SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFD220PBF Vishay Siliconix IRFD220PBF 1.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD220 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 800MA (TA) 10V 800mohm @ 480ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRF610STRR Vishay Siliconix irf610strr -
RFQ
ECAD 3373 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF610 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3W (TA), 36W (TC)
SI4226DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4226DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4490 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4226 MOSFET (금속 (() 3.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 25V 8a 19.5mohm @ 7a, 4.5v 2V @ 250µA 36NC @ 10V 1255pf @ 15V -
SIA810DJ-T1-E3 Vishay Siliconix SIA810DJ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7278 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA810 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 4.5A (TC) 1.8V, 4.5V 53mohm @ 3.7a, 4.5v 1V @ 250µA 11.5 nc @ 8 v ± 8V 400 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.9W (TA), 6.5W (TC)
SI4936CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4936CDY-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4936 MOSFET (금속 (() 2.3W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.8A 40mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 9NC @ 10V 325pf @ 15V 논리 논리 게이트
SUP50020EL-GE3 Vishay Siliconix SUP50020EL-GE3 3.0600
RFQ
ECAD 6173 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP50020 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 120A (TC) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 126 NC @ 10 v ± 20V 11113 pf @ 30 v - 375W (TC)
SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA907EDJT-T1-GE3 0.5500
RFQ
ECAD 785 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA907 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A (TC) 57mohm @ 3.6a, 4.5v 1.4V @ 250µA 23NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI2323DS-T1 Vishay Siliconix SI2323DS-T1 -
RFQ
ECAD 9335 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2323 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.7a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 8V 1020 pf @ 10 v - 750MW (TA)
IRFBC20STRR Vishay Siliconix IRFBC20STRR -
RFQ
ECAD 2867 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 2.2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SIHA22N60AEL-GE3 Vishay Siliconix siha22n60ael-ge3 -
RFQ
ECAD 3849 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 30V 1757 pf @ 100 v - 35W (TC)
SI2338DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2338DS-T1-BE3 0.5300
RFQ
ECAD 9847 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2338DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.5A (TA), 6A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 424 pf @ 15 v - 1.3W (TA), 2.5W (TC)
SIA915DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA915DJ-T4-GE3 -
RFQ
ECAD 4122 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA915 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 6.5W (TC) PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 3.7A (TA), 4.5A (TC) 87mohm @ 2.9a, 10V 2.2V @ 250µA 9NC @ 10V 275pf @ 15V -
SI4620DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4620DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9669 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4620 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6A (TA), 7.5A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 1040 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFS11N50A Vishay Siliconix IRFS11N50A -
RFQ
ECAD 2267 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFS11N50A 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 170W (TC)
SISC06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISC06 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 27.6A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 15a, 10V 2.1V @ 250µA 58 NC @ 10 v +20V, -16V 2455 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 46.3W (TC)
SI4940DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4940DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5892 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4940 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 4.2A 36mohm @ 5.7a, 10V 1V @ 250µA (Min) 14NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SUM90P10-19-E3 Vishay Siliconix SUM90P10-19-E3 -
RFQ
ECAD 9815 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 90A (TC) 10V 19mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 330 nc @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 50 v - 13.6W (TA), 375W (TC)
SQS460EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS460EN-T1_GE3 1.2900
RFQ
ECAD 8676 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS460 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 8A (TC) 4.5V, 10V 36mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 755 pf @ 25 v - 39W (TC)
SIR640DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir640DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir640 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 20V 4930 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
IRFP26N60LPBF Vishay Siliconix IRFP26N60LPBF 10.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP26 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP26N60LPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 250mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 30V 5020 pf @ 25 v - 470W (TC)
SI7374DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7374DP-T1-E3 1.5920
RFQ
ECAD 1759 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7374 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 24A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 23.8a, 10V 2.8V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 15 v - 5W (TA), 56W (TC)
IRF610S Vishay Siliconix IRF610S -
RFQ
ECAD 7301 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF610 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF610S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3W (TA), 36W (TC)
IRF634L Vishay Siliconix IRF634L -
RFQ
ECAD 6831 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF634 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF634L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 770 pf @ 25 v - -
SI5947DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5947DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9649 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5947 MOSFET (금속 (() 10.4W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 6A 58mohm @ 3.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17nc @ 10V 480pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRFR420ATRLPBF Vishay Siliconix irfr420atrlpbf 0.7088
RFQ
ECAD 4990 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3.3A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 83W (TC)
IRFI9610G Vishay Siliconix IRFI9610G -
RFQ
ECAD 3023 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9610 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI9610G 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 200 v 2A (TC) 10V 3ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 27W (TC)
SI3473DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3473DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2506 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3473 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5.9A (TA) 1.8V, 4.5V 23mohm @ 7.9a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
SIR418DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir418dp-t1-ge3 1.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir418 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 20 v - 39W (TC)
SIA929DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA929DJ-T1-GE3 0.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA929 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 4.5A (TC) 64mohm @ 3a, 10V 1.1V @ 250µA 21NC @ 10V 575pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3 0.4300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2304 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.3A (TA), 3.6A (TC) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.2a, 10V 2.2V @ 250µA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 235 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 1.7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고