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SI4860DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4860DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1404 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4860 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 16a, 10V 1V @ 250µA (Min) 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
2N5116 Vishay Siliconix 2N5116 -
RFQ
ECAD 3587 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5116 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 - -
SI1470DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1470DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6216 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1470 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.1A (TC) 2.5V, 4.5V 66mohm @ 3.8a, 4.5v 1.6V @ 250µA 7.5 NC @ 5 v ± 12V 510 pf @ 15 v - 1.5W (TA), 2.8W (TC)
SI7960DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7960DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9652 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7960 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 6.2A 21mohm @ 9.7a, 10V 3V @ 250µA 75NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI4682DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4682DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7187 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4682 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1595 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 4.45W (TC)
SI7220DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7220DN-T1-GE3 1.7700
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7220 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 3.4a 60mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIR798DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir798dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 6675 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir798 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.05ohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5050 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 83W (TC)
SI4493DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4493DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4801 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4493 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 10A (TA) 2.5V, 4.5V 7.75mohm @ 14a, 4.5v 1.4V @ 250µA 110 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
SI4626ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4626ADY-T1-E3 0.9923
RFQ
ECAD 9189 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4626 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V 5370 pf @ 15 v - 3W (TA), 6W (TC)
SI4660DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4660DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9333 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4660 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 23.1A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 16V 2410 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 5.6W (TC)
SI4834BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4834BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1812 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4834 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SI7501DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7501DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2582 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7501 MOSFET (금속 (() 1.6W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 공통 p 채널, 공통 배수 30V 5.4A, 4.5A 35mohm @ 7.7a, 10V 3V @ 250µA 14NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI4668DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4668DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2414 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4668 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 16.2A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 16V 1654 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SI7223DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7223DN-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7223 MOSFET (금속 (() 2.6W (TA), 23W (TC) PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 6A (TC) 26.4mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 40NC @ 10V 1425pf @ 15V -
2N4416A-2 Vishay Siliconix 2N4416A-2 -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4416 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 n 채널 4pf @ 15V 35 v 5 ma @ 15 v 2.5 v @ 1 na
SIHFPS38N60L-GE3 Vishay Siliconix SIHFPS38N60L-GE3 7.9800
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA MOSFET (금속 (() Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 742-SIHFPS38N60L-GE3 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 38A (TC) 10V 150mohm @ 23a, 10V 5V @ 250µA 320 NC @ 10 v ± 30V 7990 pf @ 25 v - 540W (TC)
SQ4182EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4182EY-T1_BE3 1.6500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4182 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 742-SQ4182EY-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 32A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 15 v - 7.1W (TC)
SI2371EDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2371EDS-T1-BE3 0.4300
RFQ
ECAD 2886 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2371EDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.7A (TA), 4.8A (TC) 2.5V, 10V 45mohm @ 3.7a, 10V 1.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 12V - 1W (TA), 1.7W (TC)
SIHG17N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHG17N80AE-GE3 3.1200
RFQ
ECAD 476 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG17 MOSFET (금속 (() TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHG17N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 1260 pf @ 100 v - 179W (TC)
2N5115JTXV02 Vishay Siliconix 2N5115JTXV02 -
RFQ
ECAD 2609 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5115 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 - -
SIHP21N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHP21N80AEF-GE3 2.8600
RFQ
ECAD 986 0.00000000 Vishay Siliconix ef 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHP21N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 16.3A (TC) 10V 250mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 30V 1511 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQ2337ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2337ES-T1_BE3 0.6900
RFQ
ECAD 298 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2337 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SQ2337ES-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 2.2A (TC) 6V, 10V 290mohm @ 1.2a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 620 pf @ 40 v - 3W (TC)
SIHK055N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK055N60E-T1-GE3 8.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 42A (TC) 10V 56mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 30V 3504 pf @ 100 v - 236W (TC)
SQJ992EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ992EP-T1_BE3 1.3900
RFQ
ECAD 1173 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ992 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj992ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 15A (TC) 56.2mohm @ 3.7a, 10V 2.5V @ 250µA 12NC @ 10V 446pf @ 30v -
SISS42LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS42LDN-T1-GE3 1.3000
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS42 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 11.3A (TA), 39A (TC) 4.5V, 10V 14.9mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 2058 pf @ 50 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SI4874BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4874BDY-T1-GE3 0.9497
RFQ
ECAD 1976 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4874 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 3230 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
SQA600CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa600cejw-t1_ge3 0.5900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 6-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 9A (TC) 4.5V, 10V 54.6MOHM @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 540 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SI2343CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2343CDS-T1-BE3 0.5600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.2A (TA), 5.9A (TC) 4.5V, 10V 45mohm @ 4.2a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SISS30LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss30ldn-t1-ge3 1.3000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS30 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 16A (TA), 55.5A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2070 pf @ 40 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고