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트랜지스터 (5716)
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| SIHP4N80E-GE3 | 1.0201 | | 5949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP4 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 4.3A (TC) | 10V | 1.27ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 622 pf @ 100 v | - | 69W (TC) | ||||||||
 | sqja92ep-t1_ge3 | 1.1900 | | 3462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJA92 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 57A (TC) | 10V | 9.5mohm @ 10a, 10V | 3.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 2650 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | ||||||||
| SI3483CDV-T1-E3 | 1.0000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3483 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 8A (TC) | 10V | 34mohm @ 6.1a, 10V | 3V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1000 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 4.2W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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