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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
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 | SI4936BDY-T1-GE3 | 1.3200 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4936 | MOSFET (금속 (() | 2.8W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.9A | 35mohm @ 5.9a, 10V | 3V @ 250µA | 15NC @ 10V | 530pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | SQUN700E-T1_GE3 | 2.4400 | | 5083 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | SQUN700 | MOSFET (금속 (() | 50W (TC), 48W (TC) | 주사위 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-squn700e-t1_ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 채널 (채널), p 채널 | 200V, 40V | 16A (TC), 30A (TC) | 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 75mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v | 3.5V @ 250µA, 2.5V @ 250µA | 23nc @ 10v, 11nc @ 10v, 30.2nc @ 10v | 1474pf @ 20v, 600pf @ 100v, 1302pf @ 100v | - | |||||||
| IRF840LCS | - | | 7570 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF840LCS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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