SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on)
SQ4401EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4401EY-T1_GE3 2.9300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4401 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 17.3A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 4250 pf @ 20 v - 7.14W (TC)
SIHH11N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH11N65E-T1-GE3 2.1897
RFQ
ECAD 9816 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH11 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 363mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 30V 1257 pf @ 100 v - 130W (TC)
SI4170DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4170DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3389 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4170 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4355 pf @ 15 v - 3W (TA), 6W (TC)
SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj407ep-t1_ge3 1.4800
RFQ
ECAD 6300 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ407 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 10700 pf @ 25 v - 68W (TC)
2N4393 Vishay Siliconix 2N4393 -
RFQ
ECAD 8910 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4393 1.8 w TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 n 채널 14pf @ 20V 40 v 5 ma @ 20 v 500 MV @ 1 NA 100 옴
IRF624PBF Vishay Siliconix IRF624PBF 1.8000
RFQ
ECAD 4558 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF624 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF624PBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 4.4A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 50W (TC)
SISA10BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA10BDN-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 26A (TA), 104A (TC) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 36.2 NC @ 10 v +20V, -16V 1710 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 63W (TC)
SISS02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS02DN-T1-GE3 1.5200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS02 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 51A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 1.2mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 83 NC @ 10 v +16V, -12V 4450 pf @ 10 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SI1903DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1903DL-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5939 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1903 MOSFET (금속 (() 270MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 410ma 995mohm @ 410ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.8NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SUD50P04-13L-GE3 Vishay Siliconix SUD50P04-13L-GE3 -
RFQ
ECAD 8598 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3120 pf @ 25 v - 3W (TA), 93.7W (TC)
IRFP22N60C3PBF Vishay Siliconix IRFP22N60C3PBF -
RFQ
ECAD 9026 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP22 MOSFET (금속 (() TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP22N60C3PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 650 v 22A (TA) - - - -
SI7439DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7439DP-T1-GE3 3.9800
RFQ
ECAD 1182 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7439 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 3A (TA) 6V, 10V 90mohm @ 5.2a, 10V 4V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SUP85N15-21-E3 Vishay Siliconix SUP85N15-21-E3 5.4000
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup85 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 150 v 85A (TC) 10V 21mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 300W (TC)
SI7413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7413DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7413 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8.4A (TA) 1.8V, 4.5V 15mohm @ 13.2a, 4.5v 1V @ 400µA 51 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
IRF614STRRPBF Vishay Siliconix IRF614STRRPBF 1.0272
RFQ
ECAD 6477 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF614 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 2ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
IRF830BPBF Vishay Siliconix IRF830BPBF 1.1200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF830 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 325 pf @ 100 v - 104W (TC)
SUM90N08-7M6P-E3 Vishay Siliconix SUM90N08-7M6P-E3 -
RFQ
ECAD 1249 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 7.6mohm @ 30a, 10V 4.8V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 3528 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
IRFBG20 Vishay Siliconix IRFBG20 -
RFQ
ECAD 3796 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBG20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBG20 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1000 v 1.4A (TC) 10V 11ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 54W (TC)
IRFBC40ASTRL Vishay Siliconix IRFBC40ASTRL -
RFQ
ECAD 3669 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC40 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 1036 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI3585CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3585CDV-T1-GE3 0.5500
RFQ
ECAD 3868 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3585 MOSFET (금속 (() 1.4W, 1.3W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 3.9a, 2.1a 58mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.8nc @ 10V 150pf @ 10V 논리 논리 게이트
SQD100N02_3M5L4GE3 Vishay Siliconix SQD100N02_3M5L4GE3 0.6209
RFQ
ECAD 5786 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD100 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd100n02_3m5l4ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 10 v - 83W (TC)
IRFI9Z34GPBF Vishay Siliconix irfi9z34gpbf 3.0900
RFQ
ECAD 816 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfi9z34gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 12A (TC) 10V 140mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 42W (TC)
SUD09P10-195-BE3 Vishay Siliconix SUD09P10-195-BE3 0.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD09 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 8.8A (TC) 4.5V, 10V 195mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 34.8 nc @ 10 v ± 20V 1055 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 32.1W (TC)
SI2377EDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2377EDS-T1-BE3 0.5200
RFQ
ECAD 8759 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2377EDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA), 4.4A (TC) 1.5V, 4.5V 61mohm @ 3.2a, 4.5v 1V @ 250µA 21 NC @ 8 v ± 8V - 1.25W (TA), 1.8W (TC)
SQ4840EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4840EY-T1_BE3 3.3100
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4840 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 20.7A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 2440 pf @ 20 v - 7.1W (TC)
SIHG026N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG026N60EF-GE3 14.3000
RFQ
ECAD 4124 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 742-SIHG026N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 95A (TC) 10V 26mohm @ 38a, 10V 5V @ 250µA 227 NC @ 10 v ± 30V 7926 pf @ 100 v - 521W (TC)
2N4857JTXV02 Vishay Siliconix 2N4857JTXV02 -
RFQ
ECAD 8900 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4857 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
IRFR9214TR Vishay Siliconix irfr9214tr -
RFQ
ECAD 9404 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 3ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFL210TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfl210trpbf-be3 0.8800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL210 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 1 (무제한) 742-irfl210trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 960MA (TC) 1.5ohm @ 580ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SQM120N03-1M5L_GE3 Vishay Siliconix SQM120N03-1M5L_GE3 3.8200
RFQ
ECAD 9647 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 270 nc @ 10 v ± 20V 15605 pf @ 15 v - 375W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고