SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SI7380ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7380ADP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9647 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7380 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 1.6V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 12V 7785 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SI1413DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1413DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3621 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1413 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.3A (TA) 1.8V, 4.5V 115mohm @ 2.9a, 4.5v 800mv @ 100µa 8.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 1W (TA)
SIRA26DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA26DP-T1-RE3 0.7300
RFQ
ECAD 1009 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira26 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.65mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 44 NC @ 10 v +16V, -12V 2247 pf @ 10 v - 43.1W (TC)
SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-GE3 2.9300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR668 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 23.2A (TA), 95A (TC) 7.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 50 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SI7901EDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7901EDN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9765 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7901 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.3A 48mohm @ 6.3a, 4.5v 1V @ 800µA 18NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI4090BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4090BDY-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 12.2A (TA), 18.7A (TC) 6V, 10V 10mohm @ 12.2a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3570 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 7.4W (TC)
SIA430DJT-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA430DJT-T4-GE3 0.1781
RFQ
ECAD 2613 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA430 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 12A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
SIHU5N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHU5N80AE-GE3 1.1900
RFQ
ECAD 5530 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA SIHU5 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHU5N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 4.4A (TC) 10V 1.35ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 30V 321 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SI4884BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4884BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4884 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16.5A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1525 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 4.45W (TC)
SI2304BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-GE3 0.4700
RFQ
ECAD 105 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2304 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 70mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250µA 4 NC @ 5 v ± 20V 225 pf @ 15 v - 750MW (TA)
U430 Vishay Siliconix U430 -
RFQ
ECAD 1693 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 78-6 금속 6 U430 500MW To-78-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 100 2 n 채널 (채널) 5pf @ 10V 25 v 12 ma @ 10 v 1 v @ 1 na
SI7945DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7945DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7821 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7945 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 7a 20mohm @ 10.9a, 10V 3V @ 250µA 74NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIE868DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE868DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3193 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE868 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SI5920DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5920DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8082 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5920 MOSFET (금속 (() 3.12W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 8V 4a 32mohm @ 6.8a, 4.5v 1V @ 250µA 12NC @ 5V 680pf @ 4v 논리 논리 게이트
IRF840LCPBF-BE3 Vishay Siliconix IRF840LCPBF-BE3 2.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRL620STRLPBF Vishay Siliconix irl620strlpbf 2.0300
RFQ
ECAD 130 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 4V, 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 10V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SIA467EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA467EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9770 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA467 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 31A (TC) 1.8V, 4.5V 13mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 72 NC @ 8 v ± 8V 2520 pf @ 6 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI7898DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7898DP-T1-GE3 2.2300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7898 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 3A (TA) 6V, 10V 85mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI7664DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7664DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3562 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7664 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 20a, 10V 1.8V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 12V 7770 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SUD15N15-95-BE3 Vishay Siliconix SUD15N15-95-BE3 2.2000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD15 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-SUD15N15-95-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 15A (TC) 6V, 10V 95mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 900 pf @ 25 v - 2.7W (TA), 62W (TC)
IRF9620STRLPBF Vishay Siliconix IRF9620STRLPBF 2.6600
RFQ
ECAD 796 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3W (TA), 40W (TC)
IRF737LCSTRL Vishay Siliconix IRF737LCSTRL -
RFQ
ECAD 2436 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF737 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 300 v 6.1A (TC) 10V 750mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 430 pf @ 25 v - -
SI4842BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4842BDY-T1-E3 2.4800
RFQ
ECAD 185 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4842 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 28A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3650 pf @ 15 v - 3W (TA), 6.25W (TC)
SI5415AEDU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5415AEDU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9659 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5415 MOSFET (금속 (() PowerPak® Chipfet 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 25A (TC) 1.8V, 4.5V 9.6mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 120 nc @ 8 v ± 8V 4300 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SI4462DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4462DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2650 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4462 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 1.15A (TA) 480mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 9 NC @ 10 v -
SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH110DN-T1-GE3 0.6284
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH110 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 13.5A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 21.1a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SQD50N06-09L_GE3 Vishay Siliconix SQD50N06-09L_GE3 5.0200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 3065 pf @ 25 v - 136W (TC)
SIHW47N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHW47N60E-GE3 9.7500
RFQ
ECAD 225 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 SIHW47 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 64mohm @ 24a, 10V 4V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 9620 pf @ 100 v - 357W (TC)
SI4464DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4464DY-T1-GE3 1.4000
RFQ
ECAD 3268 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4464 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 1.7A (TA) 6V, 10V 240mohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SISS42DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS42DN-T1-GE3 0.6825
RFQ
ECAD 5178 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS42 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 11.8A (TA), 40.5A (TC) 7.5V, 10V 14.4mohm @ 15a, 10V 3.4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 50 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고