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![]() | SIA462DJ-T4-GE3 | - | ![]() | 6987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA462 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 12A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 9a, 10V | 2.4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
![]() | SUM40N10-30-E3 | - | ![]() | 8392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum40 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 40A (TC) | 6V, 10V | 30mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 107W (TC) |
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