SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SQJA37EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja37ep-t1_be3 0.9200
RFQ
 ECAD 1863 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja37ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 9.2MOHM @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4900 pf @ 25 v - 45W (TC)
SIDR610DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 3.4200
RFQ
 ECAD 4634 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR610 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 8.9A (TA), 39.6A (TC) 7.5V, 10V 31.9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 100 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4925DDY-T1-GE3 1.0000
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4925 MOSFET (금속 (() 5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 8a 29mohm @ 7.3a, 10V 3V @ 250µA 50NC @ 10V 1350pf @ 15V -
IRFR024 Vishay Siliconix IRFR024 -
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR024 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFR214TRL Vishay Siliconix irfr214trl -
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
VQ1001P-E3 Vishay Siliconix VQ1001P-E3 -
RFQ
 ECAD 5958 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 - VQ1001 MOSFET (금속 (() 2W 14-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 4 n 채널 30V 830ma 1.75ohm @ 200ma, 5V 2.5V @ 1mA - 110pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRLR024TRR Vishay Siliconix irlr024trr -
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIB419DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB419DK-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5166 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB419 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 11.82 NC @ 5 v ± 8V 562 pf @ 6 v - 2.45W (TA), 13.1W (TC)
SI1480DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1480DH-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 2193 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1480 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.6A (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 130 pf @ 50 v - 1.5W (TA), 2.8W (TC)
IRLIZ34GPBF Vishay Siliconix IRLIZ34GPBF 2.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irliz34 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irliz34gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 20A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 12a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 42W (TC)
SIHG24N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG24N65E-GE3 6.1200
RFQ
 ECAD 7377 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG24 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI1033X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1033X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6318 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1033 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 145ma 8ohm @ 150ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF830AS Vishay Siliconix IRF830AS -
RFQ
 ECAD 5679 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF830 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF830AS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRFU1N60A Vishay Siliconix irfu1n60a -
RFQ
 ECAD 9851 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU1 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfu1n60a 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
SIR436DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir436dp-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 3112 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir436 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 1715 pf @ 15 v - 5W (TA), 50W (TC)
IRFD9024 Vishay Siliconix IRFD9024 -
RFQ
 ECAD 5952 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9024 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD9024 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.6A (TA) 10V 280mohm @ 960ma, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SI4116DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4116DY-T1-GE3 1.2500
RFQ
 ECAD 2837 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4116 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 18A (TC) 2.5V, 10V 8.6mohm @ 10a, 10V 1.4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 12V 1925 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2302DDS-T1-GE3 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2302 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.9A (TJ) 2.5V, 4.5V 57mohm @ 3.6a, 4.5v 850MV @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 710MW (TA)
SIRA50DP-T1-RE3 Vishay Siliconix siRA50DP-T1-RE3 1.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira50 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 62.5A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 194 NC @ 10 v +20V, -16V 8445 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 100W (TC)
IRLR014TRR Vishay Siliconix irlr014trr -
RFQ
 ECAD 1135 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
2N4119A-E3 Vishay Siliconix 2N4119A-E3 -
RFQ
 ECAD 9201 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4119 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 3pf @ 10V 40 v 200 µa @ 10 v 2 v @ 1 na
IRFR9210 Vishay Siliconix IRFR9210 -
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9210 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI3850ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3850ADV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3328 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3850 MOSFET (금속 (() 1.08W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 공통 p 채널, 공통 배수 20V 1.4a, 960ma 300mohm @ 500ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.4NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQS140ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS140ENW-T1_GE3 1.3000
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW 다운로드 1 (무제한) 742-SQS140ENW-T1_GE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 214A (TC) 10V 2.53mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 3111 pf @ 25 v - 197W (TC)
IRFBF30PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBF30PBF-BE3 2.8800
RFQ
 ECAD 6536 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBF30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfbf30pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 3.6A (TC) 3.7ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SUP90N03-03-E3 Vishay Siliconix SUP90N03-03-E3 -
RFQ
 ECAD 8019 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 28.8a, 10V 2.5V @ 250µA 257 NC @ 10 v ± 20V 12065 pf @ 15 v - 3.75W (TA), 250W (TC)
SIHA15N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHA15N80AEF-GE3 2.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA15N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 350mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 30V 1128 pf @ 100 v - 33W (TC)
SQJQ148ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ148ER-T1_GE3 2.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 372A (TC) 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 20V 5750 pf @ 25 v - 394W (TC)
SI4626ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4626ADY-T1-GE3 0.9923
RFQ
 ECAD 4355 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4626 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V 5370 pf @ 15 v - 3W (TA), 6W (TC)
SUM70042E-GE3 Vishay Siliconix SUM70042E-GE3 2.9900
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 조각 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SUM70042E-GE3 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 150A (TC) 7.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 6490 pf @ 50 v - 278W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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