SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1022R-T1-GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1022 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 330ma (TA) 4.5V, 10V 1.25ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 250MW (TA)
SISS66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS66DN-T1-GE3 1.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS66 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 49.1A (TA), 178.3A (TC) 4.5V, 10V 1.38mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 85.5 nc @ 10 v +20V, -16V 3327 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SQD30N05-20L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD30N05-20L_T4GE3 0.4851
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD30 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SQD30N05-20L_T4GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 30A (TC) 4.5V, 10V 20MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 20V 1175 pf @ 25 v - 50W (TC)
SIHFR024-GE3 Vishay Siliconix SIHFR024-GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQJ409EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj409ep-t2_ge3 1.4900
RFQ
 ECAD 7432 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj409ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRFR014TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr014trlpbf-be3 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfr014trlpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQ2310ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_BE3 0.9000
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2310 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SQ2310ES-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 8V 485 pf @ 10 v - 2W (TC)
SIHD6N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N80AE-GE3 1.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 800 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 22.5 nc @ 10 v ± 30V 422 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SIHA2N80E-GE3 Vishay Siliconix siha2n80e-ge3 1.6500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA2 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 2.8A (TC) 10V 2.75ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 19.6 NC @ 10 v ± 30V 315 pf @ 100 v - 29W (TC)
SI2304DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-BE3 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2304 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-si2304dds-t1-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.3A (TA), 3.6A (TC) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.2a, 10V 2.2V @ 250µA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 235 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 1.7W (TC)
SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2319CDS-T1-BE3 0.5700
RFQ
 ECAD 216 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2319 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 3.1A (TA), 4.4A (TC) 4.5V, 10V 77mohm @ 3.1a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 595 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SIRC10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRC10DP-T1-GE3 0.8700
RFQ
 ECAD 5369 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIRC10 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 36 nc @ 10 v +20V, -16V 1873 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 43W (TC)
SIHP22N60S-E3 Vishay Siliconix SIHP22N60S-E3 -
RFQ
 ECAD 1043 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP22 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP22N60SE3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 22A (TC) 190mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v 2810 pf @ 25 v -
SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix SQD40P10-40L_GE3 2.7600
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 38A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 8.2a, 10V 2.5V @ 250µA 144 NC @ 10 v ± 20V 5540 pf @ 15 v - 136W (TC)
SQJ850EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj850ep-t1_ge3 1.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ850 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 24A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 10.3a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1225 pf @ 30 v - 45W (TC)
SIJA22DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJA22DP-T1-GE3 1.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sija22 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIJA22DP-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 64A (TA), 201a (TC) 0.74mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 125 nc @ 10 v +20V, -16V 6500 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 48W (TC)
SIS9446DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS9446DN-T1-GE3 1.2800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() 2.6W (TA), 23W (TC) PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 40V 11.3A (TA), 34A (TC) 1.2MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 16NC @ 10V 720pf @ 20V 기준
SI4830CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4830CDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5772 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4830 MOSFET (금속 (() 2.9W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 8a 20mohm @ 8a, 10V 3V @ 1mA 25NC @ 10V 950pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIZF918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF918DT-T1-GE3 1.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn SIZF918 MOSFET (금속 (() 3.4W (TA), 26.6W (TC), 3.7W (TA), 50W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 23A (TA), 40A (TC), 35A (TA), 60A (TC) 4mohm @ 10a, 10v, 1.9mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA, 2.3V @ 250µA 22NC @ 10V, 56NC @ 10V 1060pf @ 15v, 2650pf @ 15v -
SQ4850EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4850ey-t1_ge3 1.3700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4850 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 6a, 5V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 25 v - 6.8W (TC)
SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA921EDJ-T1-GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA921 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A 59mohm @ 3.6a, 4.5v 1.4V @ 250µA 23NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI1300BDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1300BDL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9245 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1300 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 400MA (TC) 2.5V, 4.5V 850mohm @ 250ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.84 nc @ 4.5 v ± 8V 35 pf @ 10 v - 190MW (TA), 200MW (TC)
SQA444CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa444cejw-t1_ge3 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 9A (TC) 4.5V, 10V 39mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4282EY-T1_BE3 1.5100
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4282 MOSFET (금속 (() 3.9W (TC) 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 742-SQ4282EY-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TC) 12.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 47NC @ 10V 2367pf @ 15V -
SIZ256DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ256DT-T1-GE3 1.3100
RFQ
 ECAD 7571 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz256 MOSFET (금속 (() 4.3W (TA), 33W (TC) 8-PowerPair® (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 742-SIZ256DT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 70V 11.5A (TA), 31.8A (TC) 17.6mohm @ 7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 27NC @ 10V 1060pf @ 35v -
SI4401BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4401BDY-T1-GE3 1.9500
RFQ
 ECAD 9135 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4401 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 8.7A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 10.5a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SI5441DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5441DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5441 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.9A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 3.9a, 4.5v 1.4V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
2N5115JTVL02 Vishay Siliconix 2N5115JTVL02 -
RFQ
 ECAD 4741 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5115 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 - -
SIDR104AEP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR104AEP-T1-RE3 3.0500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 21.1A (TA), 90.5A (TC) 7.5V, 10V 6.1mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3250 pf @ 50 v - 6.5W (TA), 120W (TC)
SIHA21N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHA21N65EF-GE3 4.7200
RFQ
 ECAD 3706 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA21N65EF-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 30V 2322 pf @ 100 v - 35W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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