전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIHJ7N65E-T1-GE3 | 1.1737 | ![]() | 7081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIHJ7 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 7.9A (TC) | 10V | 598mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 30V | 820 pf @ 100 v | - | 96W (TC) | |||||
![]() | SI3529DV-T1-E3 | - | ![]() | 2037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3529 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 40V | 2.5a, 1.95a | 125mohm @ 2.2a, 10V | 3V @ 250µA | 7NC @ 10V | 205pf @ 20V | 논리 논리 게이트 | ||||||
IRF9Z24PBF | 1.9400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9Z24 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 11A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | ||||||
SIHP4N80E-GE3 | 1.0201 | ![]() | 5949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP4 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 4.3A (TC) | 10V | 1.27ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 622 pf @ 100 v | - | 69W (TC) | ||||||
![]() | sqja92ep-t1_ge3 | 1.1900 | ![]() | 3462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJA92 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 57A (TC) | 10V | 9.5mohm @ 10a, 10V | 3.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 2650 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||
![]() | SI3483CDV-T1-E3 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3483 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 8A (TC) | 10V | 34mohm @ 6.1a, 10V | 3V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1000 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
![]() | SIHH105N60EF-T1GE3 | 6.8600 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHH15N60EF-T1GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 26A (TC) | 10V | 105mohm @ 13a, 10V | 5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 2099 PF @ 100 v | - | 174W (TC) | |||||
![]() | SUD70090E-GE3 | 1.5800 | ![]() | 7571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD70090 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 50A (TC) | 7.5V, 10V | 8.9mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 1950 pf @ 50 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | SI7448DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2402 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7448 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 13.4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 6.5mohm @ 22a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.9W (TA) | |||||
![]() | SQD50P08-25L_GE3 | 2.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 80 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 10.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 137 NC @ 10 v | ± 20V | 5350 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | |||||
![]() | SI8457dB-T1-E1 | 0.6000 | ![]() | 8268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA | SI8457 | MOSFET (금속 (() | 4 (® ® (1.6x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 6.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 19mohm @ 3a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 93 NC @ 8 v | ± 8V | 2900 pf @ 6 v | - | 1.1W (TA), 2.7W (TC) | ||||
sqj202ep-t1_ge3 | 1.4600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ202 | MOSFET (금속 (() | 27W, 48W | PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 12V | 20A, 60A | 6.5mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA | 22NC @ 10V | 975pf @ 6v | - | ||||||||
IRFB13N50APBF | 3.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB13 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 14A (TC) | 10V | 450mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 81 NC @ 10 v | ± 30V | 1910 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||
![]() | SI4936BDY-T1-GE3 | 1.3200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4936 | MOSFET (금속 (() | 2.8W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.9A | 35mohm @ 5.9a, 10V | 3V @ 250µA | 15NC @ 10V | 530pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | IRFR430APBF | 1.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR430 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.7ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 490 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||
![]() | SIHD7N60ET4-GE3 | 0.8080 | ![]() | 2938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD7 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 680 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | ||||||
IRF630PBF | 1.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF630 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF630PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||||
![]() | sqj465ep-t1_ge3 | 1.3300 | ![]() | 784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ465 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 3.5a, 10v, 1.17mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1140 pf @ 30 v | - | 45W (TC) | |||||
![]() | SUD50N03-16P-E3 | - | ![]() | 3279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA), 37A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1150 pf @ 25 v | - | 6.5W (TA), 40.8W (TC) | ||||
![]() | IRFU120 | - | ![]() | 8346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU1 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
![]() | SI3481DV-T1-GE3 | - | ![]() | 7240 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3481 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4A (TA) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 5.3a, 10V | 3V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
![]() | SQSA80ENW-T1_GE3 | 1.1100 | ![]() | 516 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SQSA80 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 18A (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1358 pf @ 40 v | - | 62.5W (TC) | |||||
![]() | IRF530L | - | ![]() | 2765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF530 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF530L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | - | ||||
![]() | irlu120pbf | - | ![]() | 8753 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | irlu120 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irlu120pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 490 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
![]() | irfu4105ztr | - | ![]() | 4522 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU4105 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 55 v | 30A (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 740 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | |||||
![]() | SUM90220E-GE3 | 2.7200 | ![]() | 9349 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM90220 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 64A (TC) | 7.5V, 10V | 21.6mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 1950 pf @ 100 v | - | 230W (TC) | |||||
![]() | IRF740LCSTRL | - | ![]() | 6703 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF740 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | - | |||||
![]() | SI7216DN-T1-GE3 | 1.6600 | ![]() | 7698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7216 | MOSFET (금속 (() | 20.8W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 6A | 32mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 19NC @ 10V | 670pf @ 20V | - | |||||||
IRF840PBF | 1.9400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF840 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF840PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | SI7658ADP-T1-GE3 | 2.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7658 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 4590 pf @ 15 v | - | 5.4W (TA), 83W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고