SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQJ162EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj162ep-t1_ge3 1.3200
RFQ
ECAD 7763 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 60 v 166A (TC) 10V 5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 3930 pf @ 25 v - 250W (TC)
2N4860JTXL02 Vishay Siliconix 2N4860JTXL02 -
RFQ
ECAD 7180 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4860 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SIHK105N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK105N60E-T1-GE3 5.6900
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHK105N60E-T1-GE3CT 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 10A @ 10A, 10V 5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 30V 2301 pf @ 100 v - 142W (TC)
SI4823DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4823DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4938 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4823 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.1A (TC) 2.5V, 4.5V 108mohm @ 3.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 660 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.7W (TA), 2.8W (TC)
SQJ464EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj464ep-t1_ge3 1.0100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ464 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 32A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 7.1a, 10V 2.5V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 2086 pf @ 30 v - 45W (TC)
SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4435FDY-T1-GE3 0.4900
RFQ
ECAD 5590 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 12.6A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 9a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 4.8W (TC)
SQJ431EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj431ep-t2_ge3 0.9356
RFQ
ECAD 1591 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ431 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj431ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 12A (TC) 6V, 10V 213mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 20V 4355 pf @ 25 v - 83W (TC)
SISA14BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA14BDN-T1-GE3 0.7100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 21A (TA), 72A (TC) 4.5V, 10V 5.38mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 22 nc @ 10 v +20V, -16V 917 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
SIHD7N60ET4-GE3 Vishay Siliconix SIHD7N60ET4-GE3 0.8080
RFQ
ECAD 2938 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8425DB-T1-E1 0.5900
RFQ
ECAD 1239 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP SI8425 MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (1.6x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.9A (TA) 1.8V, 4.5V 2A @ 2A, 4.5V 900MV @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 10V 2800 pf @ 10 v - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
IRF840 Vishay Siliconix IRF840 -
RFQ
ECAD 2932 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIR850DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir850DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2345 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir850 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1120 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 41.7W (TC)
IRFR9120TRLPBF Vishay Siliconix irfr9120trlpbf 1.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI7726DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7726DN-T1-GE3 0.3822
RFQ
ECAD 8983 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7726 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.6V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1765 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI7328DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7328DN-T1-E3 0.9923
RFQ
ECAD 8663 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7328 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 18.9a, 10V 1.5V @ 250µA 31.5 nc @ 4.5 v ± 12V 2610 pf @ 15 v - 3.78W (TA), 52W (TC)
SQM40022E_GE3 Vishay Siliconix SQM40022E_GE3 1.7500
RFQ
ECAD 6591 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM40022 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 150A (TC) 10V 1.63mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 9200 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFRC20TR Vishay Siliconix irfrc20tr -
RFQ
ECAD 2891 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHP054N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHP054N65E-GE3 8.1800
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 58mohm @ 20a, 10V 5V @ 250µA 108 NC @ 20 v ± 30V 3769 pf @ 100 v - 312W (TC)
SI6993DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4104 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6993 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 3.6a 31mohm @ 4.7a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIR698DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir698dp-t1-ge3 1.3100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir698 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.5A (TC) 6V, 10V 195mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 210 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 23W (TC)
IRFBG30 Vishay Siliconix IRFBG30 -
RFQ
ECAD 3844 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBG30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBG30 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1000 v 3.1A (TC) 10V 5ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 980 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI3447BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3447BDV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9859 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3447 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
IRF614STRL Vishay Siliconix IRF614STRL -
RFQ
ECAD 8666 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF614 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 2ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
IRF830PBF Vishay Siliconix IRF830PBF 1.5800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF830 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRFD9220PBF Vishay Siliconix IRFD9220PBF 2.7600
RFQ
ECAD 2009 년 년 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9220 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 200 v 560MA (TA) 10V 1.5ohm @ 340ma, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRFR420PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR420PBF-BE3 0.7513
RFQ
ECAD 1006 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr420pbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI3586DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3586DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8818 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3586 MOSFET (금속 (() 830MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 2.9a, 2.1a 60mohm @ 3.4a, 4.5v 1.1V @ 250µA 6NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7911DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7911 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.2A 51mohm @ 5.7a, 4.5v 1V @ 250µA 15NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIA462DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA462DJ-T4-GE3 -
RFQ
ECAD 6987 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA462 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 9a, 10V 2.4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 570 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SUM40N10-30-E3 Vishay Siliconix SUM40N10-30-E3 -
RFQ
ECAD 8392 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum40 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 40A (TC) 6V, 10V 30mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 107W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고