SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SIA911EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA911EDJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8750 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA911 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A 101mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 11nc @ 8v - 논리 논리 게이트
SI1553DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1553DL-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7147 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1553 MOSFET (금속 (() 270MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 660ma, 410ma 385mohm @ 660ma, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 1.2NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRL510SPBF Vishay Siliconix IRL510SPBF 0.7072
RFQ
 ECAD 4109 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 5.6A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 3.4a, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SI4916DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4916DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8390 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4916 MOSFET (금속 (() 3.3W, 3.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 10a, 10.5a 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF610STRLPBF Vishay Siliconix irf610strlpbf 1.7300
RFQ
 ECAD 677 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF610 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3W (TA), 36W (TC)
IRF740BPBF Vishay Siliconix IRF740BPBF 1.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF740 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 600mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 526 pf @ 100 v - 147W (TC)
SQD50P08-28-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD50P08-28-T4_GE3 0.6985
RFQ
 ECAD 7852 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd50p08-28-t4_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 80 v 48A (TC) 10V 28mohm @ 12.5a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6035 pf @ 25 v - 136W (TC)
2N6660-E3 Vishay Siliconix 2N6660-E3 -
RFQ
 ECAD 7399 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6660 MOSFET (금속 (() TO-205AD (TO-39) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 60 v 990MA (TC) 5V, 10V 3ohm @ 1a, 10v 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SI6993DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4104 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6993 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 3.6a 31mohm @ 4.7a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIE818DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE818DF-T1-GE3 1.9970
RFQ
 ECAD 1947 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE818 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 60A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 38 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SIRC16DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRC16DP-T1-RE3 1.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIRC16DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 57A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 0.96mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 105 NC @ 10 v +20V, -16V 5150 pf @ 10 v Schottky Diode (Body) 5W (TA), 54.3W (TC)
SI7611DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7611DN-T1-GE3 1.6400
RFQ
 ECAD 3561 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7611 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 18A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 9.3a, 10V 3V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 1980 PF @ 20 v - 3.7W (TA), 39W (TC)
SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7232DN-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 8529 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7232 MOSFET (금속 (() 23W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 25A 16.4mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 32NC @ 8V 1220pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4488DY-T1-E3 2.2500
RFQ
 ECAD 983 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4488 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 3.5A (TA) 10V 50mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA (Min) 36 nc @ 10 v ± 20V - 1.56W (TA)
SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7138DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6191 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7138 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 30A (TC) 6V, 10V 7.8mohm @ 19.7a, 10V 4V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 6900 pf @ 30 v - 5.4W (TA), 96W (TC)
IRFR430ATRRPBF Vishay Siliconix irfr430atrrpbf -
RFQ
 ECAD 7783 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR430 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 110W (TC)
SI9434BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9434BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9597 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9434 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.5A (TA) 2.5V, 4.5V 40mohm @ 6.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
SI3464DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3464DV-T1-GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3464 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 7.5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 8V 1065 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.6W (TC)
SI3911DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3911DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5753 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모 쓸모 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3911 MOSFET (금속 (() 830MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.8a 145mohm @ 2.2a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 7.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI1028X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1028X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1028 MOSFET (금속 (() 220MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V - 650mohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 2NC @ 10V 16pf @ 15V 논리 논리 게이트
SST5462-T1-E3 Vishay Siliconix SST5462-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8004 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5462 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 7pf @ 15V 40 v 4 ma @ 15 v 1.8 V @ 1 µA
IRFD110 Vishay Siliconix IRFD110 -
RFQ
 ECAD 7738 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD110 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1A (TA) 10V 540mohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SI1033X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1033X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9858 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1033 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 145ma 8ohm @ 150ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQJB60EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb60ep-t1_be3 1.3100
RFQ
 ECAD 7339 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB60 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 다운로드 1 (무제한) 742-sqjb60ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 30A (TC) 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1600pf @ 25V -
SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3429EDV-T1-GE3 0.4700
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3429 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TA), 8A (TC) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 8V 4085 pf @ 50 v - 4.2W (TC)
SQJB00EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb00ep-t1_be3 1.3100
RFQ
 ECAD 5243 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJB00 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqjb00ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 30A (TC) 13mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 35NC @ 10V 1700pf @ 25V -
SQ3419EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3419EV-T1_BE3 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3419 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 6.9A (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 11.3 NC @ 4.5 v ± 20V 990 pf @ 20 v - 5W (TC)
SI7742DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7742DP-T1-GE3 0.8647
RFQ
 ECAD 2259 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7742 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 2.7V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SI7104DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7104DN-T1-GE3 1.0490
RFQ
 ECAD 9150 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7104 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 35A (TC) 2.5V, 4.5V 3.7mohm @ 26.1a, 4.5v 1.8V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 12V 2800 pf @ 6 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
IRF530L Vishay Siliconix IRF530L -
RFQ
 ECAD 2765 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF530 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF530L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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