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트랜지스터 (5716)
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| SUD50N02-06P-GE3 | - | | 2065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | SUD50 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| SI4823DY-T1-GE3 | - | | 4938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4823 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 4.1A (TC) | 2.5V, 4.5V | 108mohm @ 3.3a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 12V | 660 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.7W (TA), 2.8W (TC) | |||||
| SQS180ELNW-T1_GE3 | 1.1200 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | PowerPak® 1212-8SLW | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SLW | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | n 채널 | 80 v | 82A (TC) | 4.5V, 10V | 7.1MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 3689 pf @ 25 v | - | 119W (TC) | ||||||||
| SI7336ADP-T1-GE3 | 1.8000 | | 77 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7336 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 30A (TA) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 25A, 10V | 3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 5600 pf @ 15 v | - | 5.4W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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