전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI7380ADP-T1-GE3 | - | ![]() | 9647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7380 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 1.6V @ 250µA | 185 NC @ 10 v | ± 12V | 7785 pf @ 15 v | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||||
![]() | SI1413DH-T1-GE3 | - | ![]() | 3621 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1413 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 115mohm @ 2.9a, 4.5v | 800mv @ 100µa | 8.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1W (TA) | ||||||||
![]() | SIRA26DP-T1-RE3 | 0.7300 | ![]() | 1009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira26 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | +16V, -12V | 2247 pf @ 10 v | - | 43.1W (TC) | ||||||||
![]() | SIDR668DP-T1-GE3 | 2.9300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIDR668 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 23.2A (TA), 95A (TC) | 7.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10V | 3.4V @ 250µA | 108 NC @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 50 v | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||||||
![]() | SI7901EDN-T1-E3 | - | ![]() | 9765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7901 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.3A | 48mohm @ 6.3a, 4.5v | 1V @ 800µA | 18NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||||
![]() | SI4090BDY-T1-GE3 | 1.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 12.2A (TA), 18.7A (TC) | 6V, 10V | 10mohm @ 12.2a, 10V | 4V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 3570 pf @ 50 v | - | 3.1W (TA), 7.4W (TC) | |||||||||
![]() | SIA430DJT-T4-GE3 | 0.1781 | ![]() | 2613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA430 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 12A (TA), 12A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 10 v | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | ||||||||
![]() | SIHU5N80AE-GE3 | 1.1900 | ![]() | 5530 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | SIHU5 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHU5N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 800 v | 4.4A (TC) | 10V | 1.35ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 16.5 nc @ 10 v | ± 30V | 321 pf @ 100 v | - | 62.5W (TC) | |||||||
![]() | SI4884BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 2948 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4884 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 16.5A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1525 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 4.45W (TC) | ||||||||
![]() | SI2304BDS-T1-GE3 | 0.4700 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2304 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2.6A (TA) | 4.5V, 10V | 70mohm @ 2.5a, 10V | 3V @ 250µA | 4 NC @ 5 v | ± 20V | 225 pf @ 15 v | - | 750MW (TA) | |||||||
![]() | U430 | - | ![]() | 1693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 78-6 금속 6 | U430 | 500MW | To-78-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 100 | 2 n 채널 (채널) | 5pf @ 10V | 25 v | 12 ma @ 10 v | 1 v @ 1 na | |||||||||||||
![]() | SI7945DP-T1-GE3 | - | ![]() | 7821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7945 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 7a | 20mohm @ 10.9a, 10V | 3V @ 250µA | 74NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||||
![]() | SIE868DF-T1-GE3 | - | ![]() | 3193 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE868 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 6100 pf @ 20 v | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||||||
![]() | SI5920DC-T1-E3 | - | ![]() | 8082 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5920 | MOSFET (금속 (() | 3.12W | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 8V | 4a | 32mohm @ 6.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 12NC @ 5V | 680pf @ 4v | 논리 논리 게이트 | |||||||||
![]() | IRF840LCPBF-BE3 | 2.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF840 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||
![]() | irl620strlpbf | 2.0300 | ![]() | 130 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl620 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V @ 250µA | 16 nc @ 5 v | ± 10V | 360 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||
![]() | SIA467EDJ-T1-GE3 | - | ![]() | 9770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA467 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 31A (TC) | 1.8V, 4.5V | 13mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 72 NC @ 8 v | ± 8V | 2520 pf @ 6 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||||||
![]() | SI7898DP-T1-GE3 | 2.2300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7898 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 3A (TA) | 6V, 10V | 85mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||||||
![]() | SI7664DP-T1-E3 | - | ![]() | 3562 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7664 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 20a, 10V | 1.8V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 12V | 7770 pf @ 15 v | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||||
![]() | SUD15N15-95-BE3 | 2.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD15 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SUD15N15-95-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 150 v | 15A (TC) | 6V, 10V | 95mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 900 pf @ 25 v | - | 2.7W (TA), 62W (TC) | ||||||||
![]() | IRF9620STRLPBF | 2.6600 | ![]() | 796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9620 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 200 v | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 40W (TC) | ||||||||
![]() | IRF737LCSTRL | - | ![]() | 2436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF737 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 300 v | 6.1A (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 430 pf @ 25 v | - | - | ||||||||
![]() | SI4842BDY-T1-E3 | 2.4800 | ![]() | 185 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4842 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 28A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 3650 pf @ 15 v | - | 3W (TA), 6.25W (TC) | ||||||||
![]() | SI5415AEDU-T1-GE3 | - | ![]() | 9659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5415 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® Chipfet 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 25A (TC) | 1.8V, 4.5V | 9.6mohm @ 10a, 4.5v | 1V @ 250µA | 120 nc @ 8 v | ± 8V | 4300 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||||||
![]() | SI4462DY-T1-E3 | - | ![]() | 2650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4462 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 1.15A (TA) | 480mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 9 NC @ 10 v | - | ||||||||||||
![]() | SISH110DN-T1-GE3 | 0.6284 | ![]() | 6787 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISH110 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 13.5A (TA) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 21.1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||||||
![]() | SQD50N06-09L_GE3 | 5.0200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 3065 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | ||||||||
![]() | SIHW47N60E-GE3 | 9.7500 | ![]() | 225 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | SIHW47 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 47A (TC) | 10V | 64mohm @ 24a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 9620 pf @ 100 v | - | 357W (TC) | ||||||||
![]() | SI4464DY-T1-GE3 | 1.4000 | ![]() | 3268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4464 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 1.7A (TA) | 6V, 10V | 240mohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||||||
![]() | SISS42DN-T1-GE3 | 0.6825 | ![]() | 5178 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS42 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 11.8A (TA), 40.5A (TC) | 7.5V, 10V | 14.4mohm @ 15a, 10V | 3.4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1850 pf @ 50 v | - | 4.8W (TA), 57W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고