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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
irfr224tr	-	RFQ	6167	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR224	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	250 v	3.8A (TC)	10V	1.1ohm @ 2.3a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
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IRFD9110PBF	1.6300	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFD9110	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFD9110PBF	귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	100 v	700MA (TA)	10V	1.2ohm @ 420ma, 10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 v	± 20V	200 pf @ 25 v	-	1.3W (TA)
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sq4917cey-t1_ge3	1.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4917	MOSFET (금속 (()	5W (TC)	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		60V	8A (TC)		48mohm @ 4.3a, 10V	2.5V @ 250µA	65NC @ 10V		1910pf @ 30v	-
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irf730astrl	-	RFQ	8134	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF730	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	400 v	5.5A (TC)	10V	1ohm @ 3.3a, 10V	4.5V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 30V	600 pf @ 25 v	-	74W (TC)
SISS94DN-T1-GE3	0.9100	RFQ	7062	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8S	SISS94	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	5.4A (TA), 19.5A (TC)	7.5V, 10V	75mohm @ 5.4a, 10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 20V	350 pf @ 100 v	-	5.1W (TA), 65.8W (TC)
SI3911DV-T1-E3	-	RFQ	5753	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3911	MOSFET (금속 (()	830MW	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	1.8a		145mohm @ 2.2a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	7.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI4848DY-T1-E3	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4848	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	150 v	2.7A (TA)	6V, 10V	85mohm @ 3.5a, 10V	2V @ 250µA (Min)	21 NC @ 10 v	± 20V		-	1.5W (TA)
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SQ4483BEEY-T1_GE3	1.7500	RFQ	26	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4483	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	22A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	113 NC @ 10 v	± 20V		-	7W (TC)
SIJ484DP-T1-GE3	-	RFQ	7114	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIJ484	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 20V	1600 pf @ 15 v	-	5W (TA), 27.7W (TC)
SI4620DY-T1-E3	-	RFQ	9669	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4620	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	6A (TA), 7.5A (TC)	4.5V, 10V	35mohm @ 6a, 10V	2.5V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	1040 pf @ 15 v	Schottky 분리 (다이오드)	2W (TA), 3.1W (TC)
SI4966DY-T1-E3	-	RFQ	7920	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4966	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		20V	-		25mohm @ 7.1a, 4.5v	1.5V @ 250µA	50NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
irfr420atrlpbf	0.7088	RFQ	4990	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR420	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	500 v	3.3A (TC)	10V	3ohm @ 1.5a, 10V	4.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 30V	340 pf @ 25 v	-	83W (TC)
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SI7664DP-T1-GE3	-	RFQ	4873	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7664	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 20a, 10V	1.8V @ 250µA	125 nc @ 10 v	± 12V	7770 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)
SIHFZ48S-GE3	1.0810	RFQ	4427	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHFZ48	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	60 v	50A (TC)	10V	18mohm @ 43a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 190W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²