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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 저항 -rds (on) |
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![]() | SQ4401EY-T1_GE3 | 2.9300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4401 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 17.3A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 115 NC @ 10 v | ± 20V | 4250 pf @ 20 v | - | 7.14W (TC) | |||||||||
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![]() | sqj407ep-t1_ge3 | 1.4800 | ![]() | 6300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ407 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 10700 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | ||||||||||
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![]() | SQ4840EY-T1_BE3 | 3.3100 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4840 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 20.7A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 2440 pf @ 20 v | - | 7.1W (TC) | ||||||||||
![]() | SIHG026N60EF-GE3 | 14.3000 | ![]() | 4124 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHG026N60EF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 95A (TC) | 10V | 26mohm @ 38a, 10V | 5V @ 250µA | 227 NC @ 10 v | ± 30V | 7926 pf @ 100 v | - | 521W (TC) | ||||||||||
![]() | 2N4857JTXV02 | - | ![]() | 8900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4857 | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | irfr9214tr | - | ![]() | 9404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9214 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 250 v | 2.7A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 220 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||||||
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![]() | SQM120N03-1M5L_GE3 | 3.8200 | ![]() | 9647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM120 | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 270 nc @ 10 v | ± 20V | 15605 pf @ 15 v | - | 375W (TC) |
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