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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI5481DU-T1-GE3	-	RFQ	9846	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 싱글	SI5481	MOSFET (금속 (()		PowerPak® ChipFet ™ 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	12A (TC)	1.8V, 4.5V	22mohm @ 6.5a, 4.5v	1V @ 250µA	50 nc @ 8 v	± 8V	1610 pf @ 10 v	-	3.1W (TA), 17.8W (TC)
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Siz900DT-T1-GE3	-	RFQ	2301	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-PowerPair ™	Siz900	MOSFET (금속 (()	48W, 100W	6-PowerPair ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)		30V	24a, 28a		7.2MOHM @ 19.4A, 10V	2.4V @ 250µA	45NC @ 10V		1830pf @ 15V	논리 논리 게이트
SI6423DQ-T1-GE3	1.7700	RFQ	191	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6423	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	8.2A (TA)	1.8V, 4.5V	8.5mohm @ 9.5a, 4.5v	800MV @ 400µA	110 NC @ 5 v	± 8V		-	1.05W (TA)
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SI6473DQ-T1-E3	-	RFQ	2730	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6473	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	6.2A (TA)	1.8V, 4.5V	12.5mohm @ 9.5a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	70 nc @ 5 v	± 8V		-	1.08W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²