SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI4831BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4831BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7710 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4831 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 6.6A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 625 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA), 3.3W (TC)
SQ1539EH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1539EH-T1_GE3 0.7600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SQ1539 MOSFET (금속 (() 1.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 850MA (TC) 280mohm @ 1a, 10v, 940mohm @ 500ma, 10v 2.6V @ 250µA 1.4nc @ 4.5v, 1.6nc @ 4.5v 48pf @ 15V, 50pf @ 15V -
SQ4064EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4064EY-T1_BE3 1.0500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4064 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 19.8mohm @ 6.1a, 10V 2.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 2096 pf @ 25 v - 6.8W (TC)
SI7844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7844DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6195 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7844 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.4a 22mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHP8N50D-E3 Vishay Siliconix SIHP8N50D-E3 1.7300
RFQ
 ECAD 6384 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP8 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8.7A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 527 pf @ 100 v - 156W (TC)
SI6544BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6544BDQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9899 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6544 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 3.7a, 3.8a 43mohm @ 3.8a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIR150DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir150DP-T1-RE3 0.8800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sir150 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 30.9A (TA), 110A (TC) 4.5V, 10V 2.71mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 70 nc @ 10 v +20V, -16V 4000 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
SIA483DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA483DJ-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA483 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1550 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SIR510DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR510DP-T1-RE3 2.2500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 31A (TA), 126A (TC) 7.5V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 4980 pf @ 50 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SUP85N04-03-E3 Vishay Siliconix SUP85N04-03-E3 -
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup85 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 85A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 6860 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 250W (TC)
SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-BE3 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1922 MOSFET (금속 (() 740MW (TA), 1.25W (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.3A (TA), 1.3A (TC) 198mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 2.5nc @ 8v - -
SI1058X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1058X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8333 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1058 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 2.5V, 4.5V 91mohm @ 1.3a, 4.5v 1.55V @ 250µA 5.9 NC @ 5 v ± 12V 380 pf @ 10 v - 236MW (TA)
SQJQ140E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ140E-T1_GE3 3.4200
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 701A (TC) 10V 0.53MOHM @ 20A, 10V 3.3V @ 250µA 288 NC @ 10 v ± 20V 17000 pf @ 25 v - 600W (TC)
IRF740LCS Vishay Siliconix IRF740LCS -
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF740LCS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - -
SUD50N03-16P-GE3 Vishay Siliconix SUD50N03-16P-GE3 -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 15A (TA), 37A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 20V 1150 pf @ 25 v - 6.5W (TA), 40.8W (TC)
SQ4532AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4532AEY-T1_GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4532 MOSFET (금속 (() 3.3W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 7.3A (TC), 5.3A (TC) 31mohm @ 4.9a, 10v, 70mohm @ 3.5a, 10v 2.5V @ 250µA 7.8nc @ 10v, 10.2nc @ 10v 535pf @ 15v, 528pf @ 15v -
SISS63DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS63DN-T1-GE3 1.0000
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS63 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 35.1A (TA), 127.5A (TC) 2.5V, 10V 2.7mohm @ 15a, 10V 1.5V @ 250µA 236 NC @ 8 v ± 12V 7080 pf @ 10 v - 5W (TA), 65.8W (TC)
SI7218DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7218DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7218 MOSFET (금속 (() 23W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 24A 25mohm @ 8a, 10V 3V @ 250µA 17nc @ 10V 700pf @ 15V -
SIS698DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS698DN-T1-GE3 0.3045
RFQ
 ECAD 2231 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS698 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 6.9A (TC) 6V, 10V 195mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 210 pf @ 50 v - 19.8W (TC)
IRFR310TRPBF Vishay Siliconix irfr310trpbf 1.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI4472DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4472DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1495 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4472 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 7.7A (TC) 8V, 10V 45mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1735 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 5.9W (TC)
IRFRC20TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfrc20trpbf-be3 1.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfrc20trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfl9110trpbf-be3 0.8800
RFQ
 ECAD 1456 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL9110 MOSFET (금속 (() SOT-223 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 1.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 660ma, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SIHF530STRL-GE3 Vishay Siliconix SIHF530STRL-GE3 1.0700
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
IRF624PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF624PBF-BE3 0.8831
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF624 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf624pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 4.4A (TC) 1.1ohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 50W (TC)
SIHP080N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP080N60E-GE3 4.3900
RFQ
 ECAD 958 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 742-SIHP080N60E-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 35A (TC) 10V 80mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2557 pf @ 100 v - 227W (TC)
SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS22LDN-T1-GE3 1.2100
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS22 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS22LDN-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25.5A (TA), 92.5A (TC) 4.5V, 10V 3.65mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SIR864DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir864dp-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 8959 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir864 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 2460 pf @ 15 v - 5W (TA), 54W (TC)
SQ4153EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4153EY-T1_GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 6784 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4153 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 12 v 25A (TC) 1.8V, 4.5V 8.32mohm @ 14a, 4.5v 900MV @ 250µA 151 NC @ 4.5 v ± 8V 11000 pf @ 6 v - 7.1W (TC)
SIJH5700E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJH5700E-T1-GE3 6.5400
RFQ
 ECAD 8533 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 17A (TA), 174A (TC) 7.5V, 10V 4.1MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 7500 pf @ 75 v - 3.3W (TA), 333W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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