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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF830ARSTRLPBF | 2.3800 |  | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF830 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||||
 | sihu6n65e-ge3 | 0.7796 | | 6308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB | Sihu6 | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 650 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 30V | 820 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | |||||
| IRF9Z34SPBF | 2.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9Z34 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 18A (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SQM120N04-1M7_GE3 | 2.1512 | | 7763 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM120 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SQM120N04-1M7-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 1.7mohm @ 30a, 10V | 3.5V @ 250µA | 310 nc @ 10 v | ± 20V | 17350 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||
 | sqja82ep-t1_ge3 | 1.1900 | | 3840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJA82 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 8.2MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||
 | SI4459ADY-T1-GE3 | 1.6000 | | 54 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4459 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 29A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 195 NC @ 10 v | ± 20V | 6000 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
 | SIA459EDJ-T1-GE3 | 0.5000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA459 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 9A (TC) | 2.5V, 4.5V | 35mohm @ 5a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 12V | 885 pf @ 10 v | - | 2.9W (TA), 15.6W (TC) | |||||
 | SI1307DL-T1-GE3 | - | | 8633 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | SI1307 | MOSFET (금속 (() | SC-70-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 850MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 290mohm @ 1a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 5 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 290MW (TA) | |||||
 | SIHW70N60EF-GE3 | 8.2809 | | 8568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHW70 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 70A (TC) | 10V | 38mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 380 nc @ 10 v | ± 30V | 7500 pf @ 100 v | - | 520W (TC) | |||||
| IRFP450APBF | 3.9100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP450 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFP450APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 500 v | 14A (TC) | 10V | 400mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 30V | 2038 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||
 | sqj457ep-t2_ge3 | 0.9900 | | 9575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 3400 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||
 | SI6963BDQ-T1-E3 | - | | 8660 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6963 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 3.4a | 45mohm @ 3.9a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 11nc @ 4.5v | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SQ3493EV-T1_GE3 | 0.6900 | | 1143 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3493 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-sq3493ev-t1_ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 8A (TC) | 2.5V, 4.5V | 21mohm @ 5a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 34 NC @ 4.5 v | ± 12V | 3300 pf @ 10 v | - | 5W (TC) | ||||
| SUM110N03-03P-E3 | - | | 2087 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM110 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.6MOHM @ 30A, 10V | 3V @ 250µA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 12100 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | ||||
 | SIHA15N50E-GE3 | 2.2100 | | 9714 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHA15N50E-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 14.5A (TC) | 10V | 280mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 30V | 1162 pf @ 100 v | - | 33W (TC) | ||||||
 | sqjb80ep-t1_be3 | 1.1900 | | 9504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJB80 | MOSFET (금속 (() | 48W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqjb80ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 80V | 30A (TC) | 19mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 32NC @ 10V | 1400pf @ 25V | - | |||||||
| SIJ438DP-T1-GE3 | 1.7300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIJ438 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 1.35mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 182 NC @ 10 v | +20V, -16V | 9400 pf @ 20 v | - | 69.4W (TC) | |||||
 | irll014trpbf-be3 | 0.8800 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRLL014 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irll014trpbf-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 2.7A (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 1.6a, 5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 v | ± 10V | 400 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | SI5411EDU-T1-GE3 | - | | 2253 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5411 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® Chipfet 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 25A (TC) | 1.8V, 4.5V | 8.2mohm @ 6a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 105 NC @ 8 v | ± 8V | 4100 pf @ 6 v | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
 | SIHP22N60AE-BE3 | 3.7500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 30V | 1451 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | |||||||
| SIHG70N60AEF-GE3 | 11.1500 | | 4882 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG70 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 60A (TC) | 10V | 41mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 410 nc @ 10 v | ± 20V | 5348 pf @ 100 v | - | 417W (TC) | |||||
 | SIHFR9120-GE3 | 0.7500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHFR9120 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SI7448DP-T1-E3 | - | | 1350 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7448 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 13.4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 6.5mohm @ 22a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.9W (TA) | |||||
| SIHD186N60EF-GE3 | 3.0900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD186 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 19A (TC) | 10V | 201MOHM @ 9.5A, 10V | 5V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 1118 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||
 | IRFZ24PBF-BE3 | 1.6400 | | 188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ24 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-IRFZ24PBF-BE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 17A (TC) | 100mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | ||||||
| SIHP38N60EF-GE3 | 4.3943 | | 1379 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP38 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 40A (TC) | 10V | 70mohm @ 23.5a, 10V | 4V @ 250µA | 189 NC @ 10 v | ± 30V | 3576 pf @ 100 v | - | 313W (TC) | |||||
| SQ4483EY-T1_BE3 | 1.5100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4483 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 113 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 15 v | - | 7W (TC) | |||||
| SI7884BDP-T1-E3 | 2.9200 | | 4517 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7884 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 58A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 16a, 10V | 3V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 3540 pf @ 20 v | - | 4.6W (TA), 46W (TC) | |||||
| SI7380ADP-T1-GE3 | - | | 9647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7380 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 1.6V @ 250µA | 185 NC @ 10 v | ± 12V | 7785 pf @ 15 v | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SI1413DH-T1-GE3 | - | | 3621 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1413 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 115mohm @ 2.9a, 4.5v | 800mv @ 100µa | 8.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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