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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI3483DV-T1-E3	-	RFQ	2604	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3483	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	4.7A (TA)	4.5V, 10V	35mohm @ 6.2a, 10V	3V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V		-	1.14W (TA)
Siz900DT-T1-GE3	-	RFQ	2301	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-PowerPair ™	Siz900	MOSFET (금속 (()	48W, 100W	6-PowerPair ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)		30V	24a, 28a		7.2MOHM @ 19.4A, 10V	2.4V @ 250µA	45NC @ 10V		1830pf @ 15V	논리 논리 게이트
SI6423DQ-T1-GE3	1.7700	RFQ	191	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6423	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	8.2A (TA)	1.8V, 4.5V	8.5mohm @ 9.5a, 4.5v	800MV @ 400µA	110 NC @ 5 v	± 8V		-	1.05W (TA)
IRFD024	-	RFQ	2288	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFD024	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRFD024	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	2.5A (TA)	10V	100mohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	1.3W (TA)
Sisha06dn-T1-Ge3	1.0200	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SH		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	28.1A (TA), 104A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 10A, 10V	2.4V @ 250µA	67 NC @ 10 v	+20V, -16V	3932 pf @ 15 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SQS180ELNW-T1_GE3	1.1200	RFQ	50	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	PowerPak® 1212-8SLW		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SLW	-	Rohs3 준수	1 (무제한)					3,000		n 채널	80 v	82A (TC)	4.5V, 10V	7.1MOHM @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	68 NC @ 10 v	± 20V	3689 pf @ 25 v	-	119W (TC)
SI7116BDN-T1-GE3	1.1600	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7116	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	18.4A (TA), 65A (TC)		7.4mohm @ 16a, 10V	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 v	± 20V	1915 pf @ 20 v	-	5W (TA), 62.5W (TC)
SI7336ADP-T1-GE3	1.8000	RFQ	77	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7336	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	30A (TA)	4.5V, 10V	3MOHM @ 25A, 10V	3V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 20V	5600 pf @ 15 v	-	5.4W (TA)
SI5513CDC-T1-E3	0.6200	RFQ	8418	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5513	MOSFET (금속 (()	3.1W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	4A, 3.7A		55mohm @ 4.3a, 4.5v	1.5V @ 250µA	4.2NC @ 5V		285pf @ 10V	논리 논리 게이트
SI6473DQ-T1-E3	-	RFQ	2730	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6473	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	6.2A (TA)	1.8V, 4.5V	12.5mohm @ 9.5a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	70 nc @ 5 v	± 8V		-	1.08W (TA)
irl640pbf	2.4800	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	irl640	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*irl640pbf	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	200 v	17A (TC)	4V, 5V	180mohm @ 10a, 5V	2V @ 250µA	66 NC @ 5 v	± 10V	1800 pf @ 25 v	-	125W (TC)
IRF744L	-	RFQ	9534	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRF744	MOSFET (금속 (()		i2pak	-	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRF744L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	450 v	8.8A (TC)	10V	630mohm @ 5.3a, 10V	4V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 25 v	-	-
SIA950DJ-T1-GE3	-	RFQ	3492	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA950	MOSFET (금속 (()	7W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		190V	950ma		3.8ohm @ 360ma, 4.5v	1.4V @ 250µA	4.5NC @ 10V		90pf @ 100v	논리 논리 게이트
SIHP22N60E-GE3	4.0300	RFQ	7870	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP22	MOSFET (금속 (()			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	21A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 v	± 30V	1920 pf @ 100 v	-	227W (TC)
SUD50N02-06P-GE3	-	RFQ	2065	Vishay Siliconix	*	테이프 & tr (TR)	활동적인				SUD50				-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000
SIZF906BDT-T1-GE3	2.0200	RFQ	29	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	SIZF906	MOSFET (금속 (()	4.5W (TA), 38W (TC), 5W (TA), 83W (TC)	8-PowerPair® (6x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIZF906BDT-T1-GE3CT	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널), Schottky		30V	36A (TA), 105A (TC), 63A (TA), 257A (TC)		2.1mohm @ 15a, 10v, 680µohm @ 20a, 10v	2.2V @ 250µA	49NC @ 10V, 165NC @ 10V		1630pf @ 15v, 5550pf @ 15v	-
IRFI624G	-	RFQ	8475	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI624	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFI624G	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	250 v	3.4A (TC)	10V	1.1ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	30W (TC)
IRF730ARSTRPBF	-	RFQ	1299	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF730	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	400 v	5.5A (TC)	10V	1ohm @ 3.3a, 10V	4.5V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 30V	600 pf @ 25 v	-	74W (TC)
sqj162ep-t1_ge3	1.3200	RFQ	7763	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)					3,000		n 채널	60 v	166A (TC)	10V	5mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 20V	3930 pf @ 25 v	-	250W (TC)
2N4860JTXL02	-	RFQ	7180	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N4860			TO-206AA (TO-18)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	40		-								-
SIHK105N60E-T1-GE3	5.6900	RFQ	50	Vishay Siliconix	ef	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerbsfn		MOSFET (금속 (()		PowerPak®10 x 12	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHK105N60E-T1-GE3CT	귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	600 v	24A (TC)	10V	10A @ 10A, 10V	5V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 30V	2301 pf @ 100 v	-	142W (TC)
IRFBC30AST	-	RFQ	2952	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFBC30	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	600 v	3.6A (TC)	10V	2.2ohm @ 2.2a, 10V	4.5V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 30V	510 pf @ 25 v	-	74W (TC)
SI4823DY-T1-GE3	-	RFQ	4938	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4823	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	4.1A (TC)	2.5V, 4.5V	108mohm @ 3.3a, 4.5v	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 12V	660 pf @ 10 v	Schottky 분리 (다이오드)	1.7W (TA), 2.8W (TC)
sqj464ep-t1_ge3	1.0100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ464	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	32A (TC)	4.5V, 10V	17mohm @ 7.1a, 10V	2.5V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	2086 pf @ 30 v	-	45W (TC)
SI4435FDY-T1-GE3	0.4900	RFQ	5590	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4435	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	12.6A (TC)	4.5V, 10V	19mohm @ 9a, 10V	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	1500 pf @ 15 v	-	4.8W (TC)
sqj431ep-t2_ge3	0.9356	RFQ	1591	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ431	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sqj431ep-t2_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	200 v	12A (TC)	6V, 10V	213mohm @ 3.8a, 10V	3.5V @ 250µA	106 NC @ 10 v	± 20V	4355 pf @ 25 v	-	83W (TC)
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SIHD7N60ET4-GE3	0.8080	RFQ	2938	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SIHD7	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	7A (TC)	10V	600mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 30V	680 pf @ 100 v	-	78W (TC)
SI8425DB-T1-E1	0.5900	RFQ	1239	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-UFBGA, WLCSP	SI8425	MOSFET (금속 (()		4-WLCSP (1.6x1.6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5.9A (TA)	1.8V, 4.5V	2A @ 2A, 4.5V	900MV @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 10V	2800 pf @ 10 v	-	1.1W (TA), 2.7W (TC)
IRF840	-	RFQ	2932	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF840	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	125W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²