SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHJ7N65E-T1-GE3 1.1737
RFQ
ECAD 7081 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIHJ7 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 7.9A (TC) 10V 598mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 96W (TC)
SI3529DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3529DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2037 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3529 MOSFET (금속 (() 1.4W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 40V 2.5a, 1.95a 125mohm @ 2.2a, 10V 3V @ 250µA 7NC @ 10V 205pf @ 20V 논리 논리 게이트
IRF9Z24PBF Vishay Siliconix IRF9Z24PBF 1.9400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 11A (TC) 10V 280mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 60W (TC)
SIHP4N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHP4N80E-GE3 1.0201
RFQ
ECAD 5949 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP4 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.3A (TC) 10V 1.27ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 622 pf @ 100 v - 69W (TC)
SQJA92EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja92ep-t1_ge3 1.1900
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA92 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 57A (TC) 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2650 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI3483CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3483CDV-T1-E3 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3483 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8A (TC) 10V 34mohm @ 6.1a, 10V 3V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 15 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SIHH105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH105N60EF-T1GE3 6.8600
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHH15N60EF-T1GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 105mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 2099 PF @ 100 v - 174W (TC)
SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix SUD70090E-GE3 1.5800
RFQ
ECAD 7571 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD70090 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 50A (TC) 7.5V, 10V 8.9mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 50 v - 125W (TC)
SI7448DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7448DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2402 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7448 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 13.4A (TA) 2.5V, 4.5V 6.5mohm @ 22a, 4.5v 1.5V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.9W (TA)
SQD50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix SQD50P08-25L_GE3 2.7600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 80 v 50A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 250µA 137 NC @ 10 v ± 20V 5350 pf @ 25 v - 136W (TC)
SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8457dB-T1-E1 0.6000
RFQ
ECAD 8268 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8457 MOSFET (금속 (() 4 (® ® (1.6x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 93 NC @ 8 v ± 8V 2900 pf @ 6 v - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
SQJ202EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj202ep-t1_ge3 1.4600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ202 MOSFET (금속 (() 27W, 48W PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 12V 20A, 60A 6.5mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 22NC @ 10V 975pf @ 6v -
IRFB13N50APBF Vishay Siliconix IRFB13N50APBF 3.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB13 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 450mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 30V 1910 pf @ 25 v - 250W (TC)
SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-GE3 1.3200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4936 MOSFET (금속 (() 2.8W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6.9A 35mohm @ 5.9a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 530pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFR430APBF Vishay Siliconix IRFR430APBF 1.9000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR430 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 110W (TC)
SIHD7N60ET4-GE3 Vishay Siliconix SIHD7N60ET4-GE3 0.8080
RFQ
ECAD 2938 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRF630PBF Vishay Siliconix IRF630PBF 1.5300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF630 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF630PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 400mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 74W (TC)
SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj465ep-t1_ge3 1.3300
RFQ
ECAD 784 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ465 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 8A (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 3.5a, 10v, 1.17mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1140 pf @ 30 v - 45W (TC)
SUD50N03-16P-E3 Vishay Siliconix SUD50N03-16P-E3 -
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 15A (TA), 37A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 20V 1150 pf @ 25 v - 6.5W (TA), 40.8W (TC)
IRFU120 Vishay Siliconix IRFU120 -
RFQ
ECAD 8346 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU1 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI3481DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3481DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7240 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3481 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SQSA80ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQSA80ENW-T1_GE3 1.1100
RFQ
ECAD 516 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQSA80 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 18A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1358 pf @ 40 v - 62.5W (TC)
IRF530L Vishay Siliconix IRF530L -
RFQ
ECAD 2765 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF530 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF530L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - -
IRLU120PBF Vishay Siliconix irlu120pbf -
RFQ
ECAD 8753 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu120 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irlu120pbf 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFU4105ZTR Vishay Siliconix irfu4105ztr -
RFQ
ECAD 4522 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU4105 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 25 v - 48W (TC)
SUM90220E-GE3 Vishay Siliconix SUM90220E-GE3 2.7200
RFQ
ECAD 9349 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90220 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 64A (TC) 7.5V, 10V 21.6mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 100 v - 230W (TC)
IRF740LCSTRL Vishay Siliconix IRF740LCSTRL -
RFQ
ECAD 6703 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - -
SI7216DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7216DN-T1-GE3 1.6600
RFQ
ECAD 7698 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7216 MOSFET (금속 (() 20.8W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A 32mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 19NC @ 10V 670pf @ 20V -
IRF840PBF Vishay Siliconix IRF840PBF 1.9400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF840PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI7658ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7658ADP-T1-GE3 2.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7658 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4590 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고