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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
sqja84ep-t1_ge3	1.2100	RFQ	18	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJA84	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	46A (TC)	4.5V, 10V	12.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	2100 pf @ 25 v	-	55W (TC)
SI1988DH-T1-E3	-	RFQ	9762	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1988	MOSFET (금속 (()	1.25W	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	1.3a		168mohm @ 1.4a, 4.5v	1V @ 250µA	4.1nc @ 8v		110pf @ 10V	논리 논리 게이트
SI1972DH-T1-E3	-	RFQ	3650	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1972	MOSFET (금속 (()	1.25W	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	1.3a		225mohm @ 1.3a, 10V	2.8V @ 250µA	2.8NC @ 10V		75pf @ 15V	-
irf830strlpbf	2.3800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF830	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	500 v	4.5A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.7a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	610 pf @ 25 v	-	74W (TC)
SUM70040M-GE3	3.0600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)	SUM70040	MOSFET (금속 (()		TO-263-7	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	120A (TC)	7.5V, 10V	3.8mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 20V	5100 pf @ 50 v	-	375W (TC)
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sqj488ep-t1_ge3	1.5800	RFQ	4062	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ488	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	42A (TC)	4.5V, 10V	21mohm @ 7.4a, 10V	2.5V @ 250µA	27 NC @ 10 v	± 20V	979 pf @ 25 v	-	83W (TC)
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SI3473DV-T1-E3	-	RFQ	1770	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3473	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	5.9A (TA)	1.8V, 4.5V	23mohm @ 7.9a, 4.5v	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.1W (TA)
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SI1488DH-T1-GE3	-	RFQ	6551	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1488	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	6.1A (TC)	1.8V, 4.5V	49mohm @ 4.6a, 4.5v	950MV @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 8V	530 pf @ 10 v	-	1.5W (TA), 2.8W (TC)
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sqj963ep-t1_ge3	1.8600	RFQ	4	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TA)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ963	MOSFET (금속 (()	27W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		60V	8A (TC)		85mohm @ 3.5a, 10V	2.5V @ 250µA	40NC @ 10V		1140pf @ 30V	-
sqj401ep-t1_ge3	2.0200	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ401	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	32A (TC)	2.5V, 4.5V	6MOHM @ 15A, 4.5V	1.5V @ 250µA	164 NC @ 4.5 v	± 8V	10015 pf @ 6 v	-	83W (TC)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²